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861.
在方舱的设计计算和试验中,方舱质心高度是一个重要的参数。本文试从测试前的技术准备、测试方法、数据处理等方面,介绍用质量反应法测试方舱质心高度的方法。  相似文献   
862.
863.
864.
本文阐述了气相沉积技术的发展和应用,概括了此技术在我国的现状,分析并展望其未来的发展,还注意到了研究领域中的动向和趋势。  相似文献   
865.
    
采用无压烧结的方法,以V、Al、C混合粉末为原料制备V2AlC粉体材料。通过不同烧结温度下物相的演变过程对反应路径进行研究,同时探究了烧结助剂NaF对烧结过程的影响。实验结果表明,在1 300~1 500℃温度区间内V3Al2、C和VC发生反应生成V2AlC相,且无压烧结制备高纯V2AlC的最佳工艺为1 500℃保温2 h,元素摩尔配比为 V:Al:C=2:1.2:1。此外,烧结助剂NaF的使用加快了反应过程,并使得反应温度降至1 400℃。实验得到的高纯度、颗粒尺寸分布适中(40~100 μm)的V2AlC可用做提高材料耐磨性的增强体以及二维材料V2C的前驱体。  相似文献   
866.
当前,抑制强电磁场真空击穿的方法主要是结构改进和工艺处理,对于提高材料耐电子轰击性能来抑制击穿的研究相对较少。文章主要结合Monte-Carlo方法和Bethe能量损失规律,研究了兆电子伏级能量的电子垂直入射金属靶材的能量损失规律。研究表明,材料原子序数和原子密度越小,电子在材料中的有效射程越长,单位体积内沉积的平均能量越低,从而越有利于材料耐受电子束轰击。在此基础上,通过试验比较了铜、不锈钢和钛三种材料耐电子束轰击的性能,在相同的电子束能量下,铜由于密度最高而最容易受到电子束轰击破坏,密度最低的钛材料具有最好的耐电子束轰击性能。进一步的高功率微波(HighPowerMicrowave)试验证实,相对于不锈钢材料,在2.8GW输出微波功率水平下,使用耐电子轰击性能更优的钛材料能够将输出微波脉宽由18ns增加到27ns,由强电磁场真空击穿引起的脉冲缩短明显得到有效抑制。  相似文献   
867.
高温区碰并诱导气相爆轰二次起爆的数值研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对心形管内气相爆轰二次起爆过程进行了数值研究。采用二阶附加半隐的龙格-库塔法和5阶WENO格式求解二维欧拉方程,采用基元反应来描述爆轰化学反应过程。结果表明:气相爆轰在心形管中传播,由于壁面几何结构的作用,爆轰波熄灭后会发生二次起爆。该二次起爆由高温区碰并所诱导,且在管道不同位置诱导了两处二次起爆。爆轰流场中存在未反应气囊、射流、爆轰波马赫反射、激波与火焰作用及其所诱导的不稳定性等现象。计算得到的二次起爆过程胞格结构演变与实验基本一致。  相似文献   
868.
采用激光金属沉积工艺对成分重组设计后的Nb-Mo-Ta-W系难熔高熵合金进行成形制备,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对(NbMoTa)90W10和(NbMoTaTi)90W10两种高熵合金的相结构、缺陷与微观组织进行了表征分析,并通过多功能力学试验机对两种合金进行室温拉伸性能测试。结果表明:(NbMoTa)90W10和(NbMoTaTi)90W10两种高熵合金均为单相体心立方结构;Ti元素在Nb-Mo-Ta-W系合金中的晶界处形成了“液态薄膜”,可实现对沿晶裂纹的良好抑制;冶金缺陷的减少以及Ti元素引入的晶格畸变效应,(NbMoTaTi)90W10高熵合金的室温力学性能提升,屈服强度达到1156 MPa。  相似文献   
869.
为改善极端条件下航空煤油的点火和燃烧性能,提高煤油活性,本文在大气压氮气环境下利用纳秒脉冲电源产生的滑动弧等离子体进行煤油裂解实验研究,得到了包含活性更高的气态轻质烃和氢气等小分子物质的裂解气。通过改变电源输出脉冲电压的上升沿时间和下降沿时间,得到了裂解气产量、碳氢比以及裂解气中各组分选择性的变化规律,并总结了相关的部分反应路径。实验结果如下:裂解气产量随着上升沿时间的增加而减小,随着下降沿时间的增加而上升,裂解气碳氢比则呈现相反的变化规律;裂解气主要组分中,乙烷选择性最高,在各实验工况下均超过30%;随着上升沿时间和下降沿时间的增加,裂解气中丙烷和丙烯的选择性均降低,氢气的选择性上升;上升沿时间和下降沿时间的变化对裂解效果产生影响的主要原因是改变了反应的路径。实验结果表明,纳秒脉冲滑动弧放电等离子体可以将煤油中的部分大分子烃类转化为气态轻烃和氢气等高活性组分。同时,增加纳秒脉冲电压下降沿时间能够改善滑动弧等离子体的裂解效果,获得更多活性更高的小分子物质。  相似文献   
870.
深层带电是影响航天器在轨安全和正常运行的重要空间环境效应,而高能电子在介质材料内部的沉积电荷分布特性是深层带电效应的重要考量因素。文章采用脉冲电声(pulsed electro-acoustic, PEA)法测试了0.3~1.0 MeV电子辐照下聚酰亚胺(PI)材料内部的沉积电荷分布特性,研究了电子能量和入射电子数对材料内部沉积电荷分布的影响规律。结果表明:高能电子主要沉积在辐照区的后端,随着入射电子数的增加,材料内部沉积的电荷量将不断增加,最终达到稳定状态;能量越高的电子穿透能力越强,并在材料内部形成分布范围更广的电荷沉积峰。  相似文献   
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