渐近展开匹配法在跨音速钝头薄翼型绕流分析中的应用

一、引言 众所周知,钝头翼型的头部区域对均匀来流的扰动不再是小量,该处流动不符合小扰动假设。因此,由跨音速小扰动方程得出的解在头部区域失效。本文将流场分为外部解区,内外解区及头部附近的内内解区（见图1）。     

局部应变疲劳分析方法及计算程序

本文介绍了局部应变疲劳分析方法,及用这种方法计算工程裂纹形成寿命的程序（程序从略）。这种程序的特点是:采用载荷增量、应力增量、应变增量三参数单元,一次完成从载荷-时间历程向局部应力、应变-时间历程的转变;并在转变的过程中计算每一应力、应变循环造成的损伤,最后给出寿命。通过实例计算表明,这种程序简单可靠,计算迅速,可用于缺口构件工程裂纹形成寿命的估算。     

基于分布式激励的多激励源联合控制试验方法

针对高速飞行器运行过程中经受的振动环境复杂而现有的振动试验技术无法对其进行充分的振动耐久性考核的问题,提出了一种压电元件、振动台、激振器联合控制的振动试验技术.该方法将激振器、振动台安放在结构刚性较大的骨架位置以提供集中力,压电元件则分布黏贴于结构刚性较小的柔性部位以提供分布式激振力.分析了高速飞行器运行过程中的振动环境特点以及这些环境对高速飞行器产生失效的影响,并基于对压电元件材料以及激励特性的研究,分析了压电元件作为耐久性振动试验分布式激励源的可行性,最后组建完成一套集成压电元件、振动台、激振器三种激励源的试验演示系统并开展试验研究.试验结果显示,应用该方法可控制结构柔性部位上一点的振动量级达到20.8g,表明了该技术的科学性以及巨大的工程应用潜力.     

防空导弹大攻角飞行姿态控制系统设计

针对防空导弹大攻角飞行这样一个非线形、时变、耦合系统,提出了一种基于模型参考时变全程滑态变结构控制方法,分别针对滚动通道、俯仰/偏航耦合通道进行了设计分析,最后进行了六自由度仿真,得到了满意的结果。     

航天器空投试验用大容量数据记录器的研究

在航天器空投试验中,数据记录器需要长时间高速采集试验数据,并将试验数据保存起来。记录器还要满足体积小和抗着陆冲击等恶劣环境的要求。文章介绍了数据记录器的特点、主要功能,硬件选型及软件设计等。提供了一种利用嵌入式技术来构成大容量高速率航天器空投试验用数据记录器的方法。     

带冠整体涡轮盘电火花加工CAD/CAM技术

叙述了作者研发的带冠整体涡轮盘电火花加工专用CAD/CAM系统--BliskCad/Cam.该系统解决了电极设计与制造、加工轨迹搜索、加工仿真与精度检测等技术难题.对某航空发动机的带冠整体涡轮盘进行的实验结果表明,BliskCad/Cam完全能够满足加工精度要求,并缩短加工准备时间50%以上.     

并联风洞天平应用研究

研究了一种新型的并联风洞天平,首先依据并联天平的空间力变换关系推导出六维感测力雅可比矩阵,然后以该雅可比矩阵条件数最小原则即各向同性准则,将其条件数为目标函数对天平进行结构优化设计,应用数值算法优化出8种满足精度要求的并联天平结构,据此设计并制造出并联天平的物理样机。最后在南京航空航天大学低速风洞中以建筑标模为试验模型检验并联天平的设计性能,结果证明本天平的研制是成功的。     

型腔尖角的轨迹优化

在铣削型腔尖角加工过程中,当环切法加工的行间距离比较大时,型腔尖角处将会出现加工残余.由于刀具与工件的接触线增加,使得尖角处铣削力增大.因此,采用了双圆弧过渡来处理型腔中的尖角,该方法能保证以尽可能大的行距走刀,缩短了加工时问,提高了加工效率,同时还可以清除尖角处的残余留量.尖角处刀具轨迹进行合理优化后,刀具沿着改进的轨迹快速运行,满足了高速铣削型腔的加工要求.最后,实验验证了该方法的有效性.     

抗几何攻击的数字图像版权保护算法

为了在保证图像质量的前提下实施图像的版权保护,提出了一种基于Krawtchouk矩和标识信息的零水印算法.该方法利用从图像中提取的特征信息来构造水印,从而达到版权保护的目的.主要步骤为,首先计算原始图像的Krawtchouk低阶矩不变量来构建水印信息,接着将水印信息和密钥信息在第三方登记注册并获得标识信息,最后通过标识信息确认版权所有者.水印提取过程简单,只需计算所得图像的几个低阶Krawtchouk矩不变量.文中给出了实验结果,并与传统几何矩不变量的算法进行了比较. 结果表明,该方法对旋转、缩放、剪切、组合攻击、平移和去掉行等几何攻击以及滤波、JPEG压缩等攻击具有更高的稳健性.     

Mg-Cu-Y非晶态合金的晶化动力学研究

通过差热分析仪(DTA)研究了非晶态合金M g65Cu25Y10的晶化动力学过程,根据K iss inger峰移法和A rrhe-n ius方程计算了其晶化激活能,发现等温晶化动力学在晶化体积转变分数x为0.15~0.85范围内符合J-M-A方程,493 K下的平均A vram i指数n大于3,而在553K和623 K下的A vram i指数n约为2。运用阶段A vram i指数和阶段激活能,研究了等温晶化过程中不同阶段的形核和长大过程。