工艺参数对砂布轮柔性抛光力影响规律的分析

为了掌握砂布轮抛光工艺参数对抛光力的影响规律,提高抛光质量,设计了四因素三水平正交试验,利用试验结果建立了抛光力预测模型,验证了模型的显著性;分析了工艺参数对抛光力耦合影响规律,结果表明：抛光力随砂布轮初始半径和粒度的减小而增大,随转速和压缩量的增大而增大;对叶片进气边的抛光实验效果表明：通过控制压缩量可以获得稳定的抛光力,进而获得理想的抛光效果。     

基于制造特征的三轴高速铣削数控自动编程技术

运用面向对象技术,描述了待加工件的制造特征.利用模糊最大隶属原则,实现了加工区域几何制造特征的识别.以高速加工工艺数据库和范例库为支撑,采用IFTHEN规则和模糊匹配方法,提取出了适合高速铣削加工的工艺信息.提出了以切削时间短、加工成本低、表面质量高为目标的工艺方案寻优模型,该模型有助于形成成功的加工范例.依据已有加工范例和提取的工艺信息,实现了3轴高速铣削加工的自动编程.     

旋转摩擦挤压合金化制备Ti-Al金属间化合物工艺研究

采用显微硬度(HV)和X射线衍射(XRD)分析了旋转摩擦挤压合金化制备的Ti-Al金属间化合物.结果表明:通过旋转摩擦挤压法可制备出Al3Ti相Ti-Al金属间化合物;当搅拌棒的旋转速度为750r/min时,可提高Ti的反应程度,有利于反应的进行,并可获得成分分布均匀的Ti-Al金属间化合物.经过750r/min、23.5mm/min的旋转摩擦挤压5道次后,Ti的反应程度达78.96%,合金化区域的平均显微硬度在90HV左右.     

飞机生产中产生不协调问题的原因及解决办法

根据笔者多年来从事工艺技术的经验，总结了在飞机生产中，由于协调路线设计不合理、铆接装配变形、温度影响、在重量作用下引起的变形以及误差积累所产生的不协调问题，并结合具体的实例对上述不协调问题产生的原因提出了解决的办法。     

并行集成式工艺设计系统的研究

计算机辅助工艺设计（ＣＡＰＰ）在计算机集成制造（ＣＩＭ）中起着关键的作用，并行工程既是ＣＩＭＳ从信息集成到功能集成的主要方法，又是这类复杂系统的全局优化方法。本文基于并行工程思想，研究和探讨了并行集成式工艺设计模型，它是一个实用化ＣＡＰＰ系统的新模型，不仅能利用设计信息进行初步工艺设计，而且能根据车间环境的状态，充分利用制造工艺和车间环境的柔性产生优化的工艺方案。它是采用分层工艺规划的方法来实现的。系统模型由三个层次组成，即初步规划层，决策层和详细规划层。文中最后还讨论了实现并行集成式工艺设计系统的关键技术。     

SiCp／Al电子封装复合材料预制坯的制备

文章研究了粘结剂的含量、成型压力和烧结工艺对SiCp预制坯性能的影响规律,结果表明:随着粘结剂含量的增加,预制坯中SiC颗粒的体积分数越来越小,抗压强度在粘结剂含量为30%时达到最大,随后缓慢下降;成形压力在10-25MPa之间时,随着成型压力的增大,预制坯中SiC颗粒的体积分数越来越大,其抗压强度也越来越大;在800℃以下烧结时,随着烧结温度的提高,预制坯中SiC颗粒的体积分数变得越来越小,但在800℃以后没有明显的变化,预制坯的抗压强度随着烧结温度的提高而增大,在1100℃时,效果最好。     

应用于陶瓷试件的胶粘剂粘贴强度研究

陶瓷试验件在800℃以上快速升温过程中,对粘贴温度传感器的胶粘剂剥离试件现象进行研究。首先从接触角入手,阐述试验用高温胶粘剂在陶瓷试件表面进行粘贴的前提条件是胶粘剂与被粘贴物表面的接触角θ范围为0°≤θ90°;对实际中陶瓷试件表面的粗糙化处理影响胶粘剂粘贴强度进行了理论和试验分析,说明对试件表面适当粗糙化处理提高了粘贴强度并减小了接触角;最后对高温胶粘剂在高温固化过程中的加压工艺改进进行说明,并进行了试验,试验结果表明工艺改进改善了试验过程中的胶粘剂剥离问题。     

碳纤维复合材料高质量制孔工艺

制孔质量是导致碳纤维复合材料产品报废的重要因素.本文从机械加工的角度,论述了碳纤维复材产品制孔工艺过程中的主要缺陷及其形成机理.为解决这些缺陷,根据其形成机理,设计了相关对比工艺试验.在试验验证的基础上,提出了碳纤维复合材料高质量制孔的工艺参数.     

铝合金薄蒙皮零件成形工艺

通过分析铝合金薄蒙皮零件的结构及其成形工艺特点,拟定针对性工艺措施,设计了合理的模具结构,实现了该类零件在橡皮囊液压成形机上的液压成形。     

130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究

针对130 nm体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态（SET）的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET脉宽特性受激光能量、重离子线性能量传递（LET）值、PMOS管栅长尺寸等因素的影响机制。重离子和脉冲激光实验结果类似,均表现为随激光能量、LET值的增加,电路被辐射诱发的SET脉宽逐步增大,且表现出明显的双（多）峰分布趋势,但辐射诱发的SET脉冲个数呈先增加再减少规律。此外,实验结果表明,在不同激光能量、LET值下,PMOS管栅长尺寸影响反相器链SET脉冲的特征不同。当激光能量、LET值较低时,PMOS管栅长尺寸大的电路产生的SET脉宽较大,而当激光能量、LET值较大时,PMOS管栅长尺寸小的电路反而产生更宽的SET脉冲。分析表明,较高激光能量、LET辐照时,寄生双极放大效应被触发可能是导致PMOS管栅长尺寸影响电路SET特征差异的主要原因。