不断创新发展的机床制造技术

历史的车轮总是滚滚向前,机床也与所有的事物一样,不断发展,不断创新,不断会有更新更好的技术和产品应运而生.     

21世纪 谁主沉浮 访问波音公司有感

波音民用飞机公司通过高速生产线、抓紧技术改造、开发新的业务等一系列有力的措施,不仅经受住了"9.11"以来全球航空运输业进入低谷带来的冲击,而且制定了自己的新机发展战略,放弃550座以上超大型飞机项目,集中力量发展7E7,抢占约有2000～3000架新机空档的200～250座机级市场.有些航空界分析家认为,如果7E7能按计划投入市场,波音公司在民用飞机市场的份额将会上长到至少60%以上.     

商用飞机市场热点及机型进展

2014年储备订单数量的大幅增加以及制造商生产速率的提高,引发了业内对“订单泡沫”和最佳生产速率的争议。     

美国空军加快改进空运能力

从2009年夏开始,美国空军月复一月地向阿富汗地区空运部队,并为部队投送食物、水、弹药和其他必需品,在创下了空运新纪录的同时,也给美国空军空中机动司令部带来了巨大压力,空中机动司令部因此考虑采取一些新的调整措施。     

全球空域风险评估机制亟待改革

在刚刚过去的7月,接二连三的空难事故,令人痛心疾首。这其中,有天灾也有人祸。我们在愿逝者安息的同时,更需要查清原因,引以为戒。 7月17日,马来西亚航空公司MH17航班在乌克兰东部地区“坠毁”,机上298人全部遇难。虽然还未正式确认,但越来越多的证据表明。     

次流通道对双喉道气动矢量喷管的性能影响研究

为了进一步了解次流通道对双喉道气动矢量喷管(Dual Throat Nozzle,DTN)气动矢量性能的影响,基于二维DTN喷管构型进行了详细的数值模拟研究。结果表明:收扩的次流通道相对于平直的次流通道不会改善DTN喷管的推力矢量性能;随着次流流量增加,DTN的推力矢量角存在一个最大值,超过该值各推力矢量性能均会降低;次流通道宽度对DTN喷管推力矢量性能影响显著:(1)次流宽度不影响所能达到的最大推力矢量角;(2)小的次流宽度在进口总压较高的条件下具有更高的推力矢量角;(3)增大次流宽度能降低次流总压,但达到的矢量角会有所减小。     

应用多块对接结构网格方法的直升机涵道尾桨气动特性分析

基于湍流Navier-Stokes方程,建立了一套直升机涵道尾桨流场及气动特性的CFD分析方法.在该方法中,针对直升机涵道尾桨流场的特点以及动量源方法对网格系统的要求,提出了一种多块对接网格生成方法,分块贴体网格采用求解Poisson方程的方法生成.通过结合涵道尾桨的运动方式、几何特征及气动特征,建立一个包含动量源项的N-S方程的涵道尾桨流场计算方法和迭代流程;为较好地捕捉涵道壁附近存在的旋涡及分离现象,采用了一方程S-A湍流模型.通过对ONERA M6机翼的绕流特性的计算分析,以及对涵道尾桨在悬停状态下的拉力、诱导速度、载荷分布等的计算分析,验证了该CFD方法的有效性.在此基础上,采用该方法进行直升机悬停、侧飞和前飞状态下涵道尾桨流场与气动特性的数值分析,得到了关于涵道尾桨流场和气动特性的一些有意义的结论.     

磁场对冷镱原子光钟稳定度影响的仿真分析

在光晶格钟运行时，不停起伏的杂散磁场会引入一阶塞曼频移和二阶塞曼频移，从而影响光晶格钟的频率不稳定度。此外，突变的磁场可能导致激光频率参考到钟跃迁频率的伺服闭环过程发生不可恢复的失锁，从而阻碍光钟的持续运行。在实验中，光钟进行频率闭环锁定前，通常通过控制三维线圈对光钟主腔中心原子处的杂散磁场进行补偿。首先使用三维磁强计，对真空主腔附近的磁场进行监测和记录，以分析杂散磁场对光钟性能的影响。然后利用正态分布模型和二项分布模型等，对光钟频率伺服锁定过程的阿伦偏差进行仿真拟合。在引入实际磁场监测数据的基础上，模拟光钟频率的伺服锁定过程，分析其仿真结果可以得出：减小杂散磁场起伏和控制磁场漂移，在提高冷镱原子光钟的短期稳定性和长期稳定性方面具有重要意义。     

美国下一代战斗机将优先解决电力问题

下一代作战飞机将使用定向能武器和先进的传感器,它们对电源功率和冷却系统的要求已经超越了今天技术所能提供的能力,这项要求可能将根本改变飞机的系统设计。     

抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计

为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果.