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151.
C/SiC复合材料与Nb的液相渗透连接   总被引:8,自引:0,他引:8  
研究了不同编织方法的C/SiC复合材料与金属Nb的连接情况。采用液相渗透连接方法以Ni基连接剂为中间层在1300℃、保温时间45min、压力20MPa、真空条件下分别对二维、三维C/SiC复合材料与金属Nb进行了连接。结果表明二维C/SiC复合材料与金属Nb不能得到较好的连接,整个连接件在由连接温度降温到室温过程中已发生脱离现象;而三维C/SiC复合材料与Nb金属连接良好。  相似文献   
152.
凝胶注模氧化铝陶瓷坯体的结构与表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了凝胶注模氧化铝陶瓷坯体的密度、强度、空隙率分布及微观结构等特征。结果表明,影响凝胶注模陶瓷坯片密度的因素主要有:料浆的固含量、单体含量、单体和胶联剂的比值。随着料浆固含量的提高,坯片的抗弯强度呈下降趋势,坯片内部的孔隙率降低,从平均孔隙度为110nm降为90nm,而且均为单峰分布。凝胶注模成型的陶瓷坯片在干燥后,坯片强度优于注射成型、流延成型等传统成型方式。  相似文献   
153.
航空电子计量校准述评   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了航空电子系统的含义,介绍了航空电子校准的内涵、范围、目的,讨论了航空电子校准的现状、发展目标。结合现状,对于航空计量部门介入航空电子校准,提出了几点原则和建议。  相似文献   
154.
基于粗糙集理论的编队协同空战决策规则提取   总被引:10,自引:0,他引:10  
为了对空战过程中大量的冗余信息进行约简,以提高空战决策的实时性,将粗糙集理论引入到编队协同空战战术决策研究中,提出了一种用于提取空战关键信息和战术决策规则的属性约简算法。并将单一决策属性下的属性值约简方法推广,讨论了更适于编队作战分析的多决策属性下的属性值约简问题。最后,通过一个编队空战战术选择示例对该算法进行了验证,结果表明:空战的冗余信息是可以约简的;此算法可提取出对空战起主要作用的属性,即雷达/中距弹信息;并且在保证空战关键分类结果不变的情况下,可生成用于战术决策的最小简化策略,所提取的决策规则与编队空战的实际相符合。  相似文献   
155.
四参数正弦波曲线拟合的快速算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种基于信号频率估计方法,利用三参数正弦波拟合算法实现的四参数最小二乘正弦波拟合算法,特点是:1)绝对收敛;2)不需要对参数进行预估计;3)算法简洁;4)不需要迭代过程;5)运算速度高.仿真实验验证了方法的有效性、正确性和局限性.  相似文献   
156.
主要介绍了JJF1152-2006《任意波发生器校准规范》中所采用的校准原则、思想和技术.针对任意波发生器实际校准和应用中需要面对的一系列问题,讨论了任意波发生器的技术内涵和实质;提出了其校准的主导思想:仪器设备的校准、波形生成能力的校准、波形生成质量的校准;确定了校准的主要内容:仪器设备极限参数的校准和失真特性的校准;介绍了任意波发生器校准所采取的技术措施:虚拟仪器模式下的模型化测量方法;讨论了校准仪器设备选取原则:通用性原则、溯源性原则和最简捷原则和高精度原则.针对主要校准项目参数,讨论了几种典型校准方法的优缺点.  相似文献   
157.
偏最小二乘回归在军用飞机价格预测中的应用   总被引:7,自引:0,他引:7  
由于军用飞机性能要求的不断提高,影响飞机采购价格的费用驱动因子繁多,使得原有的价格预测模型已经不适用于现代军用飞机。分析了军用飞机采购价格样本数据少、费用驱动因子多的特点,考虑到偏最小二乘回归(PLSR)方法在处理小样本多元数据方面的优势,应用PLSR对军用飞机采购价格进行预测。PLSR首先提取第1、第2主成分对采购价格样本的特异点进行剔除;然后进行变量投影重要度分析以筛选费用驱动因子;最后,PLSR对费用驱动因子进行回归建立军用飞机价格预测模型。实例表明,在军用飞机价格预测方面,与原有的预测模型和逐步多元回归模型相比,应用PLSR预测的精度更高,更能体现采购价格与飞机性能参数之间的关系。  相似文献   
158.
自直8型直升机开始交付用户,在使用中经常发生主、尾桨毂滑油渗漏故障。为此设计和制造部门通过对故障现象、密封材料、密封件结构等进行分析和充分的试验,采取了相应的措施。这些措施经装机试飞验证取得了很好的实施效果。本文对该故障的分析和处理进行了介绍,供以后类似问题的处理参考。  相似文献   
159.
用液相浸渗还原法将Ni渗入C/SiC复合材料,研究复合材料中Ni对化学气相渗透PyC过程的影响.用重量分析法研究Ni的催化作用,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)技术分析材料的微观结构及组成.结果表明,Ni对化学气相渗透PyC具有催化作用,它加速了PyC的沉积,Ni含量为4.4%时增重率达最大值9.98%.沉积的PyC为细小颗粒聚集体.CVI过程中Ni与基体SiC反应生成Ni2Si,Ni3Si.  相似文献   
160.
石墨表面CVD SiC涂层微观结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究CH3SiCl3-H2-Ar体系中在石墨表面化学气相沉积SiC涂层工艺,并对涂层形貌进行SEM分析。考察沉积温度、气体比例、气体流量以及稀释气体含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响。结果表明,在温度1100℃,H2∶MTS=5∶3,气体流量8L/min,稀释气体1L/min时,制备的涂层致密光滑。其中涂层的形貌对温度最敏感,当沉积温度达到1100℃时,CVD SiC涂层表面致密且光滑。  相似文献   
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