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251.
通过试验,讨论了脉冲电流参数对镍铸层内应力的影响,简要分析了铸层内应力的成因。试验结果表明,平均电流密度,频率及占空比都显著地影响着铸层内应力,合适的电参数组合可以使得铸层内应力为最小。 相似文献
252.
机床热误差的无限冲激响应网络动态模型 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了数控机床热误差补偿技术的基本概念,提出了一种基于无限冲激响应(ⅡR)网络的数控机床热误差预报模型。讨论了该模型的建立及相关技术问题,对智能预报补偿系统进行了研究,并给出了智能预报的结果和精度评价。 相似文献
253.
比较分析了2000版ISO9000族标准与94版标准的差别,提出了经94版标准认证注册的组织在实施转换时必须做好的几项工作和应注意的问题. 相似文献
254.
脉冲电流电铸技术的试验研究 总被引:7,自引:0,他引:7
阐述了脉冲电流电铸技术原理,重点介绍了脉冲电铸电源的研制,并进行了电铸工艺试验。试验结果表明,脉冲电流可以显著改善铸层质量,工艺效果良好。 相似文献
255.
256.
257.
258.
为考察N-氧化3’3-偶氮双(6-氨基-1,2,4,5-四嗪)(DAATO_(3.5))在CMDB推进剂制备工艺中的适用性,采用无溶剂压伸工艺和於浆浇铸工艺对DAATO_(3.5)的工艺适用性进行了考察,制备了相应的CMDB推进剂样品。采用燃速试验、爆热试验、撞击感度试验、静电火花感度试验、爆发点试验、甲基紫试验、真空安定性试验等方法对含DAATO_(3.5)的CMDB推进剂的燃烧性能、能量性能、安全性能进行了系统研究。制备工艺试验表明,DAATO_(3.5)可安全的适用于无溶剂压伸工艺和於浆浇注工艺进行制备。性能测试结果表明,用DAATO_(3.5)取代原配方中的RDX(HMX),可明显提高推进剂的燃速,并保持燃速压强指数基本不变;随着配方中DAATO_(3.5)含量的增加,推进剂的爆热出现一定程度的降低;推进剂的撞击感度、静电火花感度及爆发点、甲基紫试验、真空安定性等热感度均出现一定程度的升高。 相似文献
259.
为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作,必须充分认识SiC器件的短路机理。首先对SiC MOSFET硬开关短路故障下短路电流原理进行了分析,在此基础上对不同电路参数对SiC MOSFET短路特性的影响进行了对比分析,揭示了短路特性的关键影响因素,并对Si与SiC MOSFET短路能力和器件恶化机理进行了对比分析,从而为设计SiC MOSFET短路保护电路提供一定的指导。 相似文献
260.