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511.
CCD敏感器系统测距测角技术的研究   总被引:4,自引:1,他引:4  
进行了CCD敏感器系统用于空间飞行器交会对接中测量目标距离和角度的理论研究,计算机模拟结果表明了测量方法是可行的。通过对结果分析,得出了一些重要的结论。  相似文献   
512.
在数据采集和处理系统中,高速A/D转换器是一个很重要的部件。本文提出一种新的采用电荷耦合器件组成的高速短序列A/D转换电路。实验表明,这种电路相当于两个采样率为5MHz的8位A/D转换器。它的电路简单,成本低廉。进一步提高转换速度和准确度是有潜力的。  相似文献   
513.
航空发动机转子参数遥测中, 多路并行红外无线数据传输需要多个高速红外编解码器.利用(CPLD)复杂可编程逻辑器件能够同时在单个器件上实现多个编解码器, 有利于减少遥测系统的器件数量, 便于在发动机转子上安装.本文采用CPLD器件设计高速红外编解码器, 以4PPM编码进行了4Mbps的红外数据传输试验, 通过对红外收发器性能和CPLD输入时钟精度的分析, 找出了4PPM编码时数据传输出现差错的原因, 并对编码方式进行了改进设计, 提出2/3PPM和4/5PPM编码方式, 实现了数据的正确传输, 还提高了编码效率和数据传输速率.   相似文献   
514.
从建立标准化工作系统和标准体系、认真宣贯标准、加强技术文件的标准化审查、重视标准实施的监督检查以及进行典型案例教育,提高全员的标准化和质量意识等方面介绍了7171厂/16所在惯性器件研制中开展标准化工作的具体做法.  相似文献   
515.
为探究先进互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在空间应用中的可靠性问题,研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明:加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时,抗辐射加固的性能最好,SET脉冲宽度降低程度可达40%左右;然而,当处于反偏状态时,由于特殊的电荷收集过程的存在,使得SET脉冲幅度反而会明显增大,脉冲宽度减小程度并不明显。此外,还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响,得到提高抗SET效果的加固方法。  相似文献   
516.
<正>中航工业雷达与电子设备研究院于2004年3月由中国航空工业第六○七研究所和苏州长风有限责任公司整合成立,在无锡和苏州分设研发中心和生产试验基地,是集机载雷达、显示器等航空电子设备研发、试验、制造为一体的科技先导型研究院,业务范围覆盖了政府系统和商用系统两大领域,涉及综合监视系统、机载雷达、座舱显示器、广播电视网络传输设备、专用传感器件等众多产品。  相似文献   
517.
518.
应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁(SEB)风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真(TCAD)对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时,通过仿真获得器件微观电参数分布特性,分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度(5.4 MV/cm和4.2 MV/cm)超过SiC材料击穿场强(3 MV/cm)。此外,针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域,提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路,并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。  相似文献   
519.
由于传统气密封装方法在封装的过程中会给电子器件带来不利的影响,本文基于银焊膏电流烧结快速互连技术,提出了一种新型的气密封装方法,可用于航天功率分立器件的密封。本文研究了通电过程中接头温度、微观形貌以及剪切强度的变化。在银焊膏电流烧结的过程中,随着有机物的去除,烧结银层升温速率急剧下降,并且最初被有机物分离的银颗粒逐渐相互接触。随着通电时间延长,烧结银接头越来越致密,伴随着接头强度的不断提高。最终获得的烧结银密封接头可以满足封装器件对气密性的要求。  相似文献   
520.
为实现高效测量,减少多种类型被测器件导致的测量参数设置复杂问题,本文通过分析微波网络S参数测量系统的工作原理和性能特点,采用C#多线程、模块化结构设计出S参数自动校准软件,对S参数测量系统建立被测器件的类型、标准件的参数以及测试流程等数据库,同时建立被测参数的测量不确定度模型。基于矢量网络分析仪结合自动校准软件实现反射参数与传输参数的测试,通过试验可发现,采用自动化校准软件的测试结果与手动测试结果具有较高的一致性。  相似文献   
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