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111.
本文提出了随机行距法抑制中高频误差的方法,理论分析了磁流变抛光固定行距法中高频误差的产生机理,通过仿真验证了随机行距法抑制磁流变抛光中高频误差的有效性,最后通过实验验证了该法的正确性。 相似文献
112.
研究了磁流变液中水含量对KDP工件表面粗糙度的影响;通过在磁流变液循环系统中控制磁流变液的参数,实现了去除函数的稳定,为修形工艺奠定了基础;在自研的KDMRF-200磁流变机床上进行修形实验,口径为Φ75mm的KDP工件面形精度由0.936λ(PV)收敛到0.321λ(PV),低频误差明显改善。 相似文献
113.
114.
针对KDP晶体质地软、脆性高、易潮解等不利于加工的材料特性,提出了基于潮解原理的无磨料非水基磁流变抛光新工艺,获得了表面粗糙度PV=13.7nm,Rms=1.1nm的超光滑表面。通过分析得出新型磁流变抛光通过溶解作用完成材料去除;实验证明新型液体抛光过程中,溶解作用占主导地位,机械去除作用很小,可忽略不计;去除效率随抛光区域剪切应力增大而增大,而正压力分布对去除效率没有影响。 相似文献
115.
116.
117.
倒置式磁流变抛光装置的设计与研究 总被引:2,自引:0,他引:2
针对大尺寸工件的抛光加工特点,设计了倒置式的磁流变抛光装置。详细阐述了符合磁流变抛光要求的磁场发生装置的设计原理,并对抛光区域磁场进行了理论分析、软件仿真和优化。 相似文献
118.
针对磨粒识别问题,建立了基于D-S证据理论的集成神经网络磨粒融合诊断方法.首先对特征参数进行优化分组,然后对每一组建立对应的分类子神经网络,分别采用径向基函数(RBF)神经网络和反向传播(BP)神经网络进行识别,得到初步的诊断结果,经过归一化后作为2组基本概率分配函数,最后运用D-S证据理论进行融合得到最终识别结果.算例分析表明,基于D-S证据法和集成神经网络的磨粒融合识别方法比单个诊断方法具有更高的准确性. 相似文献
119.
从理论上建立了离子束抛光中切向定位误差对加工残差影响的模型,分析发现了该误差对加工残差的影响与面形的梯度有关.特别地分析了定位误差对不同频率成份误差的影响规律,并进行了仿真研究,验证了残差大小与相对定位误差成正比这一结论.同时利用相对定位误差对残差影响理论,评价了KDIBF1600离子束抛光机的设计精度,机床设计精度满... 相似文献
120.