无引线镀金表面贴装器件搪锡技术

针对无引线镀金表面贴装器件(如CLCC等封装类型器件)的手工智能焊台搪锡技术、手工锡锅搪锡技术、返修工作站搪锡技术进行了介绍和讨论,并比较了三种搪锡技术的性能特点,给出了适合无引线镀金表面贴装器件搪锡的最佳方案。     

酸铌锂单晶的极化工艺对晶体性能的影响

电视机中频滤波器国产化用铌酸锂声表面波单晶(L·N)生长的极化工艺,直接影响到晶体的极化程度,晶体的极化程度直接影响到机电耦合系数k及介电常数ε_(33)最后影响到滤波器的出管率。经对极化电场、极化温度、升(降)温速率、极化时间诸因素的优选,选定高温极化工艺,其主要工艺参数为:极化温度1180～1200℃;直流电场8～10mA/cm~2;保温时间0.5h;升(降)温速率:升温↑1180℃(速率100℃/h);降温↓～900℃(速率50℃/h);降温↓～600℃(速率100℃/h)。     

通用智能传感器

本文概述一种生产灵活的通用智能传感器的方法,这种传感器可直接接口到微处理机,并可用标准的微电子生产过程来制造。文中对相应的电路及有关问题作了简介。     

空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量

文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究。在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机实时监测器件电参数随辐射剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征,得出了被试器件抗总剂量辐射的指标。研究结果可为被试器件在航天器型号的使用提供技术参考依据。     

CCD相机系统中的高信噪比多通道信号处理设计

简要介绍了高速CCD相机中的电子学系统及CCD信号的处理流程。根据相机多路CCD信号同步处理的要求,设计了一个信号处理单元并行处理24路像元速率为4MHz的CCD信号。CCD信号处理主要关注在提高相机成像信噪比、暗电平箝位及多路信号一致性调整3个方面,文章针对上述问题进行了分析,提出了解决方案。最后,给出了相机系统的测试结果。     

宇航用双极器件和光电耦合器位移损伤试验研究

文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律。研究结果表明,在质子70 MeV以上高能量范围,对于硅器件适用的位移损伤等效原理对于GaAs化合物器件则不再适用,需要修正。根据试验数据,给出了经验的修正系数。     

飞机电源系统远程配电单元测试方法研究

远程配电单元（Remote Power Distribution Unit,简称RPDU）是飞机电气负载管理中心的关键部分,其功能性能好坏关系到飞机负载供电的安全,也影响飞机的安全性。本文根据飞机地面试验特点,研究了一种针对RPDU功能性能测试的试验方法,该方法完整、可靠,很好的满足了试验需求。