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924.
介绍用脉冲电子束烧蚀法在不同温度的单晶硅 (1 1 0 )衬底上沉积铌酸锂铁电薄膜 ,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的实验结果 ;使用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、光电子能谱 (XPS)等方法 ,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试。采用表面轮廓仪测定 LN薄膜的膜厚分布均匀性等。文中探讨了靶材料烧蚀和沉积过程中出现的诸多现象。研究表明 ,这种薄膜制备方法有许多独特之处 ,随着该项技术的不断改进和发展 ,将为光电集成电路提供一种新工艺和新技术 相似文献
925.
926.
从金刚石薄膜半导体器件的实用要求出发,比较了金刚石薄膜的各种图形化技术,研究了它们各自的特点和适用性,如播种法选择性生长、掩膜法选择性生长、离子束刻蚀和反应离子刻蚀技术等. 相似文献
927.
化学气相渗透制备氧化硅基复合材料 总被引:10,自引:0,他引:10
以正硅酸乙酯为氧化硅先驱体,以 Nextel4 80纤维三维编织体作为沉积载体,采用化学气相渗透的方法制备了 Nextel4 80 /氧化硅复合材料。研究了正硅酸乙酯温度和沉积温度对沉积速率和渗透效果的影响,分析了沉积过程中产生瓶颈效应和固相粉末的原因以及沉积产物的相和复合材料的显微结构。结果表明 :1沉积速率随正硅酸乙酯温度和沉积温度的升高而显著升高;2瓶颈效应是由于正硅酸乙酯浓度过高,导致沉积速率过快引起的;3固相粉末是因为沉积温度过高,正硅酸乙酯分子或分解的过渡产物在到达沉积区域前已经完全分解引起的;4正硅酸乙酯为先驱体的化学气相沉积产物为无定型氧化硅;5化学气相沉积获得的无定型氧化硅基体与纤维有较佳的热匹配。 相似文献
928.
929.
一种基于神经网络补偿动态逆误差的方法 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了一种基于神经网络自适应补偿动态逆误差的方法,并应用于超机动飞机控制器设计中,飞机的基本控制采用非线性动态逆方法进行设计,对于模型不准确导致的逆误差采用神经网络进行在线补偿,仿真结果表明,采用神经网络补偿误差,弥补了非线性动态逆要求精确数学模型的缺点,而且可以简化动态逆控制律的设计,改善整个控制系统的性能。 相似文献
930.
为了获得预混气爆震管中爆燃到爆管转捩(DDT)距离的变化规律,进行了一系列的单循环爆震试验,其中预混气为按化学恰当比配制的乙炔与氧气以及稀释剂氮气,变化的试验参数包括:预混气初始压力(0.02Mpa-0.1Mpa),稀释剂的浓度(0%-70%)及三种扰流片的形状,试验测得了不同工况下爆震管内火焰传播速度,并由此确定了DDT距离及其变化规律,试验结果表明,预混气初始压力下降或稀释剂浓度增加时,DDT距离增大,而安装扰流器后DDT距离明显缩短。 相似文献