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612.
论述了法向过载信号反馈在放宽静稳定性大型客机自动驾驶仪增稳控制中的作用。在自动驾驶仪纵向内回路控制律中引入法向过载信号,构成了国际先进客机的C*控制律构型;反馈系统的输出信号,选用LQR设计方法同时闭合客机纵向的内回路和姿态、油门回路,形成了输出跟踪器,并设计了性能指标与反馈参数。以B707为例,建立了其着陆进近阶段的非线性模型,配平并线性化,用获得的控制律进行数字仿真验证。结果表明,内回路增稳效果良好,C*响应曲线在最佳响应区,姿态响应和速度保持都达到了满意的效果。 相似文献
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电离层测高仪系统中,O波与X波的分离非常重要.本文提出一种新的O波与X波分离的实现方法,根据电离层回波的极化特性,通过在接收电路上采用数字方法合成圆极化波的方式,实现了对O波与X波的有效分离.与现有DPS-4测高仪系统采用模拟域电信号合成圆极化波的方法相比,本文方法通过在数字下变频处理过程中引入±90°相移,消除了在模拟域电信号合成方法中相移器的带宽限制和非线性问题.另外,该方法在实现发射和接收信号的极化状态转换时不需要连续切换多个模拟开关,从而提高了整个系统的稳定性. 相似文献
614.
微喷管设计加工方法不同于常规尺寸喷管,具有小尺寸、大面积-体积比的特点,内部流动雷诺数低,粘性力影响显著。为研究结构参数设计对蒸发液体微推力器喷管性能的影响,利用三维数值模拟方法研究不同扩张半角、面积比以及刻蚀深度对微喷管推力、比冲的影响。结果显示,增加微喷管扩张半角有利于降低粘性损失,最优扩张半角为30°,其数值大于常规尺寸喷管。增加面积比可以提高气体膨胀程度,但与之同时增加的壁面面积会增加粘性损失,推力、比冲先随面积比增加而增加,面积比为14时达到峰值,随后下降。增加刻蚀深度有利于减小扩张段壁面面积,提高微喷管性能。 相似文献
615.
姜贵庆%张学军%王淑华%艾邦成%俞继军 《宇航材料工艺》2007,37(4):8-11
在分析尖化前缘热环境特性的基础上,给出了尖化前缘相应的热结构特性的计算和分析,分析结果表明:尖化前缘热流密度在2~3个自由程内下降到原来的1/3,而表面温度仅有10%的下降;高热导率的防热材料可降低前缘的最高表面温度,对非烧蚀热防护十分有利,它还可提高后部的表面温度,增加辐射散热的力度,这是非烧蚀热防护的重要机制. 相似文献
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以对转压气机为研究对象,在数值方法校验的基础上,应用全通道定常流场分析手段计算了对转压气机不同周向畸变条件下的三维流场,获取了周向总压进气畸变对该压气机性能以及流场结构的影响效应,确定了对转压气机的临界畸变角,分析了不同畸变强度对压气机性能的影响规律,探讨了周向总压畸变在对转压气机中的发展演化过程。结果表明:(a)所研究的对转压气机临界畸变角约为72°,略高于传统动-静叶排交替的压气机临界畸变角;(b)相比均匀进气工况,当畸变指数为0.24时,对转压气机失速点压比和失速裕度分别下降3%和9.6%,当畸变指数为0.5时二者分别下降8.3%和19.8%;(c)未畸变区与畸变区流体之间存在的压力梯度影响转子叶片相对来流速度。进入畸变区叶片来流相对速度减小,负荷降低,退出畸变区叶片来流相对速度增大,负荷增大;(d)上游转子使得畸变水平提高,下游转子反向旋转效应抑制了来流相对速度变化趋势,增强了气流在其叶片通道中的掺混,使得畸变水平有所下降。 相似文献
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文章针对可展机构展开运动过程中的不同步现象,提出了一种同步可展机构,并对机构进行了构型设计与运动学分析。首先,将同步齿轮传动与连杆机构相结合,基于锥齿轮的闭合传动原理,设计了一种可确保杆件同步运动的同步可展机构。其次,基于G K公式,计算了机构的自由度。然后,根据同步可展机构的阵列组合方式,构建了三类同步可展体系。进一步建立机构在全局坐标系下的运动学分析模型,利用传递矩阵法对机构整体进行了运动学方程推导,并进行了数值仿真分析。最后,基于ADAMS对机构的运动情况进行了仿真分析。结果表明:机构能够实现单自由度精确同步展开,体现了机构在运动过程中的规律性和对称性。基于ADAMS 的展开运动仿真结果与理论分析结果基本一致,验证了同步可展机构构型设计的合理性及所建立的分析模型的正确性。这种构型设计与分析方法同样适用于其他类型的同步可展机构及体系。 相似文献
619.
本课题建立了两种物理模型来描述理想脉冲情况下等离子体中的电子运动,并建立了电子运动方程.在无限长平面靶情况下首次得到了电子运动方程的解析解,提出了理想上升沿判据.通过对保形全方位离子注入的处理工艺参数的研究,获得了各个工艺参数之间的定标关系.研究结果表明,在相同的注入脉冲宽度情况下,增加等离子体密度和离子质量都能够获得更均匀的注入分布.注入波形的上升沿对注入离子能量分布造成的影响完全可以通过提高等离子体的密度和改变离子质量来消除.因此在设计调制器时追求过陡的上升沿意义不大,从技术难度和成本效益比上看,上升沿在1~2μs之间即可满足全方位离子注入过程对电源的要求. 相似文献