在 Si 上生长的 GaAs 外延薄膜的近红外光致发光(英文)

在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与ＧａＡｓ／Ｓｉ的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的ＧａＡｓ／Ｓｉ样品是用ＭＯＣＶＤ方法生长的，而且具有不同的［Ａｓ］／［Ｇａ］比。利用组态模型，通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化，获得了Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移。考虑了ＧａＡｓ／Ｓｉ的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移及带隙移动，修正了施主－受主对、导带－受主及施主－价带间跃迁的能量关系式，给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及ＧａＡｓ／Ｓｉ外延薄膜发光谱的特征，鉴定出ＧａＡｓ／Ｓｉ中的三个发光峰属施主－受主对复合发光，另外两个发光峰则是由Ａｓ填隙－Ｇａ空位的复合发光中心所产生。     

基于不同成核层的碳化硅基底反射镜特性研究

不同的成核材料对金属Ag薄膜生长具有不同的细化作用,材料晶格常数差异会导致不同薄膜材料在生长过程中产生不同的表面弛豫现象,导致薄膜生长模式差异。由于材料特性及制备工艺限制,成型SiC材料表面和坯体中会存在一定的孔洞缺陷,抛光后的SiC,特别是反应烧结SiC基底表面粗糙度依然较大,表面镀制的金属膜由于对基底形貌的复制,具有较大的散射,影响光学系统的成像品质。为改善具有表面孔洞RB-SiC材料的表面特性,利用热蒸发工艺分别在抛光RB-SiC表面沉积了10nm厚的Cr、Ti、Ge三种不同成核材料,对孔洞形貌改变、表面粗糙度进行分析;并进一步研究了RB-SiC基底沉积三种成核材料金属Ag反射镜的特性。研究结果表明,由于材料晶格常数差异导致不同薄膜材料在生长过程中产生的表面弛豫强弱不同,Cr、Ti、Ge三种成核材料在RB-SiC表面孔洞中的生长方式不同;金属Ti具有更好的孔洞修补能力,并且沉积100nm金属Ag后对可见光谱的杂散光最小。     

一种单晶涡轮叶片凝固过程及晶粒组织的数值模拟

建立了单晶涡轮叶片的有限元模型,采用有限元方法计算了叶片熔模精密铸造凝固过程的流场、温度场以及应力场。数值模拟结果可以为优化单晶叶片铸造工艺、改善叶片晶粒组织结构、提高叶片强度提供依据。     

硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究

过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性.因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业.对硅衬底上蒸发的Cr、Fe、Mn薄膜进行热处理,通过固相反应法(SPR)制备过渡金属硅化物薄膜,即经过对过渡金属硅化物(薄膜)/Si系统进行各种温度、不同时间的热处理,制备出各种过渡金属硅化物薄膜.对于制成的各种硅化物薄膜,用X射线衍射法(XRD)和软X射线发射分光光谱法(SXES)对它们的组成成分进行了分析和确认.并且,由这两种分析方法表明:各种过渡金属硅化物薄膜在硅衬底上各形成了单一相的均匀层硅化物薄膜.     

重力对植物细胞生长的效应

从地基研究植物向重性和在神舟八号卫星微重力条件下培养植物细胞出发,探讨重力变化对植物细胞发生作用时产生的生物学效应.已有结果显示,在植物向重性反应和处于失重状态时,重力方向和大小变化对细胞壁代谢具有一定影响.推断细胞形状的维持是由细胞壁的刚性与细胞内膨压平衡所致,当细胞膨压大于细胞壁刚性导致上述平衡打破时就会引起细胞体积增大.因此,重力的变化可能会通过影响植物细胞壁刚性与细胞内膨压的平衡影响细胞生长.      

Invar36合金端面铣削力研究

为了研究Invar36端铣过程中切削参数对切削力的影响规律,进行了切削力的单因素实验。对比分析了Invar36与0Cr18Ni9的切削力,研究了切削过程中切削力信号的产生及特征,并对加工过程中的动态切削力进行了频谱分析。分析了切削速度、每齿进给量和轴向切深对切削力的影响规律,建立了切削参数与切削力之间的数学模型。结果表明:刀具坐标系内的径向分力Fr表征了工件对刀具后刀面的挤压作用,单个切削周期内的切向铣削力Ft的峰值超前径向铣削力Fr的峰值。回归模型中的相关系数表明,切削参数对切削力影响的显著性依次为轴向切深、每齿进给量、切削速度。随着轴向切削力的增大,试件表层的Invar36晶粒扭曲程度更加明显,晶粒扭曲深度也随之加深。     

CMAS渗透下热障涂层界面失效分析

基于钙镁铝硅等氧化物（CMAS）渗透对热障涂层陶瓷层（TC）热/力性能的改变,考虑温度梯度作用下不同CMAS渗透深度及CMAS渗透下界面表面粗糙度对界面温度分布,热生长氧化物（TGO）厚度及界面应力行为的影响。结果表明: CMAS的渗透使陶瓷层的热导率增加,进一步导致界面温度升高、TGO的厚度增大、界面的应力状态更为严重。界面表面粗糙度的增长则导致界面波峰波谷处的温度差异增大,界面TGO不均匀生长,最终引起界面的应力分布发生变化。      

GH4169晶粒尺寸的双目标超声评价方法

针对仅以评价准确性为目标的多超声评价方法易失去单调可评价性这一问题,同时以准确性、单调性为优化目标,提出一种面向GH4169晶粒尺寸的双目标多超声参数评价方法。根据相关性准则选取多超声参数,并构建二次多项式评价关系模型;以平均绝对误差为准确性评价目标,以斯皮尔曼相关系数为单调性评价目标,构建以评价模型待定参数为决策变量的双目标优化问题,并利用多目标优化算法求解获得最终的超声评价模型。结果表明:该方法所确定的模型的偏差与相对误差分别为3.05%与10.69%,这表明其准确度及稳定性均显著优于其他模型。     

低剂量电离辐射环境下微生物群落物种多样性的产生和维持机制

空间站微生物严重滋生现象表明：在低剂量电离辐射（Low-Dose Ionizing Radiation,LDIR）环境下,微生物群落物种多样性水平大大增加,其机制目前尚不清楚。在前期调查和具体实验观测的基础上,本研究首次提出LDIR能够使微生物群落中的物种产生不同程度的生长延迟效应,从而减小了物种之间的竞争排斥,诱导并维持了微生物群落的物种多样性。本研究基于经典的Lotka-Volterra竞争模型,将生长延迟时间环节引入其中,得到LDIR下微生物群落的演替模型,在Matlab/Simulink平台上进行大规模的计算机仿真实验,获得LDIR下微生物多样性产生和维持的动力学机制,得到结果可为认识低剂量电离辐射环境下微生物群落的演替过程提供科学的理论依据。