Prote199电路辅助设计逆向教学法的探索与实践

针对高职高专教育的培养目标，改革教学方法加强学生的实际动手能力就我校电子工程系的Prote199电路辅助设计的教学方法了初步的探索。     

火箭动态弯矩测量的频响特性分析

介绍了火箭动态弯矩测量的方法和原理,利用横向弯曲振动梁理论,首次推导了悬臂梁和自由梁的端面弯矩动态放大倍数表达式,对箭体结构偏保守地计算了不同边界条件的载荷动态放大倍数。动态弯矩测量的频响范围可达到100Hz,测量部段的壳体响应频率(约150Hz)不影响30Hz以下的截面载荷测量结果,箭体动态弯矩测量方法的频响特性满足测量要求。另外分析了箭体直径变化的影响,比较了箭体动态弯矩测量与风洞测力天平的异同。     

一种用戴维南定理分析含受控源电路的方法

本文探讨了一种用戴维南定理分析含受控漂电路的方法。指导思想是将受控源当作独立源,以便求等效电路,特别是求等效入端电阻较为方便。     

圆锥扫描地球敏感器前置放大电路稳定性分析

圆锥扫描地球敏感器（CES）是航天器的关键测量部件,其前置放大电路具有高增益、低噪声等特点.通过仿真分析得出电缆和器件参数差异显著影响其稳定性,在此基础上介绍电路稳定问题实例,提出采用频率补偿方法解决电路稳定性问题,并针对该方法设计和实施通过了标定测试、热真空试验和EMC试验,证明该方法完全有效.     

CMOS器件单粒子效应电荷收集机理

针对90 nm CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管与PMOS（Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管的单粒子瞬变（SET,Single Event Transient）电流脉冲,深入分析了PMOSFET（Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）与NMOSFET（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）发生单粒子效应时电荷输运过程和电荷收集机理.研究结果表明,由于电路耦合作用,反相器中晶体管的电荷收集与单个晶体管差异显著;反相器中PMOS晶体管电荷收集过程中存在寄生双极放大效应,NMOS晶体管中不存在寄生双极放大效应;由于双极放大效应,90 nm工艺下PMOS晶体管产生的SET电压脉冲比NMOS晶体管产生的电压脉冲持续时间更长,进而导致PMOS晶体管的SET效应更加敏感.研究结果为数字电路SET的精确建模、进行大规模集成电路SET效应模拟提供了参考依据.      

隔离Boost变换器用反激箝位的研究

隔离Boost变换器具有高频电气隔离、易于多路输出、输入电流纹波小、负戢短路时可靠性高等优点。但是由于变压器漏感存在,开关管关断时升压电感电流无法瞬时流入变压器,从而在开关管两端产生浪涌电压。本文通过增加一个与升压电感耦合的反激线圈和一个连接到输出电容的整流二板管,构成反激箝位电路。在开关管关断时,反激整流二级管导通,将升压电感中存储的部分能量传输到输出电容,从而限制了升压电感两端的电压,达到箝位的目的。文中研究了升压电感和反激线圈的匝比对反激箝位作用的影响。500W原理样机的实验结果显示,该电路起到了箝位作用,改善了元器件工作环境。     

旋转整流器式无刷励磁电路的动态特性分析

对旋转整流器式无刷励磁电路的动态特性进行了较深入的计算机数字仿真分析。比较了三相桥式整流和三相零式整流两种励磁电路的动态响应特性，得出换相电抗负载因素、励磁机和主发电机励磁绕组时间常数对动态响应时间的影响关系。这些关系的揭示对合理设计旋转整流器式无刷发电机参数，提高整体系统性能具有一定的指导意义。     

小波分析法在故障诊断中的应用

该文提出了一种基于模拟系统响应函数的故障诊断方法，并给出了容差情况下的仿真诊断例子。该方法无需被检测系统的数学模型，具有实时性好、自动化程度高、准确率高的特点。     

5MHz 正弦波—矩形波变换电路

在电子技术应用中,常需要把正弦波变换成方波和矩形波。为此,本人设计了一种非常简单、矩形波的占空比可任意调节、矩形波的上升时间和下降时间都小于23ns、波形不带任何毛刺的5MHz 正弦波一矩形波变换电路,如图所示。     

基于EDA技术的电路容差分析方法研究

论述了容差分析技术的基本原理,提出了以EDA(Electronic Design Automation,电子设计自动化)软件PSpice为基础进行电路容差分析设计的技术方案,详细阐述了蒙特卡罗分析、最坏情况分析的方法,研究了电路参数偏差、温度效应和退化效应等3个方面的容差分析,并以实例分析证明了该方案的可行性.