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301.
为研究局部进气条件下ATR涡轮内的流动特性,对局部进气涡轮进行定常和非定常数值模拟.定常计算采用冻结转子方法,改变动叶与静叶的周向相对位置研究涡轮内流场特征;改变进气扇区布局、进口参数和局部进气度,研究其对涡轮性能的影响.研究结果表明,对于给定局部进气度,进气扇区整体布局时,涡轮性能的优越性最大;在局部进气ATR涡轮的设计中,需要综合考虑流量、效率和功率3个因素来决定局部进气度.不同位置定常流动结果的平均值与非定常流动的时均值存在差异,非定常计算更好地展示了静叶尾迹和流动积累效应的影响,因而更加可靠. 相似文献
302.
《航天器工程》2016,(2):46-51
针对锂离子电池的空间应用特性,根据在轨可测的锂离子电池放电终压,建立寿命预测模型(非平稳自回归模型,ARI模型);将加速因子引入ARI模型中,获得加速非平稳自回归(ND-ARI)模型,通过对放电终压的预测实现电池的寿命预测。利用低地球轨道(LEO)航天器锂离子电池长寿命模拟验证试验数据,分别以原始数据的前30%,50%,70%的训练数据作为模型预测的起始点,对预测方法进行验证。结果表明:在不同建模预测起始点下,ND-ARI模型得到的预测结果具有较高的精度,相对误差均小于0.60%。因此,ND-ARI模型可用于航天器锂离子电池的退化状态监测及寿命预测体系的构建。 相似文献
303.
郑禹 《沈阳航空工业学院学报》2011,28(6):53-56
近年来,中国的外语学习出现了低龄化的趋势,各种双语早教班和幼儿园的出现似乎在提醒人们,外语学习越早越好。语言习得关键期假说也成为二语习得领域的研究重点之一,语言学者们在外语学习的起始年龄对外语学习效率的影响力方面无法达成共识。在对比分析关键期相关研究的基础上,通过实证研究试图证明不同年龄开始接触英语的学习者在语言能力方面并没有显示出明显的差异,关键期假说不适用于主要基于学校教学的外语教学。 相似文献
305.
通过Ansys对单脉冲放电过程进行温度分布仿真时发现,当脉宽很小时,汽化体积所占比例很高,即材料利用率较高,但是产率较低;而加大脉宽时,产率较高,但是汽化比例较低。为综合两者的优势,利用大脉宽加工,使放电通道移动。仿真结果表明,相对于放电通道静止,其在材料利用率和产率上都有了大幅度提高。当在加工中引入高速冲液时,实验表明其能促使放电通道发生漂移,收集产物后称量、计算,其产率达到了1g/h。 相似文献
306.
针对航天器长期处于辐照、冷热交变等恶劣环境下,内部、外部结构产生疲劳、屈曲等威胁航天器安全等因素,提出多通道分布式航天器舱体健康数据采集方案。该方案能够实时将舱体强度、力、热等飞行参数采集、存储及分时下传。采用FPGA+数字信号处理器(DSP)架构设计多通道、高精度数据采集系统,通过"调零"及"差分电桥"技术消除远距离线损阻抗及压降,并通过多级选通开关高速轮询采集变化的模拟信号。测试结果表明:电阻信号采集精度高于5‰,微弱电压信号采集精度高于2‰,可应用于航天器的实时健康监测与状态评估。 相似文献
307.
针对当前国内外诱发静电放电(ESD)研究较少的实际情况,为了解自然环境下静电放电辐射场诱发放电的基本特性,进一步分析诱发放电的特征规律,建立了大气条件下诱发放电试验系统。主要采取理论分析、试验验证的方式,对静电放电辐射场诱发针-球电极结构放电的基本规律进行摸索,初步得出了诱发放电的基本规律。研究结果表明:在外界条件一定的情况下,随着辐射场强的不断增大,放电重复频率不断增大;在辐射场强一定的情况下,随着高压源电压的不断增大,诱发放电重复频率不断增大;在外界环境条件一定的情况下,能够确定该条件下的诱发放电唯一阈值。这些试验规律的取得,为真空条件下的诱发放电特性研究提供了试验方法和理论依据,对开展航天器运行环境中的诱发放电研究和防护方法设计具有重要意义。 相似文献
308.
MZM是一种电光晶体,是光矢量调制中一种重要器件。但MZM电光晶体自身特性参数会因为外部条件(温度等)和内部微结构(随时间)的改变而产生相应的变化,导致其传输曲线发生变化。因此要产生高质量的调制信号,就必须对MZM的偏置点偏移进行实时监测,并以此进行闭环的实时控制,补偿偏移。本研究首先对MZM直流偏置漂移的原因进行了数理分析,接着提出了一种MZM偏置电压的控制算法,该算法将输出功率的偏微分处理作为检测偏置点偏移的依据,具有不受输入光功率和前端插入损耗波动影响的优点。为验证理论的正确性,本研究进行初步的Matlab仿真,仿真结果表明:在输入光功率信号波动情况下,此算法依然有效。 相似文献
309.
AISI 304亚稳态奥氏体不锈钢形变时容易发生相变,为避免产生相变马氏体而专注于研究位错的影响,采用局部电化学技术研究了拉伸应变分别为0%、10%、20%、30%和40%时的AISI 304不锈钢中奥氏体晶粒的电化学性能的变化规律,并分析了位错密度及位错组态对阻抗谱和动电位极化曲线等电化学性能的影响机理。研究结果表明:奥氏体的阻抗随位错密度的增大而降低,在低应变水平下位错密度的增大对阳极电流密度的降低有着重要作用;阳极电流密度随应变水平增加而增加,达到一个最大值后显著下降。通过扫描开尔文探针(SKP)的测量结果,计算得知位错堆积数比位错密度对阳极电流密度的影响更为显著,尤其是对于高应变水平不锈钢。 相似文献