振动与冲击测量中的校准与标准

前言机械振动与冲击都是动态现象—即其强度是随时间变化的,因为振动强度可以用位移、速度或加速度来表示,所以必须测量的     

氮化铝薄膜及复合体波谐振器

为了在超高频范围内对基模振荡器进行控制和运用滤波器,开展了对于小型体波谐振器的基本材料和器件特性的研究。本文报道了氮化铝(ALN)在构成复合谐振器几何形状和边缘支撑型晶片结构方面的性能。 ALN薄膜是在直流平板磁控管溅镀装置中,用中间电极溅射出来的AL和等离子气体中的N_2之间的等离子体反应生成的。一般溅镀条件是:溅镀压力=1×10~(-3)毛,空气含氮量=99.999％基片温度=200℃,直流功率-225瓦,溅镀率=1.2微米/小时。ALN薄膜的品质用扫描式电子显微镜(SEM)、X射线衍射法和奥格(Auger)电子分光镜进行鉴定。检测结果说明,溅镀的ALN薄膜具有严格的晶向结构,其C轴垂直于Si(硅)基片表面。对于由1.7微米ALN薄膜和8微米Si基片组成的谐振器,测出的基频串联谐振频率为328.53兆赫,基频并联谐振频率为328.61兆赫。这种规格谐振器的Q值约有7500,它在-20℃至+120℃范围内的实测温度系数约为-4×10~(-8)/℃。对于具有1.7微米ALN薄膜和6微米Si基片的谐振器,实测的温度系数是-6×10~(-6)/℃。这种规格谐振器的Q值约为5000,它的基频串联谐振频率是524.11兆赫,而基频并联谐振频率是524.45兆赫。应用微电子半导体加工技术,已经制成了边缘支撑型ALN晶片。晶片厚度为1.0至7微米,面积约为300平方微米。这种晶片是边缘支撑型的,这与以前报道的底膜支撑型薄膜是不相同的。厚度为6.5微米的典型ALN晶片在790兆赫附近产生基模谐振,耦合系数为10.3％。在-20℃至120℃范围内测得的温度系数可达到-20.5×10~(-6)/℃。目前,已按外延特性制造出具有水平C轴的氧化锌ZnO晶片。这种晶片显示出切变波谐振特性,这意味着晶片有很高的谐振Q和比较简单的模式结构。     

溅镀C轴倾斜的压电膜和切变波谐振器

作者对溅镀的压电膜能否应用于甚高频至微波频率的声波器件进行了研究。本文介绍了切变波谐振器用的C轴倾斜的氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)膜的生长及特性。文中计算了某些膜的切变波激动的定向关系。这些膜在C轴取向与表面法线成大约45°时,可能激励出接近于纯的切变波。在其他角度,则只能激励准切变波和准纵向波。 C轴对膜法线倾斜方向合适的ZnO或AlN膜,是在配有辅助阳极的反应式直流面磁控管溅镀系统中生长的。这类膜可用扫描式电子显微镜(SEM)和体声波器件测量法进行鉴定。自Si基片法线倾斜的C轴晶粒柱形结构可在扫描式电子显微镜中清楚地看到。C轴倾斜角达45°,厚度达10微米的薄膜已经制做成功。在P~+Si基片上溅镀上ZnO和AlN可以制成复合谐振器。这类谐振器的Q值在200兆赫到500兆赫基频谐振范围内大约为5000。特别令人感兴趣的是可以对谐振频率进行温度补偿。在ZnO/Si和AlN/Si的复合结构上已制造出室温下串联谐振频率的绝对温度系数小于1×10~6/℃的谐振器。ZnO和AlN晶片谐振器的温度系数已测出为-36.2×10~-6/℃和-25×10~-6/℃。这表明P~+Si基片在切变膜时的温度系数大约是+9×10~6/℃、     

熔化石英球体体积的确定

描述了对水的密度进行绝对测量的熔化石英球体体积的确定。此球体的直径用光学干涉仪测量,即将此球体放置在两个平行标准板之间,而其间距的精确值已知。通过测量每块标准板表面到球体之间的间隙而测得其直径。为了使用精确的分数法,采用了两种波长:频率稳定的 He-Ne 激光器为633nm 及 He-Cd 激光器为441nm。详细阐述了为干涉仪克服熔化石英表面的低反射性而采取的特殊安排。同时,也介绍了一种消除由于石英球体的透明性而引起的伪效应的方法。此直径(大约85mm)测得值的标准偏差为5～12nm,体积上就相当于0.16～0.43ppm(1ppm=1×10~(-6)),此体积的总不确定度估计为0.26～0.48ppm。     

SABRE雷达及其观测的Pc5地磁脉动Ⅰ.统计分析结果

本文简要介绍了相干散射雷达SABRE及其观测Pc5地磁脉动的工作原理。1985—1989年观测数据的统计分析结果表明,相位向极传播脉动事件的出现率峰值在当地时间午夜附近,而向赤道传播事件的出现率峰值则在18:00LT左右。文中给出了上述两类脉动事件出现率的日变化,与地磁活动的相关,与背景电离层等离子体对流特性的关系等统计分析结果。     

氯化钾镀锌大规模生产故障分析

本文对氯化钾镀锌在大规模生产中存在的故障进行系统的研究和分析，发现镀锌层的主要故障有发花、发雾、碰伤、掉膜、淋漆等。选择好的光亮添加剂、加强镀锌后清洗，改进下挂方式、调整浸漆工艺等，并加强管理是有效提高产品一次性合格率的主要措施。     

飞行器纵向阻尼动导数直接测量实验研究

介绍了新研制的“FL-8风洞大幅升沉和俯仰耦合振荡实验系统”及采用该系统产生纯俯仰运动测量飞行器纵向阻尼动导数的试验技术，给出了部分试验结果。实验结果表明，阻尼导数和时差导数在中、大迎角时存在明显的非线性耦合，采用纯俯仰运动直接测量的阻尼导数在整个迎角范围内都是合理的。     

动导数支架干扰的试验研究

采用镜像两步法在FL 8风洞中进行了俯仰振荡动导数支架干扰修正实验,实验结果表明:在强迫振荡动导数实验中,支架干扰对动导数实验数据有明显的影响。通过对实验数据进行支架干扰修正,可以进一步提高实验结果的准确性。     

基于无线通信技术的数控网络系统设计

针对我国现有有线数控网络系统的不足,提出利用无线通信技术,建立无线数控网络。并对其体系结构和关键技术进行了具体的阐述,为工厂数控系统的网络化提供了一个基于无线通信技术的新方案。实际应用表明,无线数控通信系统有利于更加灵活便捷地实现车间网络化制造系统。     

生物浸出废旧锂离子电池中钴的菌种选育技术

文章借鉴生物浸矿技术,对采用生物法浸出废弃锂离子电池中的金属钴进行了研究.从污水处理厂取生活污水样品,对其中所含的细菌进行筛选、富集、纯化和混合诱变得到目的细菌氧化亚铁硫杆菌和氧化硫硫杆菌的混合细菌.结果表明:经过紫外诱变处理后的混合细菌,在初始pH=2,温度为30℃,加入电极材料2g的条件下,钴的浸出效果最好,浸出18天后浸出液中钴离子的浓度达到了5.3213g/L.