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三维规则形貌影响下的二次电子发射特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过人工加工出特定的表面形貌来调控材料的二次电子发射特性已在诸多领域得到应用。规则表面形貌易于揭示抑制规律和影响机制对二次电子发射特性的影响,同时采用光刻、等离子刻蚀等工艺可以较好地实现特定设计的规则形貌,因此,在抑制微放电的研究初期或原理性试验验证过程中多采用定制的规则表面形貌。基于提出的电子与表面形貌相互作用的多代模型,以三维圆柱孔为例,采用蒙特卡罗方法系统研究了三维规则表面形貌的深宽比、占空比等参量影响二次电子产额、二次电子能谱以及出射角分布的规律。研究发现:规则形貌的深宽比越大,能谱展宽越强烈,形貌对出射角的选择性越强,二次电子产额的抑制效果越好,但该抑制效果存在饱和效应。在形貌不发生交叠时,增加占空比,可有效降低二次电子产额,由于圆柱孔出射电子占比较少,二次电子能谱与出射角分布接近于平面。所获得的三维规则表面形貌的二次电子发射特性对于全面评估其对微放电效应的影响提供了参考。 相似文献
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目前,月面复杂场景下的无人车自主导航仍面临巨大挑战,研究面向月面非结构化环境的自主导航方法具有重要意义。提出了一种基于地形约束的非结构化环境下的自主导航方法,采用一种基于八叉树地图的高效路径搜索和轨迹优化算法来生成轨迹,该算法可以有效地避开环境中的各种障碍物,到达指定的目的地。在Gazebo中进行了仿真实验,结果表明所提方法在无地图导航任务中取得了优异的性能。考虑到Gazebo在人机交互方面存在不足,进一步采用Windows中的Unity进行人机交互。在ROS与Windows交互方式上,设计了基于rosserial_serve的TCP连接,并采用Visual Studio解决方案生成Win32控制台应用程序,通过IO流读写本地文件的方式,完成目标点等信息的交互;同时结合PhysX物理引擎与人机交互的方式,提供了再现车辆在月面位姿、设置危险区域与规划路径点的功能,完成了基于Unity的寻路场景重现。 相似文献
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无源互调(passive intermodulation,PIM)是影响通信系统性能的关键因素之一。研究表明,PIM信号并非一个定值,而是随时间变化的非平稳信号。基于PIM功率信号的时间序列特性,文章提出基于小波神经网络的PIM功率时间序列预测方法。首先,详细介绍小波神经网络预测模型及其预测方法;其次,以同轴连接器为验证对象,通过PIM实验测试系统获得3阶PIM功率的时间序列;最后,依据获得的PIM功率时间序列,结合构建的小波神经网络预测模型对后续的时间序列进行预测分析,并将预测结果与实验结果进行比较,从而验证小波神经网络在预测PIM功率时间序列方面的有效性。该研究对于开展PIM抑制技术具有一定的参考价值。 相似文献
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高低温循环状态下的无源互调(passive intermodulation, PIM)检测是全面评估航天微波产品PIM性能的必要手段,传统的温箱穿仓波导连接方式在温循PIM检测中时常出现因应力、温变等因素导致检测系统残余PIM恶化的问题,严重影响检测灵敏度和检测效率。针对此,提出一种非接触式低PIM温箱穿仓接口技术。在温箱穿仓部位利用非接触电磁屏蔽原理构建非接触式端口,避免了不良电接触,以实现温箱内外快速稳定的低PIM电连接。理论分析了其中非接触结构的PIM抑制特性,针对Ku频段应用设计研制了温箱穿仓接口并开展了实验验证,实测在长时间温循状态下系统3阶残余PIM<-140dBm@2×100W,获得了稳定的低残余PIM特性,大幅提升了PIM检测性能和检测效率,可广泛推广于各类PIM检测系统应用中。 相似文献
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针对目前部队航材备件订货周期方面存在的问题以及在理论研究方面存在的不足,以故障统计数据为基础,建立了一种新型的数学模型,解决了一定保障率的情况下使得订货周期更加合理,保障经费最小的问题. 相似文献
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针对无人战斗机系统维护和飞行训练耗费巨大的问题,借鉴缩比模型验证机飞行试验的思路,研制具有相同飞行性能和操纵特性的缩比训练机。应用相似性原理,通过相似参数分析获得了缩比机与全尺寸原型机的飞行范围。在缩比机几何外形的基础上,应用Gridgen软件创建机体周围流场的非结构网格。通过Fluent软件,计算了缩比机纵向气动特性。根据俯仰力矩系数估算出全机气动中心位置,为缩比机的操纵性稳定性研究和控制率设计奠定了基础。 相似文献
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航天器微波部件低气压放电效应是威胁航天器电子设备安全运行的一种特殊效应,而部件材料表面吸附气体脱附后为低气压放电提供了必要的条件。首先对比了微放电与低气压放电的区别,阐述了低气压放电破坏效应的产生根源。通过理论分析与计算,对比了热效应和电子轰击效应对不同键能吸附气体的脱附效率。结果发现,热致脱附主要造成低键能物理吸附气体的解吸附,电子轰击效应可造成高键能的化学吸附气体的解吸附。阐明了由二次电子倍增引起的电子诱导解吸附过程是星载微波部件内低气压环境的主要形成原因。最后讨论了通过部件材料表面处理及提高二次电子倍增阈值的低气压放电效应抑制方法。 相似文献