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311.
含Ni夹层SiCp/2014Al铝基复合材料扩散焊 总被引:1,自引:0,他引:1
利用中间添加Ni层,在610℃保温60min工艺成功实现了SiCp/2014Al铝基复合材料的真空扩散焊接.焊接之后利用金相显微镜(OP)、扫描电镜(SEM)、电子探针(EPMA)等对焊接接头进行分析.分析表明,Ni和Al之间相互扩散形成由金属间化合物构成的中间过渡层,主要由Ni3Al//NiAl//NiAl3组成.在理论上,计算出Ni和Al元素扩散浓度与焊接温度和保温时间之间的关系,以及元素的扩散距离与焊接参数之间的关系呈抛物线形变化. 相似文献
312.
释放不同化学物质对电离层扰动的比较 总被引:1,自引:2,他引:1
在电离层F区释放氢(H2)、水(H2O)、二氧化碳(CO2)、六氟化硫(SF6)、三氟溴甲烷(CF3Br)、羰基镍(Ni(CO)4)可以损耗局域等离子体电子密度,形成电子空洞,电离层电子密度的改变主要取决于释放物质的气态分子与电离层之间的离子化学反应.在电离层人工主动扰动实验中,应根据发射成本和扰动效果对释放物质进行选择.通过热力学原理和有限元模拟方法计算比较了上述6种物质对电离层的扰动影响.计算结果表明,6种物质中水的气化率最低,约为19%,其余5种物质都在60%以上,选择密度小的物质,例如H2和CO2,可以有效降低发射成本.另外,扩散较慢且化学反应较快的物质,例如SF6和Ni(CO)4,能够使得电离层电子密度减少得更多,并且受扰动区域更广、持续时间更长. 相似文献
313.
在电离层高度释放SF6气体能够显著扰动电离层.根据SF6分子在电离层中的扩散方程,同时考虑其在电离层中主要的离子化学反应,研究了SF6气体释放后电离层各粒子浓度的时空变化,计算了产生人工气辉的体发射系数和发射强度.结果表明,SF6气体在电离层高度释放后,电子和O+的密度均有大幅度下降,主要的负离子成分由电子转变成SF5-;在释放过程中,主要产生777.4 nm和135.6 nm两种气辉,且前者的气辉强度远小于后者;电离层温度对气辉的强度有很大的影响.本文的数值计算与美国IMS/SF6实验观测数据进行比较,结果近似,且通过数据比较还能准确推断出实验时当地的电离层温度. 相似文献
314.
采用反应扩散偶的方法,研究了Nb元素在a-Ti3 Al中的扩散行为.反应扩散偶经过120 h扩散退火,在高温(1 573 K)下生成了均匀的阶( Ti , Nb)扩散层;低温(1273,1 423 K)下生成不均匀的扩散区,相组成为Ti3Al( Nb) ,β-(Ti , Nb)及Nb2Al.采用Dayananda方法计算了体系的扩散系数,即根据一个扩散偶的浓度分布曲线计算体系的扩散系数.采用平均扩散系数来表征体系的扩散系数,得出扩散模型和相关扩散机理.结果表明:Ti和A1的主扩散系数比Nb的主扩散系数大5个数量级;Ti的主扩散系数是Al的2倍.Nb通过占据Ti的空位进行扩散,Nb的掺入阻碍了Ti元素扩散,从而提高了a-Tip A1体系的高温抗氧化性能 相似文献
315.
采用反应扩散偶的方法,研究了Nb元素在α-Ti3Al中的扩散行为.反应扩散偶经过120 h扩散退火,在高温(1 573 K)下生成了均匀的β-(Ti,Nb)扩散层;低温(1 273,1 423 K)下生成不均匀的扩散区,相组成为Ti3Al(Nb),β-(Ti,Nb)及Nb2Al.采用Dayananda方法计算了体系的扩散系数,即根据一个扩散偶的浓度分布曲线计算体系的扩散系数.采用平均扩散系数来表征体系的扩散系数,得出扩散模型和相关扩散机理.结果表明:Ti和Al的主扩散系数比Nb的主扩散系数大5个数量级;Ti的主扩散系数约是Al的2倍.Nb通过占据Ti的空位进行扩散,Nb的掺入阻碍了Ti元素扩散,从而提高了α-Ti3Al体系的高温抗氧化性能. 相似文献
316.
317.
318.
宁立芹%梁德彬%李海刚%毛建英 《宇航材料工艺》2008,38(2):72-75
采用TiZrNiCu非晶态箔状钎料过渡液相(TLP)扩散连接Ti3Al基金属问化合物,通过对接头的力学性能及微观结构的分析,研究了中间层合金TiZrNiCu中Zr元素对Ti3Al基金属间化合物,TLP扩散连接接头组织和性能的影响规律和机理.结果表明,在连接工艺相同条件下,随着中间层合金中添加元素Zr含量减小,Ti3Al基TLP扩散焊接头强度增大;通过延长后续扩散处理时间,可以减小Zr元素对接头组织性能的不利影响. 相似文献
319.
无论点源或面源都位于建筑物(群)中,被它释放出的污染物的稀释扩散主要受建筑物(群)的绕流流场支配。根据(流场、风洞)实验确立建筑物(群)附近的污染浓度公式及其周围污染源排放的污染物的扩散规律是可行的。 相似文献
320.