电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显；在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.     

基于谐振隧穿效应的波导偏振器的综合研究

在基于谐振隧穿效应的波导偏振器中，根据各种模式损耗关系，我们研究了各层厚度，提出一种改进方法，以便得到这种偏振器的最优设计，也探讨设计器件的制造公差，在设计波导偏振器及其它器件方面这种研究是非常有用的，例如基于相同原理的选择波长滤波器。     

俯仰三角翼的流态及结构

本文对俯仰三角翼的流动特性进行了实验研究，给出了俯三角翼的截面流态特点，对三角翼俯仰 运动的流动机理进行了分析。     

采用以谐振隧道贯穿效应的光纤偏振器

我们首次演示了一种采用谐振隧道贯穿效应、多层漏泄、全光纤的光纤偏振器，实验证实器件的偏振水光比（ＰＥＲ）≈２７ｄＢ，插入损耗（ＩＬ）≈３ｄＢ，并有进一步改善器件性能的潜力；为分析该器件，提出了一种简单的平面波导模型，理论预计与实验结果完全一致，进一步研究表明：通过适当选取器件参数，对于波长λ＝０．６３８８μｍ，消光比为６８ｄＢ，插入损耗为０．２ｄＢ；当λ＝１．３μｍ时，实现ＰＥＲ约８０ｄＢ，插入损     

热处理细化Ti46A18.5Nb0.2W合金的铸态组织

用风冷（ＧＦＣ）／回火再加在１０００～１２００℃之间的循环热处理的方法对Ｔｉ４６Ａｌ８．５Ｎｂ０．２Ｗ合金的铸态合金组组织细化进行了研究。结果表明：风冷（ＧＦＣ）／回火处理能快速地破碎Ｔｉ４６Ａｌ８．５Ｎｂ０．２Ｗ合金的铸态组织，得到双态组织（ＤＭ），并且组织比较均匀。循环热处理是在１０００～１２００℃之间进行，循环热处理能有效地阻止已经存在的ｒ晶粒异常长大，并且能使空冷形成的亚稳层片迅速均匀地等     

纳米硅薄膜的氧化特性

将ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜进行等离子和高温氧化处理，测量了样品的氢，氧含量，Ｒａｍａｎ谱，红外吸收谱，光致发光（ＰＬ），结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中，但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同Ｒａｍａｎ谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响，用晶粒－表面模型对氧化引起的光致发光（ＰＬ）蓝移进行了解释。     

能量：源自何方，循归何处

地球乃至宇宙空间无处不有、无时不在传递和循环着能量。然而这些能量源自何方。又怎样循环并归于何处，着实是令关注未来的人们共同探究的一个有趣而深邃的话题。     

DS开发系统总线式仿真的过程

本文简要介绍了ＤＳ开发系统总线式仿真的结构，比较详细地描述了初始化、存储器读写、ＩＯ读写、目标机的启动运行和中断运行的总线仿真命令的主要实现过程，并简述了它在工程中的应用。     

粗糙表面偏振二向反射分布函数的影响参数及其反演

针对目标偏振二向反射特性研究中模型参数难以准确确定的问题,分析了粗糙表面偏振二向反射分布函数的影响参数,并通过理论推导和仿真计算,研究了各参数对粗糙表面散射特性的作用机理。总结分析了现有参数反演方法,针对现有方法存在的理论缺陷,在P-G(Preist-Germer)模型的基础上,提出了利用"相对偏振分量-角度"的相关关系进行参数反演的方法,设计了参数反演算法,进行了标准反射板和绿漆表面的偏振二向反射特性测试实验,并根据实验数据进行了参数反演和模型验证。实验结果表明,改进的参数反演方法可准确反演所有模型参数。利用反演参数进行模型验证,结果显示模型预测数据与实验数据具有较好的吻合度,验证了模型的准确性。