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601.
602.
带前缘小翼的扇翼翼型气动特性数值模拟分析 总被引:1,自引:1,他引:0
扇翼升力和推力的产生主要依靠翼型前缘弧形槽上方低压涡的形成,使得升力和推力具有较强的耦合关系,如何对其解耦控制是扇翼进一步工程应用的关键。对于扇翼翼型各项几何参数确定的情况下,前缘开口角的大小对扇翼气动性能的影响最大。因此考虑在基准扇翼翼型的前缘安装前缘小翼的方法来改变扇翼前缘开口角的大小,通过数值模拟的方法,对比分析了单片、双片和三片前缘小翼在不同前缘小翼偏转角、来流速度、迎角下对扇翼升力和推力的影响规律。结果表明:通过对前缘小翼偏转角的角度控制不仅仅可以改善扇翼的升力和推力,还可对低压涡的强度和位置进行控制,满足对扇翼气动力的主动控制要求,因而可实现对扇翼飞行器姿态进行操控的目的。 相似文献
603.
针对航天器末端拦截博弈问题,基于微分对策理论研究了各星的博弈策略。根据拦截空间是否具有防御器将博弈态势分为双星博弈和三星博弈。首先考虑拦截器与目标的双星博弈态势,以终端脱靶量为指标设计了相对博弈策略,并提出时间分析方程以提高策略对不同拦截态势的自适应性。然后,考虑具有防御器的三星博弈态势,提出了博弈切换策略将其化为分段双星博弈,并将双边时间方程扩展到三星博弈中,使拦截器在不被防御器反拦截的情况下,实现对目标的快速拦截。最后仿真分析了博弈策略与时间分析方程对航天器拦截博弈问题的有效性。 相似文献
604.
姿控发动机热防护研究 总被引:2,自引:1,他引:1
经分析,某运载火箭定向姿控发动机所在环境的主要热源为游机喷管辐射、游机燃气羽流辐射、涡轮废气管辐射等。计算得出各受热危险部位所接受的辐射热流,依据热流值提出了对辐射热流较大的地方采取隔热材料包覆的热防护方案,并对热防护方案进行数值仿真和试验验证,试验值与仿真结果接近。 相似文献
605.
姿控发动机减压阀出口压力偏差计算方法研究 总被引:2,自引:1,他引:1
减压阀出口压力偏差对姿控发动机的性能有较大影响,通常所采用的小偏差分析方法因不能有效分离非调整工况下工况偏离和其它干扰因素对发动机性能的相互影响,所计算的减压阀出口压力范围误差较大。本文提出了将工作工况作为影响发动机性能的一项干扰因素,基于姿控发动机系统静态模型,应用系统压力平衡原理计算发动机各工况下干扰因素影响系数的方法,根据计算结果采用随机误差分析方法确定了减压阀的出口压力偏差范围,所得结果符合发动机性能要求。 相似文献
606.
607.
常温居里点陶瓷基正温度系数材料在常温段热控领域具有广阔应用前景,但其存在低温区电阻率过大的问题。基于此,以Ba0.64Sr0.36TiO3为基体并采用固相烧结工艺,研制出低温区电阻率为800Ω·cm的常温居里点PTC材料,分别利用实验和仿真手段对其温控性能进行研究。结果表明:在低温、低电压工况下,该材料可将受控体温度迅速维持在25.6℃附近,而其他加热元件控制温度均偏离常温。该材料热控响应时间少于其他加热元件的50%。在-5~5℃的周期性变化环境中,该材料控温波动幅度最小,只有2.1℃。在真实低温环境下,该材料能将受控体温度快速升至约22.3℃,在12 h内温度波动不到2℃,有效抑制了外界环境对热控过程的干扰。 相似文献
608.
研究了追踪航天器逼近无控旋转目标航天器的安全制导问题,逼近过程中,追踪航天器需要躲避空间中的障碍物,同时需要避免与目标航天器的太阳能电池帆板和天线等附件发生碰撞。建立了视线坐标系下的两航天器间的相对运动方程,采用四元数描述目标航天器的姿态运动。将参考位置设为引力源,设计了吸引势函数。针对安全逼近问题,建立了球面安全区和锥面安全走廊,设计了安全势函数。将障碍物假设为具有一定半径的球体,设计了障碍物势函数。吸引势函数、安全势函数和障碍物势函数一起组成了混合势函数。为了解决整个势场中除参考位置外还可能存在其他局部极小点问题,对混合势函数进行了修正,保证参考位置位于混合势函数的最低点。利用Lyapunov稳定性理论对混合势函数进行了稳定性分析,推得符合要求的控制加速度,使追踪航天器沿着混合势函数的负梯度方向逼近无控旋转目标航天器。最后通过数值仿真验证了该方法的有效性。 相似文献
609.
针对某型雷达频率综合器故障高、返修率大等问题,开展频率综合器修理研究。首先依据频率综合器的工作原理,研究此模块在不同工作模式下的失效机理,在此基础上结合故障分析提出了频率综合器性能改进方案。研究结果表明,在现有成熟的集成混合芯片基础上重新设计后再进行模块级替代,可使频率综合器产品的可靠性进一步增强。 相似文献
610.
利用皮秒脉冲激光单粒子效应试验装置研究了一款宇航级Flash芯片的电流“尖峰”(HCS)现象。利用激光准确定位的特点,确定电流“尖峰”是由芯片的电荷泵单元充放电引起的,不同的激光能量、入射位置会触发不同频率、相同幅值的电流“尖峰”现象,虽然电流“尖峰”发生的瞬间电流增大的现象与单粒子锁定效应表现一致,但机理完全不同。当激光能量足够高(对应于重离子LET值99.8 MeV·cm2/mg)时,在电荷泵的同一个敏感位置累积多次辐照不断触发芯片发生电流“尖峰”,芯片会因多次充放电而损坏。 相似文献