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201.
为了使机动转弯条件下转子动力学模型更加精确,考虑梁单元的转动惯量和剪切变形,对有限元Timoshenko梁模型的相关理论进行推导;考虑到机动转弯载荷对转子响应的影响,对机动转弯条件下梁单元、刚性圆盘单元的机动载荷向量和重力载荷向量进行推导。利用以上推导结果建立了1套机动转弯条件下转子有限元的建模方法,利用该方法建立的模型进行机动转弯过程中含弹性支承双盘转子的振动响应计算,结果表明:机动转弯产生的附加载荷会使转子模型产生一定的静位移。  相似文献   
202.
镍基单晶合金中空穴绕夹杂形核及后续演化的有限元分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
于庆民  岳珠峰 《航空学报》2009,30(1):179-185
 采用内聚力单元模拟镍基单晶合金中基体与夹杂之间的界面,对镍基单晶合金中空穴绕夹杂形核及扩张的过程进行了初步的分析。夹杂-基体界面的粘结强度不同,空穴的相对体积分数增长速度存在较大差异。粘结强度越小,空穴越容易形核,空穴扩张的速率越大;粘结强度越大,空穴越难于形核,空穴扩张的速率越小。应力三维度是空穴形核及扩张的主要驱动力,应力三维度越高,空穴形核及扩张的速率越大。应力三维度不同时,基体-夹杂界面开裂的初始位置及裂纹扩展的方式不同。在高应力三维度下空穴的演化由低应力三维度时的形状改变为主变为体积膨胀为主。Lode参数对空穴的形核过程及空穴形成后的扩张有着显著的影响。晶体取向对空穴的形核过程有着显著的影响,不同取向时基体-夹杂界面开裂的初始位置及裂纹扩展的方式不同。晶体取向对空穴的扩张有着显著的影响。在考虑镍基单晶合金的晶体取向相关性时,必须同时考虑Schmid系数、弹性模量和开动的滑移系。  相似文献   
203.
张海鹏  房建成 《航空学报》2009,30(7):1248-1255
针对微小型飞行器安装空间小、承载能力弱的特点,提出一种“T”型结构的微惯性测量单元(MIMU)系统设计方法,采用基于微机电系统(MEMS)技术的新一代微型惯性器件,在深入分析MIMU结构设计基本原则和方法的基础上,设计加工了“T”型支撑结构并组成了实际系统。该MIMU系统充分利用了空间,大大地减小了体积和重量。有限元分析表明:该MIMU力学性能较高,所研制的实际系统实现了微小型飞行器的自主飞行,各性能参数满足要求,是一款适用于微小型飞行器的MIMU。  相似文献   
204.
采用微分求积法(DQM)建立平面应力板单元,给出了详细的公式和分析过程。将微分求积单元法(DQEM)应用于平面应力问题,在算例1中,对各种条件下的结果进行比较,发现影响结果精度的主要因素是单元节点数目。算例2中计算结果与有限元结果比较表明:DQEM既具有有限元的分块思想,又兼备微分求积法计算精度高,使用方便,计算量少等优点。  相似文献   
205.
航空发动机战伤模式及影响分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在分析航空装备威胁机理的基础上,闸述了航空发动机的战伤模式及战伤影响分析疗法,并举例分析了战伤模式对航空发动机的影响,对于航空发动机的战伤评估具有重要的参考作用.  相似文献   
206.
余永刚  金志明 《推进技术》1997,18(3):103-107
利用挂滴装置和高速摄影系统研究HAN基液体推进剂LP-1846液滴组的着火过程,观察了液滴间相互作用对着火过程的影响,定量测试液滴组平均着火延迟期、着火温度与环境温度和液滴中心间距的关系,并对实验现象进行了讨论。研究结果对抑制液体发射药火炮压力振荡和控制燃烧稳定性有一定的指导意义。  相似文献   
207.
介绍了FMS的控制和管理软件系统,围绕软件的控制管理功能,叙述了系统的应用环境、有关的信息流设计、运行调度控制和执行过程。  相似文献   
208.
压力容器边缘应力的有限无分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
本文运用有限单元法对压力容器的边缘应力进行了分析,讨论了筒体和封头的边缘应力的分布。结果表明,利用有限单元法进行边缘应力的分析,简单易行、速度快、精度高。  相似文献   
209.
微镜单元的设计与加工工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
详细介绍了微光学电子机械系统MOEMS领域的用于光学信号调制的微镜单元,分析了该微镜单元的工作原理及结构,推导了动态方程的有关参数,给出了仿真结果。首次提出了该结构前两阶频率的表达式,并与相应的有限元模态分析结果进行了比较。本文还对微镜的加工工艺作了简要介绍。  相似文献   
210.
器件单粒子闩锁效应(SEL)预估方法一般是建立在只有一个敏感体积单元的长方体(RPP)模型上,静态随机存储器(SRAM)单粒子闩锁敏感区的定位试验结果表明敏感体积单元不仅有一个.利用脉冲激光定位SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁效应敏感区的试验结果对器件在轨SEL事件率进行了修正计算.首先利用脉冲激光定位SRAM SEL敏感区,获得敏感区的分布情况,并确定整个器件敏感体积单元的数量.然后针对不同的空间轨道、辐射粒子以及敏感体积厚度和敏感体积单元数进行了相应的器件SEL事件率计算,并对计算结果进行了分析讨论.结果表明,重离子引起的SEL事件率随敏感体积单元数量的增大而减小;修正敏感体积单元数量对预估质子引起的SEL事件率非常必要,否则将会过高评估质子直接电离作用对SEL事件率的贡献.   相似文献   
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