基于中性层偏移的Z型材滚弯成形回弹预测

以提高大截面Z型材四轴滚弯成形精度为目的,通过综合考虑材料属性、几何特征和成形半径等因素对回弹的影响,建立了引入中性层偏移的大截面Z型材弯曲回弹解析模型,研究了7075-O和7475-O铝合金Z型材在不同滚弯成形半径下的回弹规律,并进行滚弯成形实验验证。结果表明,与忽略中性层偏移影响的型材回弹预测经验模型相比,基于中性层偏移的回弹预测模型能够准确预测大截面Z型材的回弹量,在相同的曲率半径下,预测回弹变形的最大相对误差从11.681%减小到3.347%。     

某型发动机燃烧室出口温度计算方法分析及应用

概要介绍了某型航空发动机燃烧室出口温度的2种计算方法,结合发动机试车数据对采用2种计算方法得到的结果进行了对比分析。结果表明：采用涡轮流量法计算某型发动机燃烧室温度的结果比采用压气机特性法得到的计算结果更接近实际结果。     

飞行器表面红外辐射的模型以及红外特征分析(英文)

隐身最重要的技术之一是评估飞行器被红外探测器接收到的红外辐射强度。本文针对飞行器表面红外辐射特征计算的问题提出一个方法。首先通过分析飞行器表面气动加热、发动机热部件等主要热源,建立了CFD计算模型并获得了飞行表面的温度场。并结合反向蒙特卡洛方法建立求解飞行器表面复杂几何外形的红外辐射模型。通过数值模拟,比较了飞行器主要部件在水平和侧向上红外辐射强度所占的比重;并针对飞行器主要部件冷却对红外辐射强度的影响效果进行了研究。计算结果表明:在水平方向降低飞行器头部、垂尾、机翼部件表面温度10K能降低红外辐射强度大于8%;而在侧方向降低飞行器头部、垂尾、机翼部件表面温度10K能降低红外辐射强度小于8%。计算结果可为隐身设计提供参考。     

温度测量技术发展与应用专题（三） 温度测量技术的应用——物体表面温度测量

在工程应用和科学研究的很多场合中需要测量物体的表面温度,比如在钢铁制造行业中钢板表面温度的测量,在节能监测中窑炉外表面温度的测量,在航空航天科研中飞行器表面温度测量等。物体表面温度的测量可以采用接触式测量方法和非接触式测量方法,它不仅与测温传感器和测量方法有关,还受被测表面性能和环境状况的影响,是一个相互作用的复杂系统。     

具有多层反射结构的柔性纳米隔热材料

将纳米多孔结构和多层反射屏引入柔性隔热毡中,设计出一种具有多层反射结构的柔性纳米隔热材料,并结合材料的微观结构对其隔热机理进行了分析.结果表明:多层反射屏抑制了材料的红外辐射传热量,纳米多孔结构降低了气体导热和对流传热,有效地提高了材料的隔热性能.     

RTM成型聚酰亚胺复合材料研究

以苯乙炔封端聚酰亚胺树脂为基体,采用高温R1M工艺复合成型了T300碳布增强聚酰亚胺层合板,复合材料的Tg达351℃(DMA),材料在300℃弯曲强度保持率达90%以上,模量保持率达85%以上,层间剪切强度保持率达60%以上.     

RFI工艺成型两种环氧树脂基复合材料性能比较

采用RFI工艺分别成型了648和5228A环氧树脂基复合材料层合板,其增强材料为碳纤维无屈曲织物,铺层方式为[(0,90)/( 45)]s;测试了两组层舍板的拉伸性能、弯曲性能和层间剪切性能并做了比较分析;对破坏形式和机理进行了探讨.结果表明:5228A相对于648环氧树脂膜有较宽的低黏度区域,较长的凝胶时间;5228A与648层合板相比,拉伸强度高106%,拉伸模量、泊松比接近;弯曲强度高58%,弯曲模量高16%;层间剪切强度高62%.     

再入体实验模型热化学非平衡绕流流场的数值分析

利用数值求解一个和多个振动温度热化学非平衡Navier-Stokes方程的CFD计算程序,对爆轰风洞球锥试验模型的热化学非平衡绕流流场进行了数值模拟,分析了分子组分振动温度在全流场(头身部流场和底部流场)中的分布规律.研究结果表明:(1)计算的压力、电子数密度以及流场的光辐射数据与试验数据符合较好;(2)在再入体身部,大多数分子的振动温度峰值大大高于平动温度的峰值;在再入体近尾出现振动温度冻结并大大高于平动温度的现象;CO2的两个振动态的振动温度分布非常接近平动温度分布.     

3种铝合金材料动态性能及其温度相关性对比研究

 对3种铝合金2024-T351、7050-T7451和LY12-CZ进行了温度在77～573 K的静、动态压缩（应变率10^-3～6 000/s）和拉伸（应变率10^-3～3 000/s）试验,分别得到了3种铝合金材料的应力 应变关系和失效应变。对比研究结果表明,随温度升高3种材料的塑性流动应力降低,应变率敏感性增加。最后基于Johnson-Cook模型,拟合了用以预测铝合金材料塑性流动应力的模型参数,其预测结果与试验结果吻合较好。     

碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析

对SiC材料的抗氧化性能进行了试验,研究了该材料的氧化机制以及由被动氧化至主动氧化的转捩温度.结果表明,SiC材料在一定的氧分压环境中,表面温度低于转捩温度时,会在表面形成SiO2薄膜,薄膜厚度和时间的平方根成正比.表面温度高于转捩温度时材料发生主动氧化,材料表面发生烧蚀.