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511.
综述了天文用CCD激光探测器对天文杜瓦的要求,介绍了研制的TWD型杜瓦的特点和试验情况。试验结果表明,在无探测腔时,Ⅱ型和Ⅲ型杜瓦容器的技术指标分别达到:有效容积2.5L和1.25L;质量2.05kg和3.02kg;液氮保存期110h和116h.真空寿命达2年以上.接探测腔后,Ⅱ型杜瓦液氮保存期为40h;CCD冷盘温度可达到-100~-120℃.  相似文献   
512.
近年来,小卫星的发展非常迅速,同时适于小卫星的有效载荷也得到了相应发展。小型CCD相机已成为各国竞相研制的重点之一。以色列ELOP光电公司正在研制的轻型CCD相机--CEREM(监测地球资源的空间相机),不仅体积小,重量轻、功耗低,而且还有较高的分辨率,非常适合在小卫星上使用。  相似文献   
513.
文中简要回顾了光电遥感器的发展过程,并根据对光电遥感器的性能要求,结合现有的最新技术发展成果,提出了一套机载昼诳成像轻型光电遥感器的研制方案。并论证了该方案的可行性。  相似文献   
514.
传统的TDICCD相机沿轨成像模式只需要调整偏流角和卫星飞行速度决定的积分时间,而TDICCD相机非沿轨成像则需要更加复杂的姿态和积分时间控制.对TDICCD相机非沿轨成像进行仿真,有助于了解其工作原理,并有针对性地研发数据处理方案.文章实现了卫星TDICCD相机对非沿星下点轨迹方向条带目标成像的两种仿真方法.一是"南...  相似文献   
515.
为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明:加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时,抗辐射加固的性能最好,SET脉冲宽度降低程度可达40%左右;然而,当处于反偏状态时,由于特殊的电荷收集过程的存在,使得SET脉冲幅度反而会明显增大,脉冲宽度减小程度并不明显。此外,还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响,得到提高抗SET效果的加固方法。  相似文献   
516.
<正>中航工业雷达与电子设备研究院于2004年3月由中国航空工业第六○七研究所和苏州长风有限责任公司整合成立,在无锡和苏州分设研发中心和生产试验基地,是集机载雷达、显示器等航空电子设备研发、试验、制造为一体的科技先导型研究院,业务范围覆盖了政府系统和商用系统两大领域,涉及综合监视系统、机载雷达、座舱显示器、广播电视网络传输设备、专用传感器件等众多产品。  相似文献   
517.
518.
应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁(SEB)风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真(TCAD)对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时,通过仿真获得器件微观电参数分布特性,分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度(5.4 MV/cm和4.2 MV/cm)超过SiC材料击穿场强(3 MV/cm)。此外,针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域,提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路,并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。  相似文献   
519.
由于传统气密封装方法在封装的过程中会给电子器件带来不利的影响,本文基于银焊膏电流烧结快速互连技术,提出了一种新型的气密封装方法,可用于航天功率分立器件的密封。本文研究了通电过程中接头温度、微观形貌以及剪切强度的变化。在银焊膏电流烧结的过程中,随着有机物的去除,烧结银层升温速率急剧下降,并且最初被有机物分离的银颗粒逐渐相互接触。随着通电时间延长,烧结银接头越来越致密,伴随着接头强度的不断提高。最终获得的烧结银密封接头可以满足封装器件对气密性的要求。  相似文献   
520.
为实现高效测量,减少多种类型被测器件导致的测量参数设置复杂问题,本文通过分析微波网络S参数测量系统的工作原理和性能特点,采用C#多线程、模块化结构设计出S参数自动校准软件,对S参数测量系统建立被测器件的类型、标准件的参数以及测试流程等数据库,同时建立被测参数的测量不确定度模型。基于矢量网络分析仪结合自动校准软件实现反射参数与传输参数的测试,通过试验可发现,采用自动化校准软件的测试结果与手动测试结果具有较高的一致性。  相似文献   
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