电子接插元件填充材料与灌注工艺

本文提出采用聚硫灌封胶作为电子接插元件的填充材料,经过系统性工艺性能试验,证实这种胶性能达到美国军用标准,超过了原设计的技术指标和性能要求。所灌注的不同类型的电子接插元件,全部满足产品交付使用的技术条件。     

GaAs衬底上强介质BaMgF4膜的形成

研究了GaAs衬底上形成强介质BaMgF4膜的最佳条件，在BaMgF4源的真空蒸发中已经发现低温淀积和随后的高温退火的结合对于形成不含BaF2和MgF2晶体的BaMgF4膜是有效的。最佳淀积温度和退火温度分别是300℃和600℃C，描述了最佳膜的结晶性和电特性。     

磁化油在热处理中的应用

利用磁化油作为钢的淬火介质，改善了超高强度钢的强度和韧性，并使抗应力腐蚀开裂性有较明显的提高。试验结果表明，磁化油介质参数的合理选择是影响性能的至关重要的因素。     

环境介质对脉冲放电强化层厚度和硬度的影响

本文通过在不同的环境介质下进行强化实验发现,在氮气和二氧化碳气氛中采用高脉冲能量强化可获得较厚的强化层,且强化层硬度明显高于空气中获得的强化层.另外二氧化碳和氮气相比,前者的强化层硬度更高些.     

聚二醇类淬火介质CH－202的研究

介绍了聚二醇类淬火介质ＣＨ－２０２的合成、主要性能及冷却机理，并简单介绍了该介质在航空铝与钢制零件淬火方面的应用。     

聚酰亚胺介质膜高频薄膜电容制作工艺

概述了用聚酰亚胺材料做介质的高频薄膜电容及其微波混合集成电路的制作工艺的理论基础，介绍了高频薄膜的制作工艺过程及关键工艺技术和达到的技术指标。用聚酰亚胺做介质膜的高频薄膜电容能够承受弹上产品要求的各项环境试验，性能稳定、质量可靠。     

基于A2-RO电路版图填充的硬件木马抗植入方法

集成电路芯片制造过程中,攻击者可以利用电路版图中的空白区域植入硬件木马。为此,提出了一种基于A2-RO电路版图填充的硬件木马抗植入方法, 以减小电路版图中的空白区域为防护目标,设计了能够动态监测稀有节点翻转情况的功耗表征结构A2-RO,并提出了迭代填充算法及路径构建算法,通过在电路版图的空白区域中智能化地构建A2-RO电路,提高了电路的安全防护水平。基于SMIC 180 nm工艺,以ISCAS’85和ISCAS’89中的基准电路作为研究对象进行仿真验证。仿真结果表明:版图填充后,芯片的面积利用率提高至95%以上,剩余空白区域无法填充最小尺寸的标准单元。A2-RO电路移除攻击后的侧信道电流变化值为1.921 mA,有效实现了对版图空白区域的防护。版图填充的额外布线资源开销可控制在7%以内,对关键路径延时的影响在1.2%以内。      

超临界压力下正癸烷在多孔介质中结焦实验研究

发散冷却是高超声速飞行器热部件防护的关键技术之一。为了研究碳氢燃料结焦性对其作为冷却流体在发散冷却技术中安全性的影响,对超临界压力下正癸烷在烧结青铜球形颗粒多孔介质中的结焦特性进行实验研究,获得了正癸烷在压力3MPa,温度350~638℃和质量流量2~4kg/h下的焦碳表面沉积规律。研究表明:温度是正癸烷在多孔介质中结焦产物生成的主导因素,并发现正癸烷存在热氧化结焦与热裂解结焦两种结焦行为,导致其焦碳表面沉积速率呈现双峰结构。一定温度下,质量流量决定正癸烷在流道中驻留时间,热氧化结焦受驻留时间与溶解氧浓度两个因素制约,焦碳表面沉积速率随质量流量增加先增大后减小;热裂解结焦则只受到驻留时间的影响,焦碳表面沉积速率随质量流量增大而单调减小。     

光船对气液两相介质激光支持爆轰波影响的数值模拟

建立了气液两相介质单脉冲激光支持爆轰波的数值模型,结合光船边界条件,数值模拟爆轰波及其周围流场的演化过程,分析温度、压力、速度场在爆轰波发生时的变化特性和演化形态。研究表明:有无光船边界在30μs前爆轰波发展趋势基本一致。激光作用结束后,焦点范围处温度压力均达到最大,速度继续上升达到最大后逐渐衰减。温度最大值一直在焦点附近,压力最大值则是在激光作用时出现在中心处,激光作用结束后,转移到波阵面上,而速度最大值发生在冲击波波阵面上。光船模型中,冲击波会与壁面发生耦合作用,冲击波的反射与叠加作用使最大温度中心会向外偏移,压力和速度会在壁面与冲击波边沿接触面的两侧处达到最大值,向内侧逐渐减小。