模式识别中幂变换正态性的研究

在基于模板匹配的模式识别中,当数据呈正态分布时得到的识别效果最优。幂变换是一种将非正态分布转换为正态分布的一种有效方法,文中对幂变换技术的正态性问题进行了相关的研究,并探讨了典型分布条件下的幂变换最佳取值问题,为幂变换的应用提供了一定的理论基础。     

一种小波变换像空间的再生核

利用一个常用的调制高斯函数作为小波母函数,得到小波变换像空间的再生核函数的具体表达式和小波变换的等距恒等式,并分析了小波变换像空间的结构,为一般的小波变换的像空间的研究提供了理论基础。     

不同结构多点喷射燃烧室冷态流场研究

用数值模拟的方法对旋流数、文氏管间距、扩压器与头部的间距等多点喷射燃烧室设计中的关键参数进行研究,来获取它们对多点喷射燃烧室回流区的影响规律.结果表明:旋流数由0.82提高到1.24,回流区最大负速度和长度分别增加了52%和34%,最大负速度随旋流器叶片安装角是线性变化的;文氏管间距由0增加到0.4倍的文氏管出口直径时,回流区半径增加了33%,长度增加了43%;增大扩压器出口面积和头部与扩压器间距有利于旋流器之间流量分配均匀.      

机载核心处理平台与网络技术的应用前景

微电子技术的高速发展,为机载核心处理平台的技术进步提供了强有力的支撑。本文从机载核心处理平台及网络的“随需安装”、多核处理器技术应用、高安全操作系统技术、机载信息安全技术、可重构计算技术、机载网络技术以及新型散热技术等方面,探讨了机载机载核心处理平台与网络技术的应用前景。     

一种基于双模态燃烧二元高超声速进气道研究

设计并研究了一种基于双模态燃烧的二元高超声速进气道.通过在进气道内设计一个隔板,将流道分为超声速通道和亚燃通道.采用数值模拟方法,研究了内压段肩部型面,隔板进口高度及水平位置,过渡段起始点及扩张角、下通道出口高度、隔板头部型面等几何设计参数对进气道性能的影响规律,并给出了参数选择建议.结果表明:在研究范围内,内压段肩部型面、隔板进口高度及水平位置和过渡段起始点对总压恢复系数影响较大;而隔板进口高度及头部型面、过渡段扩张角和下通道出口高度对抗反压能力有较大影响.      

环管燃烧室热态流场的数值计算及性能分析

借助流体计算软件对某环管燃烧室内的热态流场进行了数值分析。气流的湍流流动采用Realizab lek-ε湍流模型进行模拟,用拉格朗日法跟踪油滴的轨迹,非预混PDF燃烧模型模拟气液两相的燃烧过程,辐射传热通过离散坐标模型来考虑。分析了气流流动规律、燃油液滴的运动轨迹、温度场的分布,获得了总压恢复系数、燃烧效率、燃烧室出口的径向温度分布系数等性能参数。计算结果可为环管燃烧室的优化设计提供参考。     

快冷态与铸态Ti—55合金稀土相的研究

采用透射电镜观察了快冷态Ｔｉ－５Ａｌ－４Ｓｎ－２Ｚｒ－１Ｍｏ－０．２５Ｓｉ．０．３～１．２Ｎｄ合金（Ｔｉ－５５合金）稀土相的形貌，发观稀土相尺寸细小（４～３４ｎｍ），呈球状，均匀弥散地分布在基体中，晶界上稀土相呈椭球状，沿晶界排列。采用图像分析仪对铸态Ｔｉ－５５合金稀土相进行了分析，结果表明，４种成分合金的稀土相平均尺寸为３．２５～３．５０μｍ，平均圆度系数为０．５６～０．６３，呈椭球状，棒状及不规则状，分布于晶界与晶内，其均匀弥散度劣于快冷态Ｔｉ－５５合金的稀土相。     

正态分布百分位值和百分率的置信限和容忍限公式

建立了正态分布置信限曲线方程,给出了其百分位值和百分率的置信限公式和容忍限公式。该公式对完全数据、不完全数据和无失效数据均适用,并且可综合利用当前数据和经验数据。     

注F的MOS电容电高辐射效应研究

对干氧栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳ电容进行了γ射线辐照试验，研究了不同注Ｆ剂量的ＭＯＳ电容电离辐射响应特征。结果表明，注Ｆ能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态，最佳抑制效果的Ｆ注入剂量范围是５×１０１４～２×１０１６Ｆ／ｃｍ２，且受注Ｆ工艺条件制约，少量或过量的Ｆ注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测Ｆ在Ｓｉ／ＳｉＯ２界面和ＳｉＯ２中的行为将直接影响ＭＯＳ器件的辐照性能。而Ｆ的行为依赖于Ｆ的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。     

SiCp／LD10复合材料原位拉抻断裂行为研究

采用扫描电镜下的动态拉伸手段,原位观察ＳｉＣｐ／ＬＤ１０复合材料在动态受载条件下复合材料内部裂纹形成、扩展直至断裂的全过程,结果发现裂纹主要在ＳｉＣ和基体截面、断裂颗粒和内部原始缺陷处形核,整个裂纹的生长过程 裂纹前端应力集中区内多个微裂纹形核、长大,相互连结,然后汇集到和主应力垂直方向上,形成宏观裂纹。