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231.
232.
将nc-Si:H薄膜进行等离子和高温氧化处理,测量了样品的氢,氧含量,Raman谱,红外吸收谱,光致发光(PL),结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中,但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同Raman谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响,用晶粒-表面模型对氧化引起的光致发光(PL)蓝移进行了解释。 相似文献
233.
概述了18Cr2Ni4WA钢采用复合热处理的方法:渗氮+高频淬火,解决了实际生产中零件表面硬度不合格的问题。 相似文献
234.
对一新发现的具有4-涡卷的混沌系统的复合结构特性作了报道。该系统吸引子可通过将两个对称的新吸引子相合并而得到。产生新吸引子的系统非常简单.只需在原混沌系统中增加-常数项即可。同时,本揭示了新发现的4-涡卷混沌吸引子的形成过程.并给出了控制参数与系统特性之间的关系。 相似文献
235.
用柠檬酸法、固相法制备了替代的复合氧化物La1-xCaxFeO3及La1-xCaxMnO3。对样品进行了XRD及导电能力测试。结果表明:X≤0.5,复合氧化物为单相的钙钛矿结构;Ca的掺入,改善了LaFeO3导电性能,使其室温电阻率从6×10^4Ω·cm降低到10Ω·cm左右;而对LaMnO3的影响不大,其室温电阻率在10^-1Ω·cm左右。 相似文献
236.
237.
梁家昌 《中国民航学院学报》1994,12(3):79-87
通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用MOCVD方法、生长在GaAs衬底上的Ga0.5In0.5P(GaInP2)外延薄膜的1.17eV发射带的发光特性。1.17eV发光带性质与0.99eV及0.85eV发光带的性质有着明显的差别。1.17eV发光带的机理可用施主-受主对的复合发光来解释,其中施主-受主对系白处在Ga格位上的Si(SiGa)及其最邻近的Ga空位(VGa)所组成,记作SiGa-VGa。考虑到GaInP2中存在着很强的电子-格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序,所以在施主-受主对复合发光中应计及Franck-Condon位移△FC及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Es(DAP)。X—射线衍射实验表明,部分有序结构相当于成分调制,因而可用Kronig-Penney模型来计算Es(DAP)值。这样,我们就导出了施主-受主对复合发光的新的能量表示式。 相似文献
238.
对铝合金层板的塑性弯曲回弹原理进行了理论分析,建立了压弯成形时回弹角的计算公式。通过试验证明,计算结果与试验结果基本一致。 相似文献
239.