智能传感器—微机在惯性器件中的运用

本文论述了采用我校研制的SCE-48单片机开发装置,开发MCS-48系列单片机,使之与加速度计相结合,并研究提高微重力加速度计性能的具体方法。对加速度计的数学误差模型进行了测定,试验分析表明,加速度计与单片机组合后,其精度、零偏和非线性等均有明显改善。本文的研究方法也可推广到陀螺仪和其它传感器。     

在航天遥感器产品中推广与应用SMC/SMD产品和SMT技术

文章介绍了SMC/SMD器件和SMT技术在世界的发展状况和国内的应用概况,论述了航天遥感器在今后的设计中推广与应用SMT技术的重要性和必然性以及应用SMC/SMD器件需创造的条件。     

关于大功率PIN微波开关研制的探讨

大功率低损耗PIN微波开关的研制成功,对航天和电子对抗技术应用具有重要价值。为推动该技术应用,本文叙述了一个既考虑分布参数又考虑集中参数的混合集成大功率单刀双掷PIN开关的设计原理及实例,提出了克服二极管引线电感的方法;二极管安装位置的最佳选择原理和控制偏压对通过功率的影响等。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时,通过仿真获得器件微观电参数分布特性,分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外,针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域,提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路,并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

一种基于权值存储的自适应旁瓣干扰对消系统

为了解决传统雷达旁瓣干扰对消系统在强近地杂波接收时对消器收敛环无法正常工作的问题,提出了一种基于收敛权值存储的自适应旁瓣干扰对消系统,并给出了详细的软硬件实现方法.整个系统以EP1K100为控制核心.实际设备装调的结果证明该系统能有效消除近地接收时强地杂波带来的影响.     

遥感卫星CCD相机的动态范围设计考虑

动态范围是遥感器的一项重要性能指标,设计是否合理直接关系到卫星图像的层次、亮度和对比度,最终影响图像的品质.文章根据CCD相机的成像原理,结合中国已发射遥感卫星的在轨像质,对CCD相机动态范围的设计进行分析并提出一些建议.     

基于ICCD的空间微光成像系统成像性能研究

研究基于像增强型CCD（ICCD）的空间高分辨率微光成像系统的成像性能。通过理论推导及数学仿真的方法，对系统在微光条件下的能量传递、极限分辨力、信噪比以及调制传递函数进行分析计算。研究表明，系统在黎明照度条件下具有较好探测能力，通过对ICCD器件制冷可以有效提高系统信噪比，实现满月照度的探测成像。     

物方反投影下的星载多光谱相机内视场虚拟线阵拼接

针对遥感卫星多光谱相机非共线TDICCD成像方式,文章提出了一种基于虚拟线阵CCD的相机内视场拼接方法。参考严格几何模型建立虚拟影像像点与地面点间的对应关系,校正相机内方位畸变,根据物方几何约束的地面点反投影算法,建立虚拟影像像点与原始影像像点的坐标关系模型,实现逐像素灰度赋值。最后,以两景"资源三号"卫星多光谱原始影像作为试验数据,验证所提算法的可靠性,试验结果表明:该拼接方法效果好、精度高,具有较好的应用前景。     

基于DS18B20的智能温度控制器

基于DS18B20的智能温度控制器采用单总线数字温度传感器,硬件结构简单,测量精度高,抗干扰能力强,重点介绍DS18B20的特性和编程要点.     

柔性热电薄膜器件的研究进展

针对柔性热电薄膜器件的最新研究进展,从柔性基底、热电材料、薄膜沉积工艺、过渡层的引入和器件设计等几个方面归纳总结了在热电器件制作过程中材料和工艺选择方面应注意的问题。对各类柔性热电薄膜器件的性能对比分析表明:目前性能最佳的柔性器件采用的材料是(Bi,Sb)2Te3类合金,其单个热电偶对在1K的温差下可输出0.1~0.3mV的电压;在内阻足够低的条件下,单个热电偶对在1K温差下的输出电压与热电材料的Seebeck系数相等;增加热电薄膜的厚度能够有效地降低热电偶对的内阻,进而提高器件的输出电压。