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901.
902.
903.
对带衬套沉头螺栓连接复合材料/金属接头进行拉伸试验,测量了接头的载荷-位移曲线和面外变形等性能,研究了接头的拉伸行为。利用ABAQUS软件,建立了接头的有限元模型,计算得到的条件挤压载荷、极限破坏载荷和破坏模式与试验结果吻合较好,证明了所建有限元模型的有效性。利用该模型,分析了接头破坏的机理,并进一步研究了螺栓与衬套过盈量、拧紧力矩和钛板厚度等因素对接头拉伸性能的影响。结果表明:适度的增大螺栓与衬套的过盈量能有效提高接头的刚度和强度;在一定范围内增加拧紧力矩能提高接头的承载能力;增加钛板的厚度,对接头的刚度有明显提升,但对极限破坏载荷影响较小。 相似文献
904.
利用GNSS观测数据解算TEC的最大误差源是硬件延迟,包括卫星硬件延迟和接收机硬件延迟.在单接收机情况下,由于数据稀疏以及接收到的卫星信号时间不对齐等特点,已有的解算硬件延迟方法的求解结果往往不理想.在应用局域模式拟合方法和SCORE方法求解单接收机数据基础上,利用局域模型拟合法在电离层平静期拟合较准确的优点,提出一种联合改进方法,同时改正了SCORE方法解算过程中约束过强的缺点.通过利用GPStation-6接收机的GPS和BDS实际观测数据进行解算分析,验证了所提方法的有效性与准确性. 相似文献
905.
906.
针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变(SET,Single Event Transient)电流脉冲,深入分析了PMOSFET(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)与NMOSFET(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)发生单粒子效应时电荷输运过程和电荷收集机理.研究结果表明,由于电路耦合作用,反相器中晶体管的电荷收集与单个晶体管差异显著;反相器中PMOS晶体管电荷收集过程中存在寄生双极放大效应,NMOS晶体管中不存在寄生双极放大效应;由于双极放大效应,90 nm工艺下PMOS晶体管产生的SET电压脉冲比NMOS晶体管产生的电压脉冲持续时间更长,进而导致PMOS晶体管的SET效应更加敏感.研究结果为数字电路SET的精确建模、进行大规模集成电路SET效应模拟提供了参考依据. 相似文献
907.
本文对PID控制的单自由度电磁轴承-转子系统由于力-电流/位移的非线性特性所引起的非线性振动进行了分析研究,并对控制器参数改变时,系统在三次超谐共振区的特性进行了分析。 相似文献
908.
对锥形燃烧室的冷态流场进行了数值模拟,采用Thompson的非正交贴你坐标系统,用坐标变换的方法处理锥形燃烧室曲线壁面边界,用SIMPLE算法求解连续方程和N-S方程。亲流模型采用工程上常用的k-ε模型。还运用贴体坐标系统数值研究了不同旋流数和不同进口紊流动能对湍流旋流流动的影响,并与实验结果相比较获得较满意的结果,对新型燃烧室的设计提供了理论依据。 相似文献
909.
SiC陶瓷在航天器高温结构件研制中的应用 总被引:8,自引:0,他引:8
碳化硅陶瓷是一种具有优良的高温力学性能的新型结构陶瓷材料,具有热膨胀系数小、比重轻(只有重金属的三分之一)、导热系数大等特性,非常适合应用于航空航天高温结构件的制造。文中叙述了碳化硅陶瓷应用于某航天器的高温燃烧室的研制的全过程。结果表明,碳化硅陶瓷用于制备航天器燃烧室具有独特的优势,结果令人满意。同时,也指出了碳化硅陶瓷在其他领域的应用前景。 相似文献
910.
管美莹 《中国民航飞行学院学报》2002,13(3):32-35
论述了空中交通管制系统中采用的自适应单模式跟踪器和交互多模式跟踪器的工作原理、基本特性 ,并对其跟踪精度进行了分析、对比 相似文献