让通航成为新一轮改革开放的“试验田”

<正>2013年是我国新一轮改革开放的元年。十八届三中全会关于全面深化改革的决定,将从广度和深度上推进我国市场化改革进程。作为当前我国交通运输业中唯一没有充分开放与开发的产业,我国通用航空产业缺乏创新发展良好的制度环境,改革空间巨大。在此新契机下,通用航空产业的各类主体都应更加深入地思考如何推进通用航空产业的改革与创新,让通用航空成为新一轮改革开放的"试验田"。     

浅析民用机场竞争战略的制定

<正>竞争战略是企业战略中的业务层次战略,主要是指为了获得市场竞争优势,以便在市场上处于比较有利的竞争地位,与竞争对手相比,获得更大市场份额和更好经济效益,所做的长远谋划和指导策略。美国著名管理大师彼得·德鲁克曾指出:"对企业而言,未来至关重要,经营战略使企业为明天而战。"随着经济全球化趋势的蔓延,技术的同源、产品的同质、信息的共享,企业间的竞争愈演愈烈,驱动企业发展更趋集中在竞争战略的高下及其手段的优     

卫星在轨抗辐照总剂量数据拟合及其应用

卫星在轨抗辐照总剂量数据是空间电子设备抗辐照校核以及加固设计的依据.用查表法进行抗辐照校核计算时,对于数据表中已有数据点可以精确计算,未知数据点无法精确分析.为进一步提高空间电子设备抗辐照校核计算的精度,同时为辐照特敏感器件选用提供依据,提高产品在轨可靠性.采用分段数据拟合的方法进行了多个型号在轨抗辐照总剂量数据的研究,以中位数为分界点将数据分成前后两部分,前半部分采用分段二次函数拟合,后半部分采用指数函数拟合,拟合精度高,相对误差小于4％,能够满足工程设计的需要.该方法已用于多个在轨型号的抗辐照校核计算,对于提高空间电子设备的可靠性具有积极意义.     

航天电子信息产品工艺总方案编制

本文针对航天电子信息产品工艺总方案编制中模板不统一、针对性不强、制造风险识别不充分的问题，提出工艺总方案编制应涵盖产品结构、性能和工艺特点，生产线的建立及调整分工原则，零、部（组）、整件的互换协调原则，配套产品厂际互换协调原则，工艺文件的编制与验证原则，采用新工艺、新技术、新材料的项目及实施途径，主要检测、试验项目及实施方案，工艺质量保证措施等方面的内容，并细化描述每个要点，保证工艺总方案有效识别出产品制造过程的质量风险，满足产品设计和生产的质量要求。     

一种抗辐照加固高压DAC的设计

高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等.通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、NMOS管环栅设计、栅氧工艺优化等方法,而很少分析辐照条件下,电压和电路结构对MOS管阈值和漏电的影响.文章对总剂量辐照条件下,不同电压对MOS器件阈值和漏电的作用进行综合分析;重点研究了M...     

液氙加注过程中贮箱充填率影响因素分析

液氙在加注过程中可能会出现相变进而降低贮箱的充填率，因此需要了解贮箱充填率的影响因素。采用零维集总参数模型对液氙加注系统进行建模和仿真。基于AMESim计算液氮无排气加注过程中贮箱的充填率，其与文献中的实验结果接近。同时，基于AMESim搭建液氙加注系统，计算不同入口过冷度、入口压强、壁面温度和热流量条件下贮箱的充填率。结果表明，在相同加注时间条件下，提升入口过冷度、增加入口压强可以提升贮箱的充填率，而管路和贮箱受热会降低贮箱的充填率。      

太阳活动下降年昆明地区TEC变化特征与IRI-2020模拟比较分析

利用昆明低纬度测站（24.7°N,102.9°E，磁纬15.1°N）2016-2019年的观测数据和最新版的国际参考电离层（IRI-2020）模拟结果，对昆明地区电离层总电子含量（TEC）在太阳活动下降年期间的变化特征及与模型输出进行对比研究。结果表明,昆明TEC存在明显的春秋高值、夏冬低值的半年异常；白天高值、夜间低值的日变化特点突出，日峰值出现在06:30-08:00 UT（约13:00-15:00 LT）;TEC随太阳活动减弱而明显下降，年平均峰值在2016-2019年分别为48,33,27,24 TECU；日峰值TEC与F10.7存在显著相关，月均值相关系数达到0.86，而与Ap指数则表现为弱相关；IRI-2020能较好地模拟昆明地区TEC的季节变化，但与观测值存在较大差异；均方根偏差值多集中在2～15 TECU，相对偏差百分比值主要在–85%～50%范围变化。对比结果表明IRI-2020的预测精度仍有待提高。     

一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计

由于γ射线对SiO2的电离作用，会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化，负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时，实现稳定基准和低漏电开关是个难点，通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图，但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理，并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路，同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后，通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析，高压ADC在50krad（Si）总剂量条件下仍能达到设计要求。