基于SRAM型FPGA单粒子效应综合防护技术

为解决基于SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器)型FPGA(Field Programmable Gate Array,现场可编程门阵列)的扩频应答机在空间环境中时常发生功能故障的难题,提出了一种低轨卫星基于SRAM型FPGA的应答机的单粒子综合防护方案。该方案在代码级、器件级、单机级、整星级综合采用器件优选、结构屏蔽设计、巡检自愈、自主复位等多种方法,有效杜绝了单粒子事件带来的种种危害,已成功应用于某在轨卫星。在轨测试结果表明:遥测、遥控、跟踪测量等功能、性能指标满足任务要求,且未发生需要地面干预的问题或现象。该技术还可推广应用于其他采用低等级器件及其他类型FPGA、DSP(Digital Signal Processing,数字信号处理)等大规模集成电路的星载单机防护。     

采用硅雪崩器件的1000V、300PS脉冲产生电路

把一个马氏(Marx)成形的雪崩晶体管串联电路和一个脉冲上升时间锐化二极管串连,将会在50Ω负载上产生一个幅度大于1000V、上升时间小于300ps 的脉冲。这个电路的触发延迟时间大约是7～10ns,晃动小于100ps。这个电路已被用于产生高至5 KHz 重复频率的脉冲。引言快速上升时间(纳秒)高压(千伏级)电脉冲在仪器快速瞬态测量中有很多用途。典型     

自主式、智能化:航空维修新趋势

基于状态的维修是主动的预测性维修,它利用先进的技术手段对设备和产品状态进行检测,通过对检测结果的综合分析即可对设备的健康状况做出诊断及预测,针对具体的故障或隐患做出维修决策,进行适时和适度的维修.     

一种新型多普勒噪声抑制技术对BepiColombo任务无线电科学实验的性能提升

在欧洲空间局和日本宇宙开发机构联合开展的BepiColombo水星任务中,将开展水星轨道器无线电科学实验,包括估计水星的引力场及其旋转状态,并对广义相对论进行验证。目前地面系统和星上设备的主流配置可以在无线电科学实验中建立X/X、X/Ka和Ka/Ka多个频段的链路,测速精度可达3 um/s（1 000 s积分）,测距精度为20 cm。提出了基于时延机械噪声对消技术提高无线电科学实验性能的方案。时延机械噪声对消技术需要处理在两个测站不同时刻的测量数据,一个测站实施双向多普勒测距,对另一个单收测站的要求较为严格,该测站需要具有较好的对流层条件。这种方法能够显著降低Ka频段双向链路的主要测量噪声,包括由对流层和天线机械系统震动引起的噪声。我们给出了端到端的仿真性能,并估计了在使用时延机械噪声对消技术前提下的水星引力场和旋转状态。考虑使用NASA位于美国本土戈尔德斯敦的DSS-25天线或欧空局位于阿根廷马拉圭的DSA-3天线作为双程测量站,并考虑使用位于智力的APEX天文观测天线作为单收站。分析结果表明在最好的噪声条件下,使用DSA-3天线作为双程测量站时,时延机械噪声对消技术可将待估计的全局和局部参数的估计精度提升一倍。对于无线电科学实验的目标,这一可能的性能提升对行星地质物理学很有意义,它将有益于研究水星内部的结构。     

收敛形进气道数值研究的验证

介绍一种新型的、具有最小喉道面积的三维高超声速进气道(称之为收敛形进气道)的数值和实验研究结果.表明使用这种形式的进气道,在整个飞行速度范围内可以降低阻力和高超声速发动机表面的热防护要求,通过降低外压缩表面的倾斜度和减少进气道及燃烧室壁的面积就可以做到这一点.在采用低维次流动的气体动力设计方法的基础上设计成这种形式的进气道.计算是在无粘气体模型构架内用有限体积法进行的.同时用边界层方程计算出计及粘性的气流特性和进气道特性.数值算法是通过收敛形进气道的有限宽楔形外压缩表面的计算和实验数据来验证的.进行实验研究的马赫数M=2~10.7,基于模型进气道高度的雷诺数Re=(1~5)×106. 数值计算与实验结果一致性很好.这些结果也和通常的二维进气道的数据作了比较.     

一种GPS定位信息可用性的实时判定方法

基于GPS接收机输出数据,采用3级AR模型来预测下一时刻的GPS输出值,并与实际的输出值相比较,以一定的检测门限,判断当前时刻定位信息的可用性。通过仿真证明该方法的有效性,为GPS的可用性判定提供了一种方法。     

SQL Server对XML文档的数据抽取方法的分析与实现

XML正在逐步成为新一代Web数据描述和数据交换标准,将XML文档中的数据抽取到关系数据库中进行管理,可以极大的提高数据的使用效率。本文针对SQL Server对XML文档的数据抽取方法的原理进行了分析,并提出了具体的实现方法。     

氮化铝薄膜及复合体波谐振器

为了在超高频范围内对基模振荡器进行控制和运用滤波器,开展了对于小型体波谐振器的基本材料和器件特性的研究。本文报道了氮化铝(ALN)在构成复合谐振器几何形状和边缘支撑型晶片结构方面的性能。 ALN薄膜是在直流平板磁控管溅镀装置中,用中间电极溅射出来的AL和等离子气体中的N_2之间的等离子体反应生成的。一般溅镀条件是:溅镀压力=1×10~(-3)毛,空气含氮量=99.999％基片温度=200℃,直流功率-225瓦,溅镀率=1.2微米/小时。ALN薄膜的品质用扫描式电子显微镜(SEM)、X射线衍射法和奥格(Auger)电子分光镜进行鉴定。检测结果说明,溅镀的ALN薄膜具有严格的晶向结构,其C轴垂直于Si(硅)基片表面。对于由1.7微米ALN薄膜和8微米Si基片组成的谐振器,测出的基频串联谐振频率为328.53兆赫,基频并联谐振频率为328.61兆赫。这种规格谐振器的Q值约有7500,它在-20℃至+120℃范围内的实测温度系数约为-4×10~(-8)/℃。对于具有1.7微米ALN薄膜和6微米Si基片的谐振器,实测的温度系数是-6×10~(-6)/℃。这种规格谐振器的Q值约为5000,它的基频串联谐振频率是524.11兆赫,而基频并联谐振频率是524.45兆赫。应用微电子半导体加工技术,已经制成了边缘支撑型ALN晶片。晶片厚度为1.0至7微米,面积约为300平方微米。这种晶片是边缘支撑型的,这与以前报道的底膜支撑型薄膜是不相同的。厚度为6.5微米的典型ALN晶片在790兆赫附近产生基模谐振,耦合系数为10.3％。在-20℃至120℃范围内测得的温度系数可达到-20.5×10~(-6)/℃。目前,已按外延特性制造出具有水平C轴的氧化锌ZnO晶片。这种晶片显示出切变波谐振特性,这意味着晶片有很高的谐振Q和比较简单的模式结构。