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51.
52.
仅含碳、硅、锰合金元素的结构钢,采用临界区等温淬火热处理工艺,得到了铁素体、贝氏体和残余奥氏体三相组织。该钢在Ms(马氏体转变开始温度)~Md(马氏体转变终止温度)d温度之间形变,应变诱导相变,相变诱发塑性--TRIP,其力学性能指标大大提高。本文通过显微组织观察,力学性能结果分析,对这种低碳硅锰系TRIP钢三种不同的热处理工艺制度进行了研究。 相似文献
53.
低碳硅锰系TRIP钢热处理工艺的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
仅含碳、硅、锰合金元素的结构钢,采用临界区等温淬火热处理工艺,得到铁素体、贝氏体和残余奥氏体三相组织。该钢在 Ms(马氏体转变开始温度)~Md(马氏体转变终止温度)d温度之间形变,应变诱导相变,相变诱发塑性──TRIP,其力学性能指标大大提高。本文通过显微组织观察,力学性能结果分析,对这种低碳硅锰系TRIP钢三种不同的热处理工艺制度进行了研究。 相似文献
54.
根据试验与计算分析,提出了确定构件蠕变屈曲临界时间的“曲率极大点”法。理论计算与试验结果的一致性表明该方法合理、有效、可行;通过对板、圆柱壳蠕变屈曲的试验与计算分析,为航空发动机燃烧室的蠕变屈面研究提供了模型简化的基础和方法上的准备;最后,对某型航空发动机燃烧室蠕变屈曲进行了计算分析。 相似文献
55.
研究了随机载荷条件下元件断裂可靠性计算的方法,给出了一般和特殊条件下元件断裂可靠性的计算方法,并采用Monte Carlo法模拟裂纹在随机载荷作用下的随机扩展.通过对模拟计算结果的统计分析得出任意给定时刻疲劳裂纹尺寸的分布,以及临界裂纹尺寸的分布,并提出用修改了的裂纹长度模型计算裂纹在随机扩展中的瞬时可靠度和过程可靠度. 相似文献
56.
转台速率波动原因分析及一种自适应抑制方法探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
对导致惯导测试与运动仿真转台速率波动的原因进行了探讨,分析了它们对转台速率波动的影响,并在此基础上提出了一种针对位置传感器周期性误差的速率波动自适应抑制方法。 相似文献
57.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
58.
蓝新艳%王应德%薛金根%王鲁 《宇航材料工艺》2005,35(1):35-38
采用自制单孔熔融纺丝系统,对熔融纺丝状态时聚碳硅烷(PCS)的流变特性展开了研究。结 果表明:PCS熔融纺丝时,喷丝板孔道中的剪切速率在102~104s-1之间;PCS熔体为切力变稀流体;非牛顿 指数n为0.6~0.95;黏流活化能Eη约为190~230kJ/mol,是一般成纤高聚物的2~5倍。表观黏度η为 20~60Pa·s,对温度变化非常敏感,可纺温区很窄。 相似文献
59.
张中伟%王俊山%许正辉%李承新 《宇航材料工艺》2005,35(2):42-46
提出并制备了可以应用于1 800℃的抗氧化涂层体系,固渗法制备SiC内层,料浆涂刷法制备高温氧化物釉层和硼硅化物釉层.经扫描电镜分析涂层形貌及电子能谱分析其组成,发现C/C复合材料基材结构完整,没有发生次表面氧化.试验结果表明氧乙炔焰烧蚀20 s后,失重为0.06%;1 800℃自然对流氧化试验条件下,氧化物釉层30 min的平均失重速率为0.06g/(m2·s);硼硅化物釉层60min的平均失重速率为0.2g/(m2·s).说明涂层体系在1 800℃具有良好的抗氧化能力. 相似文献
60.
郝雷%刁训刚%顾宝霞%王天民 《宇航材料工艺》2008,38(2):26-29
采用多弧离子镀制备了多彩Al/TiNO(掺氮TiO2)薄膜,利用SEM观察了薄膜的表面、断面形貌,并测量了其膜厚.采用XRD研究了薄膜的相结构.利用紫外一可见分光光度计研究了TiNO膜的可见光谱特性,用红外比辐射率测量仪测量了样品的红外发射率.结果表明:在不改变Al箔在8~14 um波段低红外发射率的情况下,实现了其物理着色.所得薄膜为锐钛矿型TiO2结构,薄膜表面平整、致密,结合力较好.TiNO薄膜呈明显柱状生长,薄膜试样表面未出现明显缺陷,薄膜表面致密,柱状颗粒生长完好.TiNO薄膜的沉积速率达120 nm/min. 相似文献