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31.
为解决雷诺平均Navier-Stokes(RANS)方法模拟沟槽面减阻的实际应用问题,受Wilcox对粗糙度模化方法的启发,通过深入分析k-ω剪切应力输运(SST)湍流模型近壁区ω值的作用效果,发现在黏性底层内增加壁面ω值可使对应近壁区的湍动能、湍流黏度、雷诺应力均减小,这种对近壁区流动特性的作用效果与真实沟槽面一致。以经典的对称V型沟槽面(高度=间距)减阻实验数据为基础,通过引入减阻效果影响因子——压力梯度与偏航角,建立复杂流动条件下沟槽面几何尺寸到壁面ω值的模化函数方程,将数值模拟结果与实验结果对比,验证了模化沟槽面可以达到与真实沟槽面相同的减阻效果,并依此给出沟槽面减阻在工程实践中的应用方法,以C919翼身组合体巡航构型为例,完成其沟槽面减阻的总体设计与评估。  相似文献   
32.
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究了M2CoA型Heusler合金Mn2CoAl、Mn2CoSi、Ti2CoAl和Ti2CoSi的电子结构和磁学性质。发现Heusler合金Mn2CoAl是亚铁磁性自旋无带隙半导体,Mn2CoSi与Ti2CoAl是亚铁磁性自旋半金属,而Ti2CoSi是铁磁性自旋半金属。它们的总自旋磁矩均为整数,符合Slater-Pauling规则。然后,在分析电子能带结构和态密度的基础上,探讨了自旋无带隙半导体与半金属性的根源。最后,声子谱和弹性常数计算结果表明所有M2CoA型Heusler合金在晶格动力学和力学上均是稳定的。  相似文献   
33.
通过对200-400℃范围内时效试样进行相变点测量和OM,SEM,XRD分析,对亚共析成分的CuAlBe形状记忆合金的热稳定性进行了系统研究。结果表明:在200-300℃温度范围短时间时效,合金的相变温度由于有序化过程的进一步进行而上升;在200-300℃温度范围长时间时效或300%以上温度时效,合金的相变温度明显下降,其原因是平衡相α和非平衡相α在合金中析出。  相似文献   
34.
张岩岩  周健  耿海鹏  虞烈 《航空动力学报》2018,45(12):60-65, 92
针对两极平行充磁实心圆柱式永磁同步电机(SCPMSM),分析转子偏心对气隙磁场空间和频率特性的影响。通过引入转子静态偏心和动态偏心磁导修正系数,建立了转子偏心气隙磁场的数学模型,分析了空载和负载情形下转子静态偏心以及动态偏心气隙磁场的空间和频率特性。以1台2极12槽SCPMSM为例,对转子偏心气隙磁场特性进行了有限元分析,验证了理论分析的正确性。  相似文献   
35.
    
硒(Se)掺杂可以大幅提高锗碲(GeTe)相变存储材料的再结晶温度,使其具有更高的服役温度和更好的数据保持力,然而Se掺杂对GeTe微观结构和电学性质的影响机制尚不清楚。采用第一性原理计算方法,对Se掺杂GeTe相变存储材料的几何构型、成键性质和电子性质进行了理论研究。结果表明,对于GeTe完美晶体,掺杂的Se原子优先取代Te原子。而对含本征Ge空位的GeTe体系,Se倾向于取代与Ge空位最近邻的Te原子。Se原子与Ge空位具有吸引作用,抑制了Ge空位的移动,从而提高其再结晶温度。Se掺杂导致含Ge空位的菱方相体积收缩,带隙减小,而使含Ge空位的面心立方相体积膨胀,带隙增大。Se掺杂减小了GeTe两晶相的体积差异。计算结果为解释实验中Se掺杂导致的奇特相变性质提供了重要线索。  相似文献   
36.
    
采用无压烧结的方法,以V、Al、C混合粉末为原料制备V2AlC粉体材料。通过不同烧结温度下物相的演变过程对反应路径进行研究,同时探究了烧结助剂NaF对烧结过程的影响。实验结果表明,在1 300~1 500℃温度区间内V3Al2、C和VC发生反应生成V2AlC相,且无压烧结制备高纯V2AlC的最佳工艺为1 500℃保温2 h,元素摩尔配比为 V:Al:C=2:1.2:1。此外,烧结助剂NaF的使用加快了反应过程,并使得反应温度降至1 400℃。实验得到的高纯度、颗粒尺寸分布适中(40~100 μm)的V2AlC可用做提高材料耐磨性的增强体以及二维材料V2C的前驱体。  相似文献   
37.
针对空间太阳翼隔离二极管的应用,结合标准规范及太阳翼电路部分的工程设计约束与在轨应用经验,给出了空间太阳翼电路部分隔离二极管的设计方案;结合工程研制经验,给出了不同类型太阳翼电路部分隔离二极管的应用建议,为相关科研人员提供参考。  相似文献   
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