P对低膨胀Thermo-Span合金650℃氧化行为的影响

利用热重分析法(TG)和扫描电子显微镜(SEM)研究了微量元素P对Thermo-Span合金650℃氧化行为的影响.结果表明,氧化增重遵循抛物线规律,氧化层分两部分,包括氧化外层和氧化过渡层.外层富Fe,Co,O元素,氧化过渡层富Nb,Al,Cr,O等元素,Fe,Co,O含量降低.0.001%磷合金表层氧化物主要为针状的Fe,Co氧化物,而0.023%磷含量合金表层氧化物则大部分为块状Co的氧化物,随磷含量增加,表层Fe元素含量降低.0.023%磷阻碍Fe元素向外迁移及氧的向内扩散,降低合金在650℃下的氧化速率,提高合金650℃的抗氧化性能.     

在高温蠕变环境中的热障涂层失效行为

对电子束物理气相沉积(EB-PVD)制备的由NiCoCrAlY粘结层和YSZ(YttriaStabilizedZirconia)陶瓷层组成的双层结构热障涂层,采用标准高温蠕变试验方法,研究了在高温、恒定外载荷作用下热障涂层中各层的形貌变化及裂纹的萌生、扩展,并探讨了涂层的失效过程和机理。垂直于试样轴向的断面观察表明,涂层在外力作用下氧化200h后层间裂纹非常明显,但几乎不发生在热氧化层(TGO)内,而是发生在陶瓷层与TGO层、TGO与粘结层之间,尤其发生在TGO与陶瓷柱状晶之间的等轴晶处。这种层间裂纹是在拉伸应力作用下,合金基体和粘结层发生径向收缩,而陶瓷层和TGO层的应变容限无法满足径向收缩而产生的。     

QY8911双马树脂通过技术鉴定

北京航空工艺研究所根据新机研制需要而研制的一种高性能复合材料树脂基体——QY8911双马来酰亚胺树脂体系,1990年12月18日通过技术鉴定。 鉴定委员会认为,该树脂体系填补了国内空白,居于80年代中期美国同类树脂体系水平。 QY8911树脂质量稳定、性能可靠、原材料立足国内、合成路线简单、易于操作、适于批量生产,已用于航     

线圈法漏磁探伤的信号特性分析

本文由标量磁位计算圆柱形点缺陷的漏磁场，然后计算穿过式线圈及旋转式线圈探测点缺陷的漏磁场产生的感应电动势，分析这些检测信号的特性并得出相应的结论。     

高速机动目标多普勒解模糊高分辨成像方法

针对目标高速机动导致ISAR成像结果产生距离徙动（MTRC）和多普勒模糊的问题,提出一种新的高速机动目标ISAR成像方法,用于解算距离徙动下的多普勒模糊难题。首先,将原始信号变换至图像域,提取最强散射点,估计该点对应的信号调频率,并基于图像最大对比度准则估计多普勒模糊数。然后,重构回波信号的同时矫正距离徙动,并利用CLEAN技术降低运算量和减小噪声对成像结果的影响,获得高速机动目标无模糊的高分辨ISAR图像。仿真实验结果证明了所提方法的有效性和低信噪比下的强鲁棒性。      

中国航天发展的里程碑——《中国的航天》白皮书

《中国的航天》白皮书是中国政府首次全面、系统地向全世界公开介绍中国航天的发展战略和有关政策,白皮书的发布是中国航天史的一件意义重大、影响深远的里程碑事件。本文介绍了白皮书中一些重要的新概念的形成过程,包括“大航天”的内涵、不同领域在航天活动中的作用和定位等,并简要阐述了由此引出的航天发展的相关政策以及民用航天近期发展思路和规划等。     

等离子喷涂制备W丝增强NiAl单层复合材料的界面研究

采用等离子喷涂法制备了W丝增强NiAl单层复合材料并研究了该材料内部与界面相关的问题.研究表明:作为增强体的W丝与NiAl基体具有较好的稳定性,制备态的W/NiAl界面为非冶金结合,其界面处无元素的互扩散及界面反应发生;在模拟热压工艺的两种退火热处理(800 ℃/3 h,1 200 ℃/48 h)状态下,W丝/NiAl界面的结合强度增加,但界面处未出现可见的元素的互扩散层,只是W丝与结晶后NiAl熔滴颗粒之间的氧化物层明显增厚.另一方面,等离子喷涂工艺会给NiAl基体内部带来氧化物的内分界面,该界面的存在会导致NiAl基体的脆断.     

直升机电动绞车测试系统的研制

为实现直升机电动绞车的智能测试,研制了一种直升机电动绞车测试系统,给出了软硬件组成及工作原理,并介绍了主要技术难点和解决方法.     

基于B/S模式的煤矿物资信息管理系统设计

通过对龙宇股份公司陈四楼矿物资管理和内部市场化管理的分析和研究，探讨了煤矿物资信息管理系统的原理、开发、系统设计思想和系统结构。论述了采用“ASP＋SQL SERVER2000”进行系统设计的过程、步骤和安全性的实现。     

沉积位置对LPCVD SiC涂层微观结构的影响

采用低压化学气相沉积法( LPCVD)在炭纤维表面制备了SiC涂层,借助扫描电镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对不同沉积位置SiC涂层的微观形貌和晶体结构进行了表征。 SEM结果表明,沿气流方向,涂层表面逐渐致密和均匀;SiC涂层为多层结构,这种多层结构的形成可能是由于反应中产生的HCl气体吸附在表面反应活性点,从而通过活性点的阻塞机制来阻止SiC晶粒的生长。 XRD结果表明,制备的涂层中存在自由碳,各位置处的SiC晶体在(111)晶面存在择优取向,且沿气流方向(111)晶面的取向性逐渐减弱,(220)和(311)晶面的取向性逐渐增加。拉曼光谱低段频谱(200~600 cm-1)的出现表明CVD涂层中存在一定的缺陷。