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以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
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文章对股票的投资回收期及股票的标准投资回收期进行了探讨,针对不同股票的特征,提出了4种股票投资回收期的模型,从而,克服了用市盈率作为判断股票投资价值的不足,为股票投资者提供了一个投资决策方法。 相似文献
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在WWW的三层结构中,数据库安全是应用程序总体安全的关键。本文分析了通过网络访问数据库不安全的因素,提出了一个合理的解决方案。 相似文献