曲率和挠率对圆截面螺旋管道粘性流动的三阶作用

利用Ｇｅｒｍａｎｏ的曲线正交坐标系下的完全Ｎ－Ｓ方程,采用摄动方法求解了圆截面螺旋管道内的粘性流动,得到完全三阶摄动解,研究了曲率和挠率对二次流动和轴向速度的一阶、二阶和三阶作用。在曲率一阶项的作用下,截面上形成方面相反的两个二次涡,轴向速度最大值移向外侧;曲率的二阶项使二次涡的中心移向外侧;在曲率和挠率的高阶项（二阶和三阶）的共同作用下,靠近下半截面的涡增加,同时,二次涡的中心和轴向速度最大值移     

圆柱滚子轴承V形兜孔形面的磨损性能

为研究高速轻载工况下兜孔形面几何参数对V形兜孔圆柱滚子轴承保持架磨损性能的影响,建立了考虑兜孔处润滑影响的轴承动力学模型。以基于Masjedi磨损模型的时间平均磨损率作为磨损性能的评价标准,研究了兜孔形面几何参数对V形兜孔保持架磨损性能的影响规律,分析了在不同转速下兜孔壁倾角均为15°的V形兜孔保持架的磨损性能及打滑特性。结果表明：兜孔形面几何参数对保持架的磨损性能影响显著,通过对其优化可有效提升保持架的磨损性能;保持架的时间平均磨损率随内圈转速的增加而上升;在内圈转速的范围为5 000～20 000 r/min时,兜孔壁倾角均为15°的V形兜孔保持架的时间平均磨损率和打滑率均低于普通直兜孔轴承。     

曲线管道内颗粒运动及对管壁磨损的数值分析

根据张量分析理论,推导出非正交曲线柱坐标系中颗粒的运动方程。对三种类型弯管内两相流动的颗粒运动轨迹,颗粒与管壁面的碰撞以及颗粒对壁面的磨损进行了数值计算。     

扇环形截面弯曲管道内的粘性流动

本文利用涡量－流函数法系统地研究了扇环形截面弯曲管道内的二次流动，计算结果表明了采用控制体积积分法对涡量－流函数方程进行离散来求解弯曲管道内粘性流动问题是成功的，这样可以避免对压力项的处理；对所得结果的分析揭示了该二次流动不仅受雷诺数和曲率影响，而且扇形中心角、内外径之比对该流动的影响也是显著的。     

电磁超介质研究进展

电磁超介质是当前电磁学和物理研究领域中的前沿与热点，文章将左手材料、复合左／右手传输线、光子晶体统一在电磁超介质的体系下进行介绍，并论述了电磁超介质的发展现状。     

30CrMnSiNi2A钢抗疲劳螺栓的研制

一、概要 1.研究目的在“长虹”机的研究过程中,曾遇到一个难题:该机的中外翼对接螺栓,受到连接条件的限制,必须采用静强度及疲劳寿命均较30CrMnSiA钢高的材料。国产材料中,30CrMnSiaA钢的静强度虽然很高,但正象大家所熟知的,它在交变载荷作用下对应力集中比较     

贯彻两项部标准的做法

我厂在贯彻《通用零件》、《机床夹具零件》两项部标准（以下简称两项部标）之前，着手进行了下列工作：     

基于分形理论的铝合金腐蚀损伤研究

对不同腐蚀时间作用下航空LY12铝合金的表面腐蚀损伤形貌进行试验研究。将分形理论引入到铝合金腐蚀损伤研究领域,对受腐蚀损伤铝合金的表面形貌的分形现象进行了分析。结果表明：在同一应力水平下,疲劳寿命随表面腐蚀形貌分维数的增加而减少。结构的疲劳寿命随分维数变化规律的研究将为受腐蚀铝合金结构的安全性评价提供新的思路和方法。同时提出了把腐蚀形貌分维数和腐蚀深度作为评价铝合金腐蚀损伤的指标。     

空间电子辐照介质材料带电效应研究进展

针对空间电子辐照对介质材料所产生的带电效应对在轨航天器的服役性能带来了巨大威胁,为深入理解和探究空间电子辐照带电效应的特性和规律,重点介绍了在电子辐照环境下,介质材料的表面电位特性、材料的总带电电荷量以及电子辐照介质内部的实时电荷分布以及动态演变特性,并进一步阐述了带电状态对二次电子发射的反馈动态影响研究。此外,概括了近年来国内外对电子辐照带电的理论数值模拟方法及发展情况。     

高温真空绝热板的制备及性能研究

根据真空绝热原理提出一种可在高温环境下使用的新型高温真空绝热板(High-temperature vacuum insulation panel,HT-VIP)。在多孔碳化硅泡沫芯材表面包覆多层碳纤维布,通过化学气相渗透(Chemical vapor infiltration,CVI)热解碳的方法对外壳碳纤维体进行增密,然后采用聚合物浸渍裂解(Polymer infiltration and pyrolysis,PIP)工艺制备玻璃碳对材料进行致密化处理,最后采用低压化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)工艺沉积SiC涂层对材料进行封装,制备出一种具有耐高温、密度低、强度高、低导热以及抗热冲击的新型高温真空绝热复合材料。制备的致密碳纤维增强复合材料,材料内部为真空状态,材料密度为0.81g/cm3,抗压强度为8.75 MPa。当温度为100~900℃时,高温VIP有效热导热系数从0.20 W/mK逐渐增加到1.16 W/mK,比C/C和C/SiC复合材料低一个数量级。