管内单相流强迫对流湍流传热关联式研究

管内单相流强迫对流湍流传热广泛应用于各个工业领域。目前有很多管内单相流强迫对流湍流传热关联式,需要对其计算精度进行评价分析,便于选用。本文通过试验,获得了46组R134a在水平圆铜管内的单相流强迫对流湍流传热数据,从23篇文献中收集了1220组试验数据,建立了一个含有1266组数据的管内单相流强迫对流湍流传热试验数据库。用这个数据库对14个现有管内单相流强迫对流湍流传热关联式进行了评价分析,鉴别出了预测精度高的关联式,为管内单相流强迫对流湍流传热关联式的选用提供了依据。     

复合材料圆锥壳体的位移型方程

本文在线弹性理论基础上,采用Donnell型扁壳小变形理论,利用最小势能原理,建立了在任意载荷作用下复合材料截顶圆锥壳体的位移型方程。考虑了最一般的弯曲拉伸耦合效应。对于一些特殊情况,给出了相应的简化方程。算例表明,本文新理论预示值与实验结果相当吻合。     

变截面梁的变矩和位移计算法

变截面梁的控制方程为变线数微分方程,一般只能用各种近似方法求解,而且比较复杂。对于梁式构件,本文不求解变系数方程,而是用力法,在力法方程中,主、副系数和自由项的莫尔积分使用积分表,可以方便而且精确地求出变截面梁的弯矩和位移。     

纳米力学测试系统位移传感器校准装置

介绍了用激光干涉方法对纳米力学测试系统位移传感器进行校准的方法,并建立了校准装置;采用平衡式光学系统设计,干涉系统的抗干扰能力得到了显著提高,通过零位移测量实验对装置的稳定性进行了验证;用校准装置对TriboIndenter纳米力学测试系统的位移传感器进行了校准实验,测量不确定度分析结果表明该系统测量压头位移的准确度可以达到纳米量级。     

基于单颗粒追踪法研究聚氧化乙烯溶液的微流变特性

基于单颗粒追踪方法研究了不同温度与浓度下聚氧化乙烯（PEO）溶液的微观流变特性。根据广义Stokes-Einstein关系及复杂流体黏弹性理论,利用颗粒追踪技术,对浓度为0.4 wt%~1.0 wt%的PEO溶液在25℃、35℃和45℃时的微观流变特性进行了测量和分析。研究结果表明,随着被测溶液浓度的增加,探针颗粒的布朗运动受限趋势增大,其中浓度为1.0 wt%的PEO溶液在25℃时布朗运动受限最为显著。黏弹特性模量求解结果表明：在实验条件下,PEO溶液的黏性模量（G\"（ω））占主导而弹性模量（G'（ω））表现较弱;在相同温度下,黏弹性模量随着溶液浓度上升而增大;随着温度的升高,溶液弹性模量和黏性模量都呈现减小趋势,且弹性模量减小速率大于黏性模量减小速率。均方位移标准差分析表明,基于单颗粒追踪的微流变测量误差随追踪时间的增加呈增大趋势。

     

开口圆环过盈联接力学分析

利用能量原理对过盈联接的开口圆环力学模型进行研究,求得开口圆环开口端张开位移的计算公式,分析开口圆环过盈联接的弹力和正应力。数值算例分析了开口圆环与不同外径缸套过盈联接的弹力和最大正应力。结果表明:开口圆环过盈联接的弹力和最大正应力随圆环开口角度和缸套外径的增大而增大,但缸套外径对其有更大影响;为开口圆环的设计提供一定的理论依据。     

无人机载光电平台无角位移减振器研究进展

论述了无人机光电平台无角位移减振器的研究现状及发展趋势,对多种现有减振器做了简要的分析,并着重提出了高精度小型化无角位移减振器的研制思路.     

压气机转子错频叶盘结构振动响应分析

利用三维叶轮机械气动弹性分析软件AEAS,对某压气机转子错频叶盘结构进行了振动响应分析,比较了各计算参数、错频量对数值仿真精度和效率的影响。结果表明,谐响应分析和瞬态响应分析,可得到错频叶盘结构各叶片的瞬态位移或动应力响应,进而获得各叶片的位移放大因子。通过研究错频对叶盘结构振动响应的影响,可指导错频叶盘的结构设计,并为降低由失谐导致的航空发动机叶盘结构高循环疲劳失效提供依据。     

可收放状态下起落架支柱压缩量实测方法

介绍了一种在能收放起落架的飞行情况下，测量前、主起落架支柱压缩量的方法。该方法在国内属首次．并在飞豹飞机载荷谱实测中得到成功应用。文中介绍了具体的方法，并提出了改进的建议。该方法对其他飞机同时进行机体飞行载荷谱与起落架载荷谱的测量具有参考价值。     

AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展

氮化镓（GaN）基异质结材料以其宽禁带、耐高温、高击穿电压以及优异的抗辐射性能成为航天领域半导体材料的研究和应用热点。而基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）因其制备过程带来的缺陷和损伤,性能将受到空间辐射的严峻挑战。文章对空间辐射环境下AlGaN/GaN HEMT的辐射机理和效应进行梳理;针对低中地球轨道以质子为主的辐射环境,对不同能量和注量的质子辐照对AlGaN/GaN HEMT的效应进行系统分析。鉴于从压电极化角度分析AlGaN/GaN HEMT的质子辐射效应存在欠缺,且不同能量和注量的质子辐照对器件的影响不同,提出后续应开展AlGaN/GaN HEMT辐射损伤机制、不同轨道辐射环境模拟以及质子辐照对AlGaN/GaN HEMT宏观特性影响研究。