基于压电陶瓷的空气作动器特性研究及应用仿真分析

提出了一种新型的基于压电陶瓷的非接触式空气作动器,对其静、动态特性进行了分析与实际测 试,并进一步对基于空气作动器的混合隔振系统进行了分析与仿真。     

新型双脚步推式微型进给机构的研究

相对于传统“尺蠖式”进给原理，模仿人走路的方式，提出“双脚步推式”进给原理。利用压电元件为驱动源，研制出在大范围内，具有很高分辨力，同时能够连续平稳进给的微型进给机构。该机构的优点概括为：１）不论压电元件的电致伸缩量是多么的有限，利用“双脚步推式”进给原理，可以实现连续平稳的大范围进给；２）在开环控制状态下，该机构能够得到高于０．１μｍ的位移分辨力；３）系统结构简单，控制容易，性能稳定。     

压电陶瓷驱动器的迭代学习逆补偿混合控制

由于压电驱动器具有迟滞、蠕变等非线性特征,在精密定位中存在较大的位移跟踪误差。本文对此提出了一种逆补偿和迭代学习控制算法相结合的控制方法。利用逆补偿器作为前馈,使压电陶瓷驱动器的位移跟踪误差得到一定的补偿,再利用迭代学习控制方法进行反馈,进一步减小压电驱动器的位移跟踪误差。仿真实验结果表明,该方法具有良好的控制效果,能够将驱动器的输出位移误差由37.26%减小到0.51%以内。     

采用压电陶瓷传感器提高悬臂式镗杆的加工精度(英文)

由于悬臂式镗杆的刚度较低,镗削加工中容易产生加工误差。本文采用了误差在线检测与实时补偿的方法,以提高悬臂式镗杆的加工精度。通过应变片测试微量镗削加工中镗杆的变形,在线检测加工误差,用压电陶瓷传感器对加工误差进行实时补偿。镗刀和压电陶瓷传感器分别安装在杠杆式结构的微量镗杆的两端,这样镗杆的结构尺寸可以不受压电陶瓷传感器的影响,镗杆的长径比为８。     

压电陶瓷柱体中裂纹前缘场分析

为了揭示含裂纹的压电陶瓷介质在机械载荷作用下裂纹前缘的力学和电学的奇异行为,以一承受扭矩的压电陶瓷柱体为例,求得了其中所含的圆币形裂纹前缘的应力场和电场移场。     

双压电振子异步振动主动调制湍流边界层流向涡减阻

以热线敏感丝为感受器、单片机(MCU)为控制器、双压电振子为动作器构成闭环控制回路,实现闭环主动控制湍流边界层相干结构减阻。采用安装在壁面上的展向布置的双压电振子异步振动方式,通过对压电振子输入3种不同振动频率,得到160 Hz工况实现最大减阻率为16.03%。压电振子振动使得湍动能更大程度地集中在能量峰值周围,改变了湍流边界层近壁区的含能结构,对相干结构产生调制作用。压电振子振动频率与相干结构特征频率越接近,减阻效果越好。闭环控制中控制压电振子所需要的电能节省开环的75%,实现与开环控制相近的减阻效果。施加控制加入条件检测的条件相位平均波形时间周期略变短,以压电振子壁面扰动方式调制近壁流向涡,减小壁面摩擦阻力,获得减阻效果。      

Characterization and Microstructure of PLZT RAINBOW Ceramics

RAINBOW陶瓷是一种具有内部应力偏移，并具有特殊的拱形结构的大位移驱动材料，它是通过将普通的压电陶瓷在高温下化学还原制备所得。实验表明，PLZT压电陶瓷具有较好的还原性能，还原层厚度与时间有线性关系，理想的还原条件为：950℃保温1～1．5h；电镜照片显示RAINBOW陶瓷有明显的分层结构，还原层表现出穿晶断裂而未还原层则是沿晶断裂的特征。XRD谱发现还原层主要由金属Pb及PbO，ZrO2，ZrTiO4等氧化物组成，原先的晶体结构已不存在；还原机制的理论分析与实验结果一致。     

压电材料修正后的变分原理及智能板的精确解

建立了压电材料修正后的H-R混合变分原理，并从该变分原理直接推导了压电材料的状态向量方程，同时给出了与广义位移和广义应力相关的边界条件表达式。为了验证本文的理论，给出了简支压电材料矩形板静力和自由振动问题的无穷级数精确解形式。并对两个具有代表性的实例进行了数值分析，部分结果与已有的文献进行了比较，并给出了分广义位移和广义应力的分布图，它们直观地展示了精确解的优点。本文的变分公式将用采构造新颖的适应工程领域复杂压电材料问题的半解析法。     

飞机结构振动主动控制应用技术

阐述了以压电材料作为感受器与作动器进行真实飞机结构振动主动控制的一些应用技术，利用这些技术进行了真实飞机座舱结构的主动振动控制地面试验研究，取得了很好的控制效果。     

电场及双向压缩下含压电层的对称层合圆柱壳体的动力稳定性

 应用一阶剪切变形理论, 分析了简支边界有限长含压电层的对称层合圆柱壳及壳块在谐变电场及双向周期荷载作用下的动力稳定性问题, 并用模态展开的方法得出一阶动力不稳定区。选择几种模态为例说明材料的压电性、壳体几何参数和加载形式对不稳定区的影响。结果表明此类压电复合结构的动力不稳定区主要由结构自身刚度及外载所决定, 而受外加电场及压电效应影响很小。