低压CMOS折叠共源共栅混频器的设计

基于SMIC 0.18μmCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构,设计实现了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及在跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间进行折衷设计的难题.该混频器核心电路尺寸为165μm×75μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42MHz、1570MHz和5.42MHz时,仿真表明:该混频器转换增益( G_C )为15dB,双边带噪声系数为12.5dB,输入三阶截断点为-0.4dBm,在1.2V的电源电压条件下,功耗为3.8mW,可用于航空航天领域的电子系统中.      

介质覆盖的柱面共形微带天线的互耦分析

 共形微带天线间的互耦对微带天线阵的性能有重要影响,另一方面,为了防止对微带天线阵的自然的或人为的损害,需要在天线阵表面涂覆介质层或给其加上天线罩,因此在设计共形微带天线与阵列时也应当考虑覆盖层或天线罩的影响.利用严格的全波法分析和计算了介质覆盖、探针馈电的柱面共形微带天线单元间的互耦,给出了E面和H面互耦的数值结果,并讨论了柱面曲率半径和贴片间距对互耦的影响,给出了互耦随频率的变化关系,同时也研究了衬底介质和覆盖层对互耦的作用.     

热插拔技术在机载电子设备电源系统中的应用

介绍了常用热插拔技术的基础,重点分析了在机载供电环境下的应用方案.以28 V直流母线典型应用进行了电路方案设计,通过仿真验证了方案的正确性和有效性,并成功应用于机载设备电源系统中.     

直流电弧等离子体炬数值模拟与诊断

直流电弧等离子体炬内部物理过程复杂且具动态性,较难对其进行准确描述与深入研究,且其工作温度较高,其状态参数难以使用常规方式测量。针对直流电弧等离子体炬,建立流动、传热和电磁相互耦合的数值模型,基于Fluent软件对直流电弧等离子体炬进行三维数值模拟和特性分析,设计并搭建了一套热焓探针实验系统,完成对直流电弧等离子体炬射流参数的测量分析。结果表明:建立的数值模型模拟结果与实验测量结果吻合较好,误差在10%以内;炬内温度与速度最大值与工作气流量呈正相关,均出现在靠近阴极区域,且沿轴线逐渐降低;等离子体炬内高温区与高电流密度区重合。     

基于反电势形状函数法的无刷直流电动机直接转矩控制

采用两相导通模式时通过逆变器开关状态不能确定电压空间矢量,现有方案是通过实时测量3个相电压来解决这一问题,但系统变得复杂;此外现有方案在转矩观测中包含的微分项会降低控制精度,增大计算量,影响系统实时性。针对这两点不足,提出反电势形状函数法,在软件中实现了相电压的实时计算,使转矩观测变得简洁,更易于工程实用。最后给出的仿真与实验结果证明了反电势形状函数法用于无刷直流电机直接转矩控制中的可行性与有效性。     

超薄层C—N共渗研究

用自行研制伯低真空化学热处理多用炉进行低真空脉冲式碳－氮共渗试验。研究渗剂组成及配比、工作压力、脉冲工艺周期、共渗温度与时间对渗层特性的影响。研究结果表明，在适当的工艺条件下，低真空脉冲式碳一氮共渗工艺能满足机械零件表面硬化层深度０．１－－０．３ｍｍ，硬度≥５８ＨＲＣ的要求。     

示波器校准仪方波电压的检定方法

概述了示波器校准仪发展的历程,分析了以往方波电压检定中存在的问题,提出了解决的方法,并对几种示波器校准仪方波电压的检定方法作了详细介绍。     

气体碳氮共渗中HCN的伴生与消除试验研究

本试验检测了在多种渗剂和不同温度条件下碳氮共渗气氛。结果表明，所有试验条件下炉气中均含有ＨＣＮ成分，其浓度高达４１．２３－１４９．５２ｍｇ／ｍ＾３。并试验研究了消除ＨＣＮ污染的治理方法，即采用密闭工作系统，炉气通过吸收破氰装置后排放，能够简例而可靠地消除ＨＣＮ组份，实现无法无污染气体碳氮共渗热处理。     

关于切顶线三角形有向面积的定值定理及其应用

本文给出切顶线三角形（有向）面积的一些定值定理，并据此推出切顶线共点（其中包括射影几何中著名的Brianchon定理在圆外切三角形中的情形）的结论。     

ZVS PWM全桥三电平直流变换器

提出了一种新型的ZVS PWM全桥三电平直流变换器。该变换器使用了以能量传输最大、滤波电感电流纹波最小、开关管实现ZVS等为条件寻找到的最佳开关方式，克服了传统ZVS全桥直流变换器中开关管电压应力高、滤波电感电流纹波大等缺点，所以其变换效率更高，响应速度更快，进一步拓宽了它的应用范围。本文分析了变换器的工作原理，给出了一个周期内的所有开关模态。本文还论述了谐振电感的设计和占空比的丢失，最后通过一个3kW,50kHz的实验样机加以验证分析结果。