灯丝放电磁场约束型原子氧效应地面模拟试验设备

介绍了用于原子氧剥蚀效应研究的灯丝放电磁场约束型地面模拟设备 ( IFM)的构成及工作原理,简单阐述了装置的运行测量结果,分析了等离子体参数随试验条件的变化趋势。并用 IFM设备对 Kapton空间用材料进行了地面模拟试验,试验结果与国外空间飞行暴露试验结果相似     

爆炸波与物体干扰流场的数值模拟

本文构造一类新型的计算效率较高的ＥＮＯ差分格式。利用该格式非定常Ｅｕｌｅｒ方程出发,对爆炸波扫过物体时形成的二维和三维干扰流场进行了数值模拟,计算结果与实验数据符合较好。     

真空羽流逆流污染的理论计算

针对普遍关注的羽流逆流污染问题,讨论了喷管出口背部位置受到的回流分子撞击热污染和分子沉积问题,从分子运动论和统计力学出发编制了计算程序,对不同的算例进行了计算,得到符合规律的结果,为火箭发动机设计和科学试验提供了理论依据。     

民用飞机起落架设计与适航

民用飞机的适航认证是非常重要的,没有得到适航许可的民用飞机不能投入使用。而适航工作从飞机方案设计阶段就应相应开展。本文通过AC-500公务机起落架的方案设计来说明新机起落架方案如何考虑适航条款,才能设计出既满足飞机性能技术指标要求,又满足适航部门颁布的适航条款要求的起落架。     

Cf/SiC复合材料先驱体转化法浸渍工艺条件优化

主要研究了先驱体转化法制备碳纤维三维编织物增强陶瓷基复合材料的浸渍工艺条件,探讨了不同温度,压力对PCS／DVB溶液法和PCS熔融法浸渍效率的影响,优化出最佳浸渍工艺参数。结果表明,温度对PCS／DVB溶液粘度影响较大,升高温度可急剧降低PCS／DVB溶液的粘度,有利于浸渍。PCS／DVB溶液法浸渍的最佳工艺参数为：50－60度,2MPa,PCS熔融法浸渍的最佳工艺参数为：300度,2MPa,采用PCS／DVB溶液法浸渍时的浸渍效率优于PCS熔融法,经四个浸渍裂解周期后溶液法制备的材料密度（1．53g/cm3-1.61g/cm3)明显优于先驱体熔融法（1．43g/cm3-1.52g/cm3)     

MOCVI制备Nextel 720/SiO2复合材

研究了MOCVI(MetalOrganicChemicalVaporInfiltration)方法制备Nextel720/SiO     

连续同步复合法快速制备C/SiC复合材料

连续同步复合法是一种建立在传统 CVI原理基础上的制备碳布增韧陶瓷基复合材料的新工艺 ,在制备过程中碳布通过连续缠绕在旋转的石墨衬底上 ,使纤维预制体的制备与基体的热解沉积同步进行 ,从而实现增韧相与基体在宏观和微观尺度上同步复合。通过控制反应物气体浓度、沉积温度与碳布缠绕线速度 ,达到控制微观孔隙网络与宏观孔隙的协调致密化。采用连续同步复合法制备碳布增韧 Si C基复合材料 ,实际密度可达其理论密度的 93 % ,制备周期显著缩短。     

自组织模糊CMAC神经网络及其非线性系统辨识

 针对CMAC的特点,提出了联想度的概念,并由此设计了一种自组织模糊 CMAC神经网络( SOFC-MAC)及其学习算法,证明了SOFCMAC能以任意精度对非线性特性一致逼近。该网络具有学习速度快,逼近精度高及局部泛化能力等特点。歼击机系统特征模型辨识仿真验证表明了该方法的有效性。     

CIV工艺过程中气体传质模型与计算

在建立碳布叠层体心立方模型、碳布叠层立方模型和纤维束叠层模型典型预制体的宏观孔隙结构几何模型和气体传质数学模型的基础上 ,研究了CVI(chemicalvaporinfiltration)工艺过程中孔隙网络结构对气体比渗透率和材料致密度的影响。结果表明 :孔隙网络的结构与形状是决定反应气体在孔隙中的比渗透率和部件最终致密度的主要因素之一。     

热压工艺在Cf／SiC复合材料制备中的应用

探讨了热压工艺 (HP)在常压浸渍裂解 (PIP)制备 Cf/Si C复合材料制备过程中的应用 ,认为热压浸渍裂解工艺 (HP-PIP)既可以改善碳纤维与基体 Si C之间的界面 ,又可以提高材料的致密度 ,使材料内部的空隙减少或消失 ,同时使孔隙排布均匀 ,从而使材料的性能有了大幅度提高 ,其强度由原来的 2 90 MPa提高到 5 40 MPa,并且可重复性很好