太赫兹超材料及其应用综述

在太赫兹波段高效响应的天然材料较为有限,制约了太赫兹技术的应用和发展.超材料是近年来兴起的人工合成电磁材料,可以通过其晶格单元形状、结构以及关键尺寸的设计实现人工电磁材料宏观电磁响应的调节,在太赫兹功能器件研制以及太赫兹波有效调控方面具有巨大潜力.总结了太赫兹超材料的最新研究成果及遇到的问题,概括了近十年来太赫兹超材料...     

基于“动态集成管控”的机场改扩建工程管理模式研究——以天津机场三期改扩建工程为例

为提高行业品质工程建设水平,引领行业发展,创新工程管理,采用项目管理全生命周期理念,按照“规划、投资、融资、建设、运营”一体化管理思路,从项目规划、投资效益、建设品质、运营成本、运行效率、服务品质、经营效益、绿色协调可持续等多个方面实现优化组合,打造天津滨海国际机场三期改扩建工程新型组织模式,通过“四位一体”,实现天津机场三期改扩建工程“创新现代管理、建设品质工程、打造四型机场、引领行业潮流”的建设目标。     

基于工厂模式的OSLC数据集成接口设计与实现

复杂软件系统往往由不同地域的研发团队采用不同的开发工具来协同完成,研发过程中存在数据难以集成的问题.基于开放式生命周期协作服务(OSLC)规范来设计软件协同开发数据接口,有利于提高软件协同开发的效率.首次结合工厂模式和OSLC规范设计并实现数据集成接口,将不同工具的数据集成抽象成统一的公共接口,从而采用统一的数据接口和...     

聚乙烯基倍半硅氧烷及其可瓷化复合材料的制备与性能

以乙烯基三甲氧基硅氧烷(VTMS)为单体,采用水解缩合的方法制备了聚乙烯基倍半硅氧烷(PVSQ),对PVSQ的固化机制、固化温度以及热稳定性进行研究。结果表明以低毒性的乙醇取代甲苯为溶剂、能于150℃中温固化的PVSQ可作为硅基可瓷化防热复合材料的基体使用。通过SEM、EDS、XRD对添加TiB2、云母等成瓷填料制备的PVSQ复合材料的陶瓷化性能进行研究。结果表明材料在800～1 200℃热处理30 min后失重率仅为0. 29%～4. 15%,体积收缩率为5. 20%～15. 08%,高温下成瓷填料与材料热解产物之间发生原位陶瓷化反应,产生大量玻璃相起到基体桥接作用,促进尺寸、形状稳定的陶瓷体形成。     

三元共掺杂对YSZ热障涂层热物理性能的影响

采用NiO、Er_2O_3、Yb_2O_3、Y-2O_3、ZrO_2粉末为原料,用高温固相合成法制备复合陶瓷材料,研究该复合陶瓷材料的比热、热扩散系数、热导率等热物理性能,并与传统8YSZ热障涂层材料进行对比。利用XRD测定所制备的陶瓷样块的晶体结构和物相组成,分析该陶瓷试样的物相组成及高温相稳定性。结果表明:NiO、Er_2O_3、Yb_2O_3共掺YSZ后,室温至1500℃范围内的热扩散系数为0.36～0.56 mm^2/s,与8YSZ相比,降低了约20%;室温至1500℃的热导率为1.45～1.55 W/(m·K),比8YSZ降低了18%;2EYNYSZ陶瓷材料具有单一的相结构,经1500℃热处理100 h之内不发生相变。     

中航光电：完全投入市场怀抱的产业化之路

中航光电科技股份有限公司（以下简称中航光电）是一家以光电连接器产品的研发、制造、销售为主要业务的上市企业,隶属于中航工业航电系统公司。在市场化开拓的进程中,中航光电以小小的连接器撬开了国内外的大市场。本刊记者寻着中航光电的市场化足迹,     

Ka波段高中频四次谐波混频器的实现

推导了反对接二级管混频原理与相差合成原理相结合实现四次谐波混频公式。结合公式提出了在Ka波段实现高中频四次谐波混频器的新的设计方案 ,进行了电路仿真并制作了混频器电路 ,通过仿真所得到的实验结果表明 ,公式推导正确设计思路切实可行     

发汗冷却喷管在火箭发动机上的应用

较系统地介绍了发汗冷却的机理和发汗冷却研究的发展历程，说明了发汗喷管不同研究阶段的典型结构，并重点阐述了可望很快应用于工程上的发汗喷管结构，同时列出了发汗喷管计算中关键技术－热量交换的有关数学模型和各参数的取值。指出了近期需要开展的工作。     

用于YF—23A原型机飞行试验的分布式实时数据处理

１９９０年下半年，为了验证和鉴定为ＹＦ－２３Ａ原型机飞行试验而开发的几项新技术，诺思罗普／麦．道公司的两架ＹＦ－２３Ａ先进战术战斗机（ＡＴＦ）原型机投放试飞，ＹＦ－２３Ａ飞行试验队为该试验计划研制了一种性能卓越的，费用低廉的实时地面数据站。为了满意ＡＴＦ原型机飞行试验工作的需要，该地面站主要基于分布式数据处理的概念。尽管ＹＦ－２３Ａ地面数据站的核心是ＤＳＩ公司的ＱＵＡＤ－７计算机系统，但安装在各种     

非平衡电弧加热射流光谱学诊断方法：第一部分 氩射流

从一般意义上给出了非平衡电弧加热射流光谱学诊断方法和结果。表明非平衡亚声速电弧加热射流中心是ＬＴＥ的，沿径向形成一非平衡囊兜，囊兜的最深位置约在１／２射流半径处。