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研究了非磁性原子Si替代Co对Ho2 Co17金属间化合物结构和磁性的影响。X射线衍射表明 ,所有Ho2 Co17 xSix(x =0 .5 ,1.0 ,1.5 ,2 .0 ,2 .5 ,3.0 )化合物都为Th2 Ni17型六角结构 ;化合物的晶格常数和单胞体积都随Si含量的增加而呈线性下降。磁性测量表明 ,Ho2 Co17 xSix 化合物的居里温度和饱和磁化强度均随Si含量的增加而呈线性下降。从热磁曲线测量观察到 ,当 0 .5≤x≤ 3.0时Ho2 Co17 xSix 化合物出现由易面到易轴的自旋重取向 ,自旋重取向温度Tsr随Si原子含量的增加先下降 ,而后又上升 ,在x =2 .5处出现最低点。 相似文献
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预应力钢丝缠绕机架(PWWF)是一种先进结构,是大型装备中价值为高的部件。由于PWWF是变刚度、非线性受力及变形自协调的多体混合结构,其传统的设计方法是极其复杂、反复迭代且成本难以控制。本文提出了基于多岛遗传算法的大型钢丝缠绕机架的成本优化方法。在变张力缠绕理论基础建立了预应力钢丝缠绕承载机架的优化设计流程和优化模型。并给出结合轴向载荷为6000KN的等静压设备机架的优化设计实例。与传统设计方法相比,优化成本降低约了21.6%。该优化结果已通过数值模拟方法验证,并成功应用于实际设备的制造中。结果表明,该优化方法合理、可靠。该方法为超546MN和907MN超大规格多机架结构的成本优化提供指导。 相似文献
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为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ,抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。 相似文献
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