一种减小PFC变换器电容规格的方法

常规的由Boost和DC/DC变换器级联构成的两级式PFC变换器,在Boost电路输出端要接高耐压等级的电解电容作为储能电容,不仅体积大、价格高,而且寿命短,为此本文研究了一种低压输出的Boost/半桥组合式软开关谐振PFC变换器。该变换器利用半桥电路输出端的低压电解电容平衡瞬时功率,Boost电路输出端电容与变压器漏感谐振,并不大量储能,由此减小了Boost电路电容的规格,提高了工作可靠性。讨论了该变换器的控制策略,前后级共用一套控制电路,实现功率管的软开关和能量的传递。分析了降低电容容值的可行性,指出采用小容值非电解电容替代Boost电路输出端的大容量电解电容后,变换器具有良好的性能。给出了Boost和半桥电路输出端电容的设计方法,进行了实验验证。     

输出误差函数的交-交矩阵变换器数字PWM调制技术

针对矩阵变换器调制方式的特点，提出了基于输出电压误差函数分析的矩阵变换器离散调制技术，推导了基于时间离散和差分原理的电路方程。根据最小误差函数确定矩阵变换器开关模式，实现了系统闭环控制时开关状态的优化组合。利用α-β平面内的空间矢量描述开关组合状态，使得误差函数的计算工作量小、过程简单，易于实现。数字仿真和实验结果验证了时间离散调制技术的正确性和控制方法的可行性。     

VO2薄膜制备工艺及电阻开关特性研究

用溶胶－凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜，经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2－3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过XRD（X－ray diffraction)和XPS（X－ray photoelectron spectroscopy）对薄膜的结构和价态进行分析，表明用溶胶－凝胶法制图VO2膜工艺简单，重复性好。     

空空导弹敏捷转弯反作用喷气控制研究

为了提高近距空空导弹离轴发射和攻击载机后半球目标的能力,在俯仰平面内研究了使用反作用喷气控制空空导弹敏捷转弯的问题.为了实现导弹的敏捷转弯,提出了通过控制导弹姿态来控制导弹速度方向的方法,从理论上证明了该方法的可行性.考虑到反作用喷气输入的开关特性,使用滑动模态方法设计了导弹的姿态控制系统,滑动模态可达的一个充分条件为反作用喷气提供的可控力矩不小于导弹的最大气动俯仰力矩.反馈增益可以通过非线性仿真或者优化来选择.非线性仿真的结果再次表明本文提出的转弯方法的可行性,同时也表明了滑动模态姿态控制方法的有效性.      

无轴承开关磁阻电机拓扑及解耦机理分析

无轴承开关 磁阻电机（Bearingless switched reluctance motor ,BSRM）是一个多变量、非线性且强 耦合的复杂系统。为提高悬浮精度和发挥电机性能,需提升悬浮电流的跟踪及斩波控制水平 ,以及实现转矩与悬浮力的解耦控制,发展结构上具有自解耦功能的新型BSRM拓扑是解决该 问题的有效手段之一。根据现有BSRM转矩与悬浮力的解耦机理和构造特点,对结构上可解耦 的BSRM拓扑进行了归纳与分类,并对每种电机的结构、运行机理及优缺点进行了解析。有别 于现有电机结构,分别提出了双凸定子齿BSRM、宽转子齿BSRM、复合结构BSRM、锥形结构BS RM等4类具有自解耦特性的新型拓扑,并衍生出了每类结构下的不同实现形式,从而进一步 拓展无轴承电机的悬浮理论与应用范围。结合每类结构自身特点,构建与之相适应的运行模 式,以实现旋转和悬浮功能的解耦,从而强化其解耦应用特色。简要分析每种电机转矩和悬 浮力在结构上自解耦的机理,并利用有限元仿真验证其可行性。     

无线电高度表信号模拟器射频信号延时/衰减模块设计

无线电高度表程控信号模拟器是无线电高度表自动测试系统（ATE,ATS）的重要组成部分,而射频信号延时/衰减模块则是无线电高度表程控信号模拟器3个功能模块组件中的核心模块。研制了一种采用声表面波（SAW）延迟线作为射频信号延时器件、射频衰减器作为射频信号功率衰减器件,通过程控射频开关控制不同声表面波延迟线的切换,包含射频信号变频、放大等结构电路的无线电高度表信号模拟器射频信号延时/衰减模块。经无线电高度表自动测试系统的实际工程应用表明,该无线电高度表射频信号延时/衰减模块对C波段（4.2～4.4 GHz）射频调制信号的延时精度高、衰减范围大,体小、质轻,适合置于无线电高度表测试适配器内部使用,具有较高的工程应用价值。     

基于ANSYS的同面多电极电容传感器仿真研究

同面多电极电容传感器是一种新的飞机复合材料构件损伤检测技术,该检测技术的正问题中敏感场分布函数的计算要涉及到静电场中电容计算问题。在仿真研究中,电容要通过场的数值计算方法来求得。本文介绍了如何使用ANSYS有限元分析计算同面多电极电容传感器中的各电极对之间的电容,对检测材料发生异常及传感器参数改变时电容的变化进行了分析,为损伤检测的特征提取和逆问题图像重构提供了仿真数据。     

注F的MOS电容电高辐射效应研究

对干氧栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳ电容进行了γ射线辐照试验，研究了不同注Ｆ剂量的ＭＯＳ电容电离辐射响应特征。结果表明，注Ｆ能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态，最佳抑制效果的Ｆ注入剂量范围是５×１０１４～２×１０１６Ｆ／ｃｍ２，且受注Ｆ工艺条件制约，少量或过量的Ｆ注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测Ｆ在Ｓｉ／ＳｉＯ２界面和ＳｉＯ２中的行为将直接影响ＭＯＳ器件的辐照性能。而Ｆ的行为依赖于Ｆ的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。     

改善开关磁阻ISG性能的控制策略研究

 针对宽转速范围开关磁阻ISG 的起动转矩平稳性差和发电性能不理想, 提出用TMS302C31 和CPLD 协调工作以改善开关磁阻ISG 性能的控制思路, 给出了起动和发电状态详细的CPLD 时序控制逻辑仿真图、绕组相电流波形仿真图和原理样机实测波形图; 讨论了I SG 在典型状态的DSP 的控制策略框图, 试验结果表明, 发电状态在4 倍负载突加、2 倍突卸条件下, 其稳态和瞬态性能仍满足MIL-STD-704E 标准。     

10kV IGBT固态脉冲调制器技术研究

描述了一种用于材料表面改性的新技术--等离子体浸泡式离子注入,以及它的关键设备--高压脉冲调制器.我们研制了1台用于材料表面改性的光纤隔离同步控制的10 kV IGBT固态脉冲调制器.试验结果表明技术性能优良,输出电压幅值可在1～10 kV范围内调节,脉冲宽度可在2～100μs范围内改变,重复频率可在10 Hz～8.5 kHz范围内变化;在纯阻性负载时,注入电压波形的上升时间和下降时间分别为350 ns和1.64μs;在等离子体负载时,由于电缆电容和下拉电阻较大,上升时间增加到2μs,下降时间增加到30μs;如果减小电缆电容和下拉电阻,上升时间可以进一步减小,下降时间可以减小到15μs.