电子接插元件填充材料与灌注工艺

本文提出采用聚硫灌封胶作为电子接插元件的填充材料,经过系统性工艺性能试验,证实这种胶性能达到美国军用标准,超过了原设计的技术指标和性能要求。所灌注的不同类型的电子接插元件,全部满足产品交付使用的技术条件。     

GaAs衬底上强介质BaMgF4膜的形成

研究了GaAs衬底上形成强介质BaMgF4膜的最佳条件，在BaMgF4源的真空蒸发中已经发现低温淀积和随后的高温退火的结合对于形成不含BaF2和MgF2晶体的BaMgF4膜是有效的。最佳淀积温度和退火温度分别是300℃和600℃C，描述了最佳膜的结晶性和电特性。     

磁化油在热处理中的应用

利用磁化油作为钢的淬火介质，改善了超高强度钢的强度和韧性，并使抗应力腐蚀开裂性有较明显的提高。试验结果表明，磁化油介质参数的合理选择是影响性能的至关重要的因素。     

环境介质对脉冲放电强化层厚度和硬度的影响

本文通过在不同的环境介质下进行强化实验发现,在氮气和二氧化碳气氛中采用高脉冲能量强化可获得较厚的强化层,且强化层硬度明显高于空气中获得的强化层.另外二氧化碳和氮气相比,前者的强化层硬度更高些.     

聚二醇类淬火介质CH－202的研究

介绍了聚二醇类淬火介质ＣＨ－２０２的合成、主要性能及冷却机理，并简单介绍了该介质在航空铝与钢制零件淬火方面的应用。     

聚酰亚胺介质膜高频薄膜电容制作工艺

概述了用聚酰亚胺材料做介质的高频薄膜电容及其微波混合集成电路的制作工艺的理论基础，介绍了高频薄膜的制作工艺过程及关键工艺技术和达到的技术指标。用聚酰亚胺做介质膜的高频薄膜电容能够承受弹上产品要求的各项环境试验，性能稳定、质量可靠。     

基于A2-RO电路版图填充的硬件木马抗植入方法

集成电路芯片制造过程中,攻击者可以利用电路版图中的空白区域植入硬件木马。为此,提出了一种基于A2-RO电路版图填充的硬件木马抗植入方法, 以减小电路版图中的空白区域为防护目标,设计了能够动态监测稀有节点翻转情况的功耗表征结构A2-RO,并提出了迭代填充算法及路径构建算法,通过在电路版图的空白区域中智能化地构建A2-RO电路,提高了电路的安全防护水平。基于SMIC 180 nm工艺,以ISCAS’85和ISCAS’89中的基准电路作为研究对象进行仿真验证。仿真结果表明:版图填充后,芯片的面积利用率提高至95%以上,剩余空白区域无法填充最小尺寸的标准单元。A2-RO电路移除攻击后的侧信道电流变化值为1.921 mA,有效实现了对版图空白区域的防护。版图填充的额外布线资源开销可控制在7%以内,对关键路径延时的影响在1.2%以内。      

激波干扰对发汗冷却影响的数值模拟研究

基于宏观表征体元(REV)的数值模拟方法开展了激波干扰对异质发汗冷却影响的数值模拟研究,获得了外部激波干扰与引射气体边界层耦合相互作用流场特征.研究结果表明,不同冷却介质对于冷却效率有显著的影响,冷却介质比热容越大,相同注入率条件下的冷却效果更好;入射激波干扰会显著影响多孔材料表面的压力分布,使得多孔材料内部冷却介质会...     

生成矩形毛坯最优两段排样方式的递归算法

提出一种递归算法生成矩形毛坯两维两段排样方式。这种算法将板材分成两段,同一段中所有条带的长度和方向都相同,二段的条带方向相互平行或垂直,不同尺寸的毛坯可以在一根条带中出现。通过递归在段上生成最优条带布局,隐式地讨论所有长度的段,确定所有两段组合的价值,选择价值最大的一个组合作为最优解。计算结果表明,该算法在计算时间和材料利用率两方面都有效。最后,一个实际问题的解表明:使用该算法,材料利用率较高。     

屏蔽材料对木星轨道卫星内部介质充电效应的影响研究

在木星轨道的空间辐射环境中,占主导地位的粒子是能量大于1 MeV(甚至高于100 MeV)的高能电子,这可能会产生卫星内部介质充电效应.在卫星的防辐射设计中,通常需要一定厚度的材料来屏蔽这些电子,使得进入卫星内部的电子通量达到安全的水平.利用所建立的GEANT4-RIC(radiation induced conduc...