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471.
微光探测EMCCD在高灵敏度星敏感器中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
阐述了微光探测的主流技术,重点突出了电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)的结构、功能和优点,并进行了噪声和信噪比分析。同时以星敏感器运用为目的,完成了这一部件的初步设计分析和计算。  相似文献   
472.
基于分布式专家系统的运载火箭故障诊断技术   总被引:1,自引:1,他引:0  
针对运载火箭结构庞大,各分系统纵横交错、相互耦合的特点,基于分布式专家系统思想,提出了一种分布式运载火箭故障诊断技术方案.该方案采用产生式知识表达技术,将专家知识通过由测点表、征兆表、规则表和结论表组成的4表结构来表示,具有表述清晰、易于扩展和移植的特点.推理机制采用分布式推理和分级推理相结合的方式.分布式推理将运载火箭的系统级故障与各分系统级故障分别同时进行诊断,可有效提高诊断速度.分级推理将危害级别高的故障优先进行诊断,因此运载火箭一旦有危害程度大的故障发生时,可以及时发现、及时处置,从而使故障对系统的影响降至最低.   相似文献   
473.
高温合金整体叶轮铸造技术的研究进展   总被引:3,自引:2,他引:1  
评述了高温合金整体叶轮铸造技术的发展现状,介绍了高温合金整体叶轮铸造合金材料的发展,重点阐述了高温合金整体叶轮细晶铸造技术及双性能整体叶轮铸造技术,并指出了高温合金整体叶轮的发展趋势及应用前景。  相似文献   
474.
雷达目标低频RCS可视化计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着计算机进一步发展,科学计算可视化越来越受到重视;而适用于低频区RCS(雷达散射截面)计算的传统方法MOM(矩量法),也越来越显示其价值;为了方便电磁计算和电磁建模,基于先进的计算机三维造型技术和可视化编程手段,采用回路线栅矩量法,计算低频区三维雷达目标RCS,与实验数据比较取得良好的计算结果,对RCS理论计算的工程应用起重要作用.   相似文献   
475.
提出了一种求解材料表面不连续目标的散射场的计算方法.这种表面不连续结构是由同厚度的金属半平板和介质半平板相互连接而形成.解决问题的基本思想是把总的散射场分成几个部分,包括直接散射、由平面波对末端开口的平行板波导入射所产生的耦合场以及它们的绕射和反射问题,并分别考虑其对总散射场的贡献.利用此结果,对飞行器座舱的金属-介质连接结构进行了计算,最终结果和文献结果符合的较好.  相似文献   
476.
向心透平叶片角动量分布的优化   总被引:1,自引:0,他引:1  
 以n条子午流线,给出满足约束条件的各自角动量分布的若干不同组合构成初始复合形,做复合形每一顶点处该向心透平叶轮S2 流面与跨叶片面势流场分析,并以二元紊流边界层动量厚度计算经三元修正,分析叶轮效率,最终使复合形法成功应用于向心透平叶片角动量分布的优化。该方法也适用于离心叶轮中叶片加载量的优化。  相似文献   
477.
陈思源  李烨  孔鑫  郑鑫 《航天控制》2021,39(5):51-55,76
针对装备信息系统类软件特点,提出了一种基于数据驱动的软件设计框架.该框架采用数据土壤生成服务森林的核心设计思想,形成一套快速实现该类软件的设计模式,以及面向表单型、流程型、可视化型等常用业务类型开发的辅助工具,支撑软件的敏捷构建.针对装备数据的异构多源特性,与框架配合提出了面向装备信息的数据规范模型,支撑设计框架的通用...  相似文献   
478.
无人机直接侧力控制的关键是实现无人机运动参数的解耦。逆系统方法是一种很好的解耦方法,但其对模型的要求比较高。为了解决这一问题,本文设计一种H∞控制与逆系统的集成控制结构,对系统的输出解耦控制和鲁棒性分别进行分析,解决了传统的控制结构框架下系统控制精度和鲁棒性不能兼容的矛盾。最后,通过对某型无人机的直接侧力控制仿真验证了这种新型控制器的有效性。  相似文献   
479.
R/S方法求解网络流量自相似参数的实现与应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
基于网络流量具有统计自相似性的理论,通过计算自相似参数Hurst值来检验流量的自相似程度。采用R/S方法对流量数据进行分析,给出了R/S方法详细的实现算法,通过实验的分析与比较,验证了自相似性的存在。自相似性是正常网络流量具备的特征,当流量发生异常时,Hurst值会出现明显的变化,本文将这一变化应用于DDoS攻击检测做了初步的探讨。基于自相似理论的网络流量异常检测技术与传统的基于统计异常技术和数据包特征匹配等方法相比,具有更高的准确性和可靠性。  相似文献   
480.
制备了Cd1-xZnxS三元系半导体材料。利用X射线衍射(XRD)对其结构进行了表征,结果表明实验所得样品均为纤锌矿结构。建立了Cd1-xZnxS混晶替位模型,根据所建模型和晶格振动理论,对Cd1-xZnxS红外光谱特性进行探讨。研究了Cd1-xZnxS三元系半导体材料红外发射率特性,Cd1-xZnxS在3~5μm波段的发射率远远低于8~14μm波段的发射率,这与材料的红外吸收机制和光谱特性有关;Cd1-xZnxS半导体材料的红外发射率随着烧结温度的提高而降低,这是由于温度升高,晶格畸变减小并逐渐趋近于完整晶格。  相似文献   
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