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101.
102.
C H Yang L M Craise M Durante M Mei 《Advances in Space Research (includes Cospar's Information Bulletin, Space Research Today)》1994,14(10):373-382
On Moon and Mars, there will be more galactic cosmic rays and higher radiation doses than on earth. Our experimental studies showed that heavy ion radiation can effectively cause mutation and chromosome aberrations and that high-LET heavy-ion induced mutants can be irreversible. Chromosome translocations and deletions are common in cells irradiated by heavy particles, and ionizing radiations are effective in causing hyperploidy. The importance of the genetic changes in the evolution of life is an interesting question. Through evolution, there is an increase of DNA content in cells from lower forms of life to higher organisms. The DNA content, however, reached a plateau in vertebrates. By increasing DNA content, there can be an increase of information in the cell. For a given DNA content, the quality of information can be changed by rearranging the DNA. Because radiation can cause hyperploidy, an increase of DNA content in cells, and can induce DNA rearrangement, it is likely that the evolution of life on Mars will be effected by its radiation environment. A simple analysis shows that the radiation level on Mars may cause a mutation frequency comparable to that of the spontaneous mutation rate on Earth. To the extent that mutation plays a role in adaptation, radiation alone on Mars may thus provide sufficient mutation for the evolution of life. 相似文献
103.
杨惠 《中国民航学院学报》1994,(4)
自汉朝以来,以儒家法律思想为主的封建正统法律思想在中国法律史上一直处于独尊独尚的地位。然而,清廷统治的最后十年,一场史无前例的变法修律,却首开吸收西方资产阶级法律思想入律之先河,第一次对封建正统法律思想的根本原则,基本内容等进行了突破、改易。尽管这些突破是有限的,但它足以表明晚清修律终于结束了两千多年来封建正统法律思想的垄断统治,终于使中国古代法律冲破了旧的樊篱,迈上了近现代型的历史轨道,为新的法律思想的发展完善开拓出了广阔的空间。 相似文献
104.
105.
106.
107.
静态随机存储器(SRAM)在空间环境中可能会受到总电离剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE)协合作用的影响,导致器件单粒子翻转(SEU)的敏感性发生改变。文章针对90 nm的SRAM器件,通过器件级和电路级的综合仿真手段,利用计算机辅助设计(TCAD)和集成电路模拟程序(SPICE)软件研究TID和SEE的协合作用对SRAM器件SEU敏感性的影响机制。发现:当TID和SEE作用在器件相反工作阶段(即存储相反数据)时,SEU敏感性随着总剂量的增加而增强;当TID和SEE作用在器件相同工作阶段(即存储相同数据)时,SEU敏感性随着总剂量的增加而减弱。其原因主要是SRAM的一个下拉NMOS管受到总剂量辐照发生损伤后,引起电路恢复时间和反馈时间的改变,并且恢复过程和反馈过程对SEU敏感性的贡献程度不同。以上模拟结果可为存储器件的抗辐射加固设计提供参考。 相似文献
108.
本文简要介绍了CCD产生干涉条纹的原因,对采用减法消除干涉条纹方法进行了论述。通过试验研究,提出了一种计算误差的方法,并对计算结果进行了分析和讨论。 相似文献
109.
基于特征模型的全系数自适应控制系统稳定性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了基于特征模型的黄金分割加逻辑微分自适应控制律组成闭环系统的稳定性问题。针对参数未知、线性定常或慢时变的二阶不稳定对象,本文给出了在采样周期满足一定条件下,上述闭环系统渐近稳定的充分条件,其中包含对于时变参数变化范围和非线性阻尼系数的约束条件。 相似文献
110.