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11.
MENG Xiang-ti HUANG Qian WANG Ji lin CHEN Pei-yi TSIEN Pei-hsin 《中国航空学报》2006,19(B12):192-197
The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT's anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed: Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed. 相似文献
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单晶叶片材料蠕变试验研究 总被引:7,自引:0,他引:7
孟春玲 《北京航空航天大学学报》1998,24(1):21-23
针对单晶材料涡轮叶片的蠕变计算分析的需要,对我国自行设计的单晶材料DD3进行蠕变试验,根据试验结果提出了进行曲线拟合的方法,并与有限元法计算相结合,对拟合出的蠕变律常数进行了修正,提出了较好符合试验曲线的较精确的Norton蠕变律有关常数A、n和p值,满足了单晶叶片非线性有限元蠕变分析的要求. 相似文献
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单点金刚石车削单晶锗端面时,其表面可能呈现明暗扇形区域相间分布的现象,该现象的出现与工艺参数密切相关。通过分析材料特性对脆塑转变临界未变形切屑厚度的影响,指出明暗扇形现象出现的可能原因。结合正交实验,研究了主轴转速、切削深度、进给量对单晶锗表面明暗区域扇形分布的影响。将实验结果进行极差分析,分析各工艺参数对工件表面质量的影响规律,为下一步研究提供了参考。 相似文献
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