航空铝合金结构表面的阿洛丁处理方法

航空铝合金结构在制造或修理涂装之前一般要经过阿洛丁处理工艺,为后续涂装提供具有良好配套性和耐腐蚀性的基底,本文介绍了航空铝合金结构表面阿洛丁处理的机理、作用及施工方法。     

含硅芳炔树脂的化学流变特性

含硅芳炔树脂的流变特性对于其RTM成型工艺有重要参考价值,采用DSC热分析及黏度测量表征了含硅芳炔树脂的固化特性和黏度与温度的关系,发现含硅芳炔树脂为典型的牛顿流体,且在100～130℃范围内具有较低黏度,维持时间长.根据其黏度-温度-时间关系建立了双阿伦尼乌斯黏度模型,模型分析与实验结果取得较好的一致性,可为RTM成型工艺窗口的预测提供支撑.     

天然气定向渗透制备C/C复合材料致密化研究

研究以天然气为主要碳源气体、渗透深度为60 mm、密度分别为0.20、0.56 g/cm3的整体毡和针刺无纬布预制体的致密化;144 h后,针刺无纬布试样的密度达到1.39 g/cm3;504 h后,整体毡试样密度为1.50 g/cm3,针刺无纬布试样密度为1.71 g/cm3,与丙烯沉积速率相比,至少高出1倍。利用工业CT对试样密度分布进行定性分析。结果表明,随着致密化周期的增加,整体毡试样和针刺无纬布试样的内外密度梯度减小;针刺无纬布的密度梯度比整体毡小,其最终密度接近均匀分布。偏光显微镜观察测试表明,两试样的热解炭结构均为粗糙层,随着高温石墨化(HTT)处理温度的升高,热解炭层变得平直,且炭层之间更加致密。     

键合剂对聚三唑聚醚固体推进剂力学性能影响研究

为了找到满足聚三唑聚醚复合推进剂使用要求的键合剂,合成了一系列不同羟基含量的键合剂,TNG—OH。利用13C—NMR,FTIR和热失重对其结构和热稳定性进行了表征,并将其应用到聚三唑聚醚复合固体推进剂中。13C—NMR和FTIR结果确定了三唑环的形成以及羟基和叠氮基的存在,而热失重结果则表明键合剂中三唑环的形成有利于其热稳定性的提高。键合剂TNG—OH在含高氯酸铵、铝粉和硝胺的聚三唑复合固体推进剂中能显著提高其力学性能:与不含键合剂体系相比,60℃和20℃时,复合推进剂的拉伸强度和断裂应变显著提高;-40℃时,所有推进剂体系均发生了明显的屈服现象,且屈服强度和屈服应变以及断裂应变均随着TNG—OH键合剂中羟基含量的增加而增加。与传统聚氨酯用键合剂LBA–604相比,含键合剂TNG—OH的聚三唑复合固体推进剂具有更好的力学性能。     

COIL化学非平衡流动的一种解耦方法研究

提出了一种计算氧碘化学激光器化学非平衡流动的解耦方法.求解二维可压缩非定常N-S方程及组分连续方程,计算氧碘化学激光器中的组分混合反应流场.空间离散格式为AUSM up格式,用四步龙格-库塔方法作显式时间推进.假设混合气体为热力学完全而热值非完全气体,化学反应模型采用有限速率反应模型.使用一种"点隐式"方法来处理化学源项的刚性问题.计算结果表明本文方法可以有效解决计算中的刚性问题,与现有隐式算法相比减少了大量的矩阵运算,公式推导简单,易于实现和改进.     

复杂曲面微细切削加工技术

介绍一种用于微细零件加工的加工系统,该系统最小数控运动分辨率为1um,能利用CAD／CAM技术实现三维复杂曲面微细零件的数控加工。在对直径为5mm,表面高底差为1mm的复杂曲面进行切削加工实验,加工后得到的表面粗糙度为Rz0．082um。     

连续多试样纳米金刚石膜沉积设备及工艺

首先对热丝化学气相沉积(Chem ica l vapor depos ition,CVD)系统进行改造,设计了在真空室外对室内试样进行操纵的机械手系统和储料台,实现了一次热丝碳化后完成多个不同工艺条件下试样的连续沉积。有限元仿真研究结果表明,多衬底温度场比较均匀,适合于金刚石膜的生长。最后,采用改进沉积系统,在A r-CH4-H2气氛中,在多晶钼衬底上成功制备了纳米金刚石薄膜。R am an,XRD和AFM等结果表明,制备的金刚石纯度较高,晶粒大小在30 nm左右,表面光滑。     

热空气中硼粒子点火模型研究综述

说明了硼粒子在热空气中的点火现象，阐述了两种不同的硼粒子点火机理和实验依据及相应的化学反应，比较了不同点火机理下硼粒子氧化层的产生和消耗速率，分析了影响硼粒子点火的因素，建立了硼粒子在空气中点火的数学模型。     

C/C-TaC复合材料制备技术研究

难熔金属碳化物的加入可有效提高C/C材料的抗烧蚀性能,并成为近年来国内外研究的热点。文章主要介绍了中南大学在难熔金属碳化物TaC改性C/C材料制备技术方面的研究工作,主要包括含有Ta₂O₅的树脂/沥青浸渍-高温处理原位反应生成TaC的工艺方法、用含有有机Ta的树脂浸渍-高温处理原位反应生成TaC的工艺方法、预制体编织过程中加入TaC制备C/C-TaC的工艺方法、基于化学气相渗透法制备TaC及SiC/TaC中间界面层改性C/C材料的工艺技术以及基于化学气相沉积法制备抗烧蚀TaC及SiC/TaC难熔金属碳化物涂层的工艺技术。