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921.
922.
为深入研究不同类型短轴探管的测值特性,设计了多种无需张线固定的短轴探管,通过风洞试验开展了相关探索研究。试验结果表明:不同外形参数的短轴探管与长轴探管在马赫数在0.95以下时马赫数方均根偏差量差异不超过0.000 3,马赫数修正量差异不超过0.000 8,测值曲线无明显变化;马赫数在1.0~1.4区间时,不同形式的短轴探管与长轴探管的测试结果存在明显差异,优化短轴探管头部外形参数、增加柱段长度可不同程度地降低头部对试验段流场的干扰。   相似文献   
923.
924.
随着拦截导弹弹体长细比的增加和直接侧向力的作用,拦截导弹上全捷联导引头量测信息严重受到弹体弹性振荡和控制力矩激励的影响,从而造成导弹制导精度的下降。针对现有惯导安装在弹体质心附近的振荡波腹处无法敏感导引头振荡的不足,提出了一种在导引头安装微机电陀螺器件测量振荡角速率,构造差分观测量的新状态模型,通过交互式多模型的容积卡尔曼滤波算法实现对视线角速度的解耦和精确提取。通过构建导弹六自由度制导与控制仿真模型,采用蒙特卡洛打靶仿真验证了算法的有效性。仿真结果表明模型重构后的滤波算法可以将弹体振荡的均方根误差压缩到0.5°以内并有效跟踪弹目视线角速率。  相似文献   
925.
926.
本文基于半物理的飞管系统集成验证技术,详细介绍了基于半物理的飞管系统集成验证平台架构与实现,研究了基于半物理试验的飞管系统仿真建模方法,完成了用于飞管系统半物理试验的仿真模型开发。在某型飞管系统集成试验过程中,搭建了基于半物理的飞管系统集成验证平台,在完整的全系统仿真基础上,通过真件与仿真件之间的逐一替换,逐步完成飞管系统集成验证工作。该方法有效的提高了飞管系统集成效率,满足了飞管系统集成验证需求。  相似文献   
927.
由于γ射线对SiO2的电离作用,会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化,负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时,实现稳定基准和低漏电开关是个难点,通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图,但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理,并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路,同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后,通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析,高压ADC在50krad(Si)总剂量条件下仍能达到设计要求。  相似文献   
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