锑化物磁性半导体体材料研究

利用布里奇曼法进行GaMnSb磁性半导体生长,并对其结构、磁学及电学特性进行研究.在高Mn区域发现了室温铁磁性,而在低Mn区域只探测到抗磁信号.电学测量表明,两个区域的空穴浓度基本相当,说明观察到的磁学性能差异与载流子浓度无关.X射线能谱测试显示,高Mn区域的Mn组分分布不均匀,低Mn区域的Mn组分分布则相对更为均匀.此外,高Mn区域的饱和磁化强度仅为每Mn原子0.013μ_B,与理论值相差约两个数量级.X射线衍射谱的结果说明,高Mn区域有出现MnSb第二相的迹象.以上结果证实所观察到的室温铁磁性并不是GaMnSb的内禀特性.      

W 型钡铁氧体的研究进展

W型钡铁氧体具有吸波性能好、价格低廉的特点,因此,越来越引起广泛的重视和深入的研究。本文介绍了W型钡铁氧体BaMe2Fe16O27的主要制备方法,总结了Me为不同元素以及稀土离子掺杂时W型钡铁氧体的研究现状,展望了W型钡铁氧体未来的研究方向。     

Yb3+、Er3+共掺杂Sm2Zr2O7陶瓷导热性能研究

为探究在Sm₂Zr₂O₇中A位掺杂Yb³⁺和Er³⁺对其导热性能的影响,采用固相合成法制备(Sm_1–x–yYb_xEr_y)₂Zr₂O₇(x=0.05,0.1;y=0,0.1)陶瓷材料,并对其物相结构及热物理性能测试。研究发现,改性后的(Sm_1–x–yYb_xEr_y)₂Zr₂O₇陶瓷材料为立方烧绿石结构。由于质量差和半径差的变化,声子散射增强,平均自由程减小,热导率降低,在600℃下,(Sm_0.85Yb_0.05Er_0.1)₂Zr₂O₇的热导率为1.3 W/(m·K),Yb³⁺     

钛掺杂氧化镁薄膜二次电子发射倍增特性研究

氧化镁具有较高的二次电子发射系数,适合作为制备多级放大装置的二次电子发射材料。文章采用磁控溅射法制备高质量氧化镁薄膜和钛掺杂氧化镁薄膜,并对薄膜进行形貌表征,研究其二次电子发射倍增特性,包括氧化镁薄膜电子倍增器的增益特性以及增益衰减情况。结果表明:高压源电压和电流的增大均可提高电子倍增器的电流增益倍数;掺杂Ti不仅能提高电子倍增器的增益效能,且相比纯氧化镁薄膜,钛掺杂氧化镁薄膜的增益衰减明显放缓,能够将倍增器的寿命延长2倍以上。     

La3＋掺杂 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 Fe2 O4铁氧体的制备及微波吸收性能

采用溶胶-凝胶自蔓延法制备 La3＋掺杂 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 Fe2 O4,并研究不同掺杂量对样品微观结构、电磁参数及微波吸收性能的影响。通过 X 射线衍射仪、扫描电镜研究了样品的相结构和微观形貌,使用振动样品磁强计与矢量网络分析仪分别对样品的静态磁性能及在1～12GHz 的电磁参数进行了研究,并计算了不同厚度（3 mm、5 mm、8 mm）下材料的反射损耗。研究表明,适量掺杂 La3＋能够提高 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 Fe2 O4铁氧体的吸波性能,并使吸收频带向高频移动。其中样品 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 La0．04 Fe2 O4与石蜡混合厚度为5mm 时,最小反射损耗为－28．4dB,小于－10dB 带宽为3．7GHz。     

飞机座舱玻璃铌掺杂ITO镀膜工艺参数选择

对飞机座舱玻璃镀膜能够有效提高飞机的头向隐身性并能优化座舱光电性能参数。针对座舱玻璃铌掺杂ITO镀膜,重点研究参与溅射的靶材数目、氧气流量等工艺参数对其性能参数的影响规律。结果表明:参与溅射的靶材数目增加,方块电阻快速降低,之后下降斜率变小,趋于定值;透光率振荡变化,且当方块电阻大小稳定后逐渐变小。氧气流量增加时,方块电阻先减小后增加,当氧气流量大于6sccm时,方块电阻迅速增加,透光率振荡后降低。不同基底的铌掺杂ITO薄膜,其方块电阻和透光率变化不大,仅影响真空度等其他工艺过程。各工艺参数对薄膜颜色有一定的制约作用。     

