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371.
航天器有效载荷设备之间高速率数据信号通过LVDS电缆进行传输,LVDS(低压差分信号)电缆的EMC特性对系统产生直接影响。LVDS电缆采用Pro/e软件进行三维设计和建模,通过电缆三维模型嵌入EMC软件的接口研究,摸索一套模型导出、重建、剖分和创建等的行之有效地方法。接口研究开创了LVDS电缆三维模型与EMC 软件接口从无到有的先河,初步搭建了Pro/e三维设计软件与系统级电磁仿真软件的桥梁。通过对航天器LVDS电缆在整星上布局的优化和EMC特性的分析,有力保障了航天器载荷可传输优质的图像质量。  相似文献   
372.
论述了屏蔽暗室电场辐射干扰测试中天线系数几个基本校准方法的原理;指出了现有某些规范中校准方法的不足,提出了一种新的供屏蔽暗室使用的校准方法——接收天线多维校准法.  相似文献   
373.
数据采集技术在叶轮机械实验中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍某压气机实验台建设中的测控方案。对于数据采集过程中的各种压力信号,提出了适用于叶轮机械稳态特性采集的经济性方案。针对各种动态干扰噪音,详细分析了噪声源的产生及其干扰方式,发展了利用采集技术判断干扰源的方法,并采取了具有针对性的抗干扰措施。为后续实验的进一步展开奠定了基础。   相似文献   
374.
文中提出了一种配接SMA型射频同轴连接器的电缆组件。通过共面补偿优化设计以及对装配过程中影响电缆组件电性能指标的关键因素进行分析,设计了SMA型射频连接器,并配接射频电缆加工了电缆组件。在整个工作频段(0.01~18)GHz,测试的电缆组件电压驻波比VSWR电缆组件<1.12,通过计算,单个连接器电压驻波比VSWR连接器<1.06。所提出的配接SMA型射频连接器电缆组件的电压驻波比性能较常见的同类电缆组件有明显改进。电缆组件的测试结果与仿真结果具有较好的一致性,验证了设计的有效性。  相似文献   
375.
雨丝 《太空探索》2014,(8):56-56
近日,美国国防预先研究计划局(DARPA)发布屏蔽拒止防御系统(BlockADE)项目信息征询书(RFI),该项目旨在研发新型屏蔽拒止系统(BlockADE),无需人工干预即可自动膨胀为大型结构(如网、墙、阻断物、栅栏等),可在一定距离之外留出空间或形成一个难以接近的安全区域,其潜在应用价值十分可观,如缓冲武器弹药的攻击或为灾民提供临时建筑等。  相似文献   
376.
航天器电缆网测试方法探索   总被引:2,自引:0,他引:2  
对航天器电缆网的特点、测试原理进行了详细的论述,并据此提出了电缆网测试仪应具备的功能及其亟待解决的问题。  相似文献   
377.
用溶液法在ITO玻璃上依次沉积了稀硫酸掺杂聚苯胺(PANI)膜和聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜,利用SEM和FTIR对两种薄膜的表面形貌及分子链基团结构进行了分析,讨论了薄膜的电导率和电化学性能.结果表明:聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜有较理想的物理化学性能,电化学性稳定,循环100次后,循环伏安曲线变化较小;当PAMPS-PANI膜的厚度为230 nm时,它的电导率可达到0.398 S/cm,室温时电导率可调,是较理想的电磁屏蔽材料.  相似文献   
378.
介绍了矢量网络分析仪单端口校准方法以及两端口校准方法如何对柔性电缆进行测量,从而来判断其是否满足技术指标要求,并对两类校准方法以及各自优缺点、适用范围进行了分析比较。  相似文献   
379.
具有电磁屏蔽性能的金属/织物复合材料   总被引:7,自引:0,他引:7  
用化学镀铜和化学镀镍的方法对纤维织物进行改性,制备出有优良电磁波屏蔽性能的金属 /织物复合材料。该复合织物在 1 0 k Hz~ 1 2 GHz范围内可以获得 50~ 70 d B的优良屏蔽效果和良好的环境稳定性,成本低、结合力好,适用于丝绸、棉布、化纤布和玻璃纤维布等多种织物改性,有良好的应用前景。  相似文献   
380.
航天器介质盘环结构内带电特性三维仿真分析   总被引:1,自引:1,他引:1  
原青云  王松  黄欣鑫 《航空学报》2019,40(9):323035-323035
针对航天器内特定结构的内带电(IDC)问题,以航天器典型复杂介质结构——太阳帆板驱动机构介质盘环为研究对象,开展了地球同步轨道恶劣充电环境(Flumic3)下介质内带电三维仿真分析。通过Geant4实现电荷输运模拟,根据电荷守恒定律数值计算得到电场,在此基础上,研究了屏蔽厚度对介质内带电的影响规律,提出了根据屏蔽厚度调整入射电子能谱能量下限以提高计算效率的方法。仿真结果表明,盘环结构内带电最严重部位是盘环最外圈上层介质与金属导电环接触的上边沿;增加屏蔽厚度可以减缓充电风险,但是随着温度降低,屏蔽效果会随之减弱。在地球同步轨道恶劣充电环境(Flumic3)下,当温度低至183 K时,由于辐射诱导电导率成为总电导率的主导部分,从而增大屏蔽的同时也会降低介质电导率,导致即使3 mm铝屏蔽下仍可能出现接近107 V/m的场强峰值。  相似文献   
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