RFOG中LD光源驱动电路设计

谐振式光纤陀螺具有良好的发展前景,光源在系统中有着很重要的作用.由于惯导系统工作在多变的外界环境下,环境因素引起的LD输出光功率不稳定会对陀螺的精度产生极大影响.为减小这种不稳定造成的检测误差,给出了一种恒流+温控的驱动电路来稳定光源输出功率,实验测定恒流电路的电流稳定性优于0.12％.激光器组件内包含的热敏电阻阻值随温度变化而改变,通过测量温控条件下热敏电阻两端电压,计算得到温度波动为±0.05℃.同时,实验还测量了在30C时,LD光源的输出功率标准差为0.0165mW.     

基于FPGA的二元脉冲调宽力反馈电路

本文提出一种用于某单自由度液浮积分陀螺的二元脉冲调宽力反馈电路方案,并给出方案设计的具体实现过程、仿真分析以及实测结果.通过对比在同样试验条件下的测试数据,本文设计的基于FPGA二元脉冲调宽力反馈电路的测试精度略高于常用的数字电压表检测方法,因此可独立完成高精度测试而不需依赖其他辅助测试仪器.而且该电路采用数字化FPGA方案,针对不同测试要求,可以较灵活提高脉冲分辨率和采样频率,测试状态更接近陀螺的使用条件.     

利用“交叉类比”学习法掌握基本放大电路特性

在模拟电子技术课程的教学中,分立器件构成的基本放大电路的静态和动态特性分析,是掌握放大电路工作原理中的一个基本知识点。作者经过多年的教学探索和实践,通过＂交叉类比＂的学习方法,能有效地帮助学生更快更深入地理解由各类分立器件构成的不同组态的放大电路特性。本文以晶体三极管和场效应管构成的基本放大电路特性的授课为例,从不同的电路拓扑入手,分析了＂交叉类比＂在授课中的应用。几年来的教学效果评估显示,采用这种授课方式可以起到事半功倍的效果。     

光学模数转换技术在电子对抗中的应用研究

当前,传统的电学模数转换在电子对抗中面临瓶颈,光学模数转换是解决该问题的有效途径。对传统电学模数转换技术的局限性进行了分析,指出了光学模数转换的优势,并对两种代表性的光学模数转换技术进行了仿真分析。仿真结果表明,光学模数转换技术在电子对抗应用中具有可行性,应用前景广泛。     

某箭载综合放大器电磁兼容(EMC)设计

介绍了某箭载综合放大器的功能、原理、电磁兼容(EMC)设计及相应的EMC试验情况,并针对仪器在试验中出现的问题,进行了EMC改进设计和理论分析及试验验证。采取在敏感电路处增加高频旁路电容的改进措施后,仪器的电磁兼容性能得到增强,通过试验考核,表明改进设计合理有效。相应的EMC设计方法对其他箭载电子设备也有参考意义。     

基于FPGA的高性能回收控制器的设计与实现

针对中国新一代载人飞船对回收着陆系统的高可靠、高实时、不可逆、一次成功等要求,为了使回收分系统控制单元在复杂控制模式下高精确完成弹减速伞、弹主伞、抛防热大底、着陆缓冲控制等相关的动作,设计了以现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array,FPGA）为核心处理器装置的控制单元,实现了对航天器的现有减速与缓冲装置的可靠、精确地控制。该控制器采用三模冗余（Three Mode Redundancy,TMR）控制策略,程序上采取了复杂状态机等并行执行的控制逻辑,系统上采取了3个分时启动电路,输出上采取了具有自反馈校正的同步校验信号系统。在满足产品上电浪涌电流的同时,以三取二方式有效的输出规定脉宽时序的指令信号,满足了后一级执行机构的动作需求。实物产品飞行试验验证结果显示,回收控制器启动特性、指令时间、响应性能均满足航天器现有减速与缓冲装置要求,可为同类型其他设计提供一定的借鉴和参考。     

低功耗CMOS带隙基准电压源的设计

设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路。其设计特点是采用了共源共栅电流镜 ,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路 ;使用CSMC标准 0 6 μm双层多晶硅n -wellCMOS工艺混频信号模型 ,利用Cadence的Spectre工具对其仿真 ,结果显示当温度和电源电压变化范围为 - 5 0℃～ 15 0℃和4 5V～ 5 5V时输出基准电压变化小于 1 6mV和 0 13mV ;低频电源抑制比达到 75dB。电路在 5V电源电压下工作电流小于 10 μA。该电路适用于对功耗要求低。     

《电路分析基础》课程思政的探索

高校课程思政的推进势在必行,课程思政需要贯穿于教学的全过程.本文在分析目前我校课程思政推行过程中存在的一些问题后,介绍了实践课程思政的思路和具体的实践内容,旨在提高立德树人的效果,同时也希望能为其他课程思政提供一定的借鉴.     

面向功放-整流一体化设计的逆F类功率放大器

针对微波无线功率传输对于高功率处理能力的高效整流器需求,提出一种基于高效率功率放大器的功放-整流一体化设计思路。文章首先使用型号为CG2H40010F的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),通过谐波控制、负载牵引等方法,设计出一款工作在2.45GHz逆F类高效率功率放大器。在高效率功率放大器的基础上基于时间反转对偶理论,通过改变逆F类功率放大器电流方向,同时结合耦合器和移相器实现了高功率容量整流电路的设计。仿真结果表明,在245GHz工作频率下,功率放大器的输入功率为28dBm时,功率附加效率达到76%,输出功率40dBm;整流电路的输入功率为41dBm时,RF-DC转换效率可达到79%,整流最佳效率大于80%,显示了整流器的高功率处理能力。引入了两个单刀双掷开关实现功率放大器和整流器的功能切换,文章对核心电路功率放大器进行了实物测试,测试结果与仿真重合较好,验证了功放-整流一体化设计的可行性。     

星用微波集成电路TaN薄膜电阻的功率耐受值研究

氮化钽(tantalum nitride, TaN)薄膜电阻电路是星载放大器、功分器等典型产品中必不可少的组成部分。在较大功率信号施加的条件下,TaN埋嵌电阻部位热效应较强,出现电路失效或烧毁的可能性也较其他部位大。星载微波单机应用环境条件恶劣,对于薄膜电阻的应用可靠性要求极高,常规侧重高温工况,热处理等条件下的氮化钽电阻功率耐受性研究无法得到实际星载应用工况中氮化钽电阻的功率特性,势必需要通过模拟实际应用工况和边界条件,通过设计制作氧化铝基板上不同尺寸TaN薄膜电阻样件,测量在施加不同电流的工况下电阻表面和电阻电极的温度,并根据电阻表面最大允许温升对应的电流,计算出可耐受的最大功率,完成了TaN薄膜电阻的功率耐受性研究。研究结果表明,在基板厚度一定时,随着电阻面积增大,薄膜电阻耐受功率呈增大趋势;较大尺寸薄膜电阻的功率耐受随着基板厚度的增加而降低。此研究结果对后续优化星用微波电路设计,提高宇航微波产品应用可靠性,减少不必要的设计冗余,有重要意义。