ZrO2基热障涂层陶瓷材料研究进展

由于ZrO2基陶瓷材料在热障涂层上的广泛应用,本文综述了氧化物(一元、二元、多元)稳定ZrO2、MZrO3化合物及Ln2Zr2O7化合物的研究情况。结果指出氧化物稳定ZrO2在热障涂层上的应用空间已十分有限,随着航空发动机技术的发展,化学式为A32 B24 O7焦绿石结构的陶瓷材料有望替代YSZ,根据声子导热理论和晶体化学原理,用稀土元素离子对A32 B24 O7型陶瓷材料进行掺杂进一步降低其热导率,将为热障涂层技术应用开辟广阔的空间。该机理对MZrO3同样适用。     

金属离子掺杂与贵金属沉积对TiO2光催化性能的影响

采用溶胶-凝胶-浸渍法制备了掺杂La^3＋并沉积Pt的TiO2粉体光催化剂，考察了它对直接耐晒蓝的降解效果。结果表明，以TiO2干凝胶为母体，依次浸渍La^3＋、Pt^4＋所制备的粉体光催化剂La^3＋／Pt／TiO2降解效果比纯TiO2高80％，比相应的La^3＋/TiO2高36％，比Pt／TiO2高10．9％。X射线衍射分析表明，该法制备的TiO2粉体中锐钛矿相占95％以上，没有镧的氧化物形式，Pt以纳米级原子簇的形式沉积在La^3＋／TiO2表面，平均晶粒粒径为7nm，小于TiO2的平均粒径10nm；红外吸收光谱分析表明，无论是纯TiO2还是经过掺杂金属离子、掺杂与沉积贵金属共用后的TiO2，红外吸收光谱图相似，说明掺杂和沉积贵金属并没有极大地改变TiO2的化学结构，光催化性能的提高取决于杂质能级的电子捕获陷阱作用和光生载流子的重新分布。沉积贵金属有利于分离电子-空穴对，但沉积量不宜过大。     

掺杂锆再结晶石墨微观结构及其性能的影响

用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、锆粉作添加剂,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂锆再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加锆对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗折强度的影响以及微观结构的变化。实验结果表明,与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较,掺杂锆再结晶石墨的导热、导电以及力学性能均有较大的提高。当锆掺杂量为6wt%时,再结晶石墨电阻率有明显的降低;而当锆掺杂量超过6wt%时,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下,RG-Zr-12再结晶石墨的层面方向热导率可达410W/(m·K)。微观结构分析表明,随着锆掺杂量的增加,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸增大,晶面层间距降低。原料中掺杂锆量为12wt%时,再结晶石墨的石墨化度为97.7%,微晶参数La为475nm。XRD及SEM分析表明,锆元素在再结晶石墨中以碳化锆的形式存在。锆对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用液相转化机理来解释。     

掺杂SiO2气凝胶结构及其热学特性研究

以正硅酸四乙酯为硅源,钛白粉为红外遮光剂,通过溶胶－凝胶及超临界干燥过程制备了钛白粉掺杂ＳｉＯ２ 气凝胶。用透射电镜、扫描电镜以及孔径分布仪对其结构进行了表征,并用动态热线法对其热学特性进行了测试。结果表明： 钛白粉能较均匀的分散在ＳｉＯ２ 气凝胶中;掺杂ＳｉＯ２ 气凝胶的孔洞大小分布在５～７０ｎｍ ,峰值在２０ｎｍ 附近,组成ＳｉＯ２ 网络的胶体颗粒为５～１０ｎｍ ;随着钛白粉掺杂量的增加,掺杂ＳｉＯ２ 气凝胶的孔径分布峰高变矮,同时出现孔径为几纳米的微孔;热学测试结果显示钛白粉掺杂量为２０ｗ ｔ％ 的ＳｉＯ２ 气凝胶在常压、８３１Ｋ 时的热导率为０．０３５ｗ ｍ － １Ｋ－ １。