背景波系下的隔离段激波串运动特性及其流动机理研究进展

对高超声速进气道-隔离段激波串在复杂背景波系下的突跳运动特性及其流动机理的最新研究进展进行了综述,涵盖了背景波系作用下的激波串运动特性、突跳机理和突跳运动特性的数学描述方法,以期对高超声速进气道相关研究工作提供一定的参考。首先,对固定背景波系和变化背景波系下的激波串运动特性和突跳机制进行阐述,指出隔离段壁面压力顺压力梯度和逆压力梯度的交替变化是激波串突跳特性产生的内在物理机制。其次,对背景流场下隔离段激波串突跳运动的触发机理和触发条件进行了讨论。最后,基于对运动特性和突跳机制的认识,尝试给出了背景波系作用下的隔离段激波串运动特性的数学模型,为激波串前缘位置控制提供参考。     

神经网络在叶片几何造型中的应用

由于神经网络特有的结构灵活性、可重新训练性和强鲁棒性 ,使得它可以成为一种有效的几何造型手段。本文介绍了使用神经网络进行叶片几何造型的算法和步骤 ,并分析比较了它和传统造型方法的优劣     

单支承陀螺转子的动平衡

本文阐述了具有阿基米德螺旋线图案的位标器的基本原理及其运动规律，并说明了这种陀螺转子的振动与绕动的平衡原理与方法。     

涡轮效率改变对发动机加速特性的影响

采用零维闭环数值仿真平台，对某型单轴涡轮喷气发动机进行启动加速过程的零维闭环仿真，通过选择三种不同的调节方式，研究了涡轮效率的改变对发动机的转速、推力和耗油率等发动机特性的影响，其中某些结果与实验数据进行了比较。     

无压浸渗制备Si3N4／Al复合材料的界面反应研究

研究Si3N4多孔预制体的表面氧化程度对无压浸渗制备Si3N4/Al复合材料界面反应以及复合材料性能的影响是复合材料优化设计的基础.不同氧化程度的Si3N4多孔预制体在相同的浸渗工艺下无压浸渗制得Si3N4/Al复合材料,利用EDS,XRD和洛氏硬度计分别测定陶瓷多孔预制体的成份,复合材料的相组成和硬度.结果表明:Si3N4/Al复合材料组成相包括Al,Si3N4,AlN以及少量的Si,Mg2Si,MgO,MgAl2O4;随着氧化程度增加,复合材料内AlN相减少,MgO含量增加,并逐渐出现MgAl2O4相;复合材料的硬度随预制体的氧化程度增加而线性下降;预制体的氧化造成Si3N4和Al之间的反应减弱是硬度下降的重要原因.     

拉弯过程中预拉力对角型材零件回弹的影响规律

采用弹塑性有限元方法对不同预拉力下角型材的转台式拉弯成形过程进行了模拟.首先建立转台式拉弯成形过程的有限元模型,然后通过分析由模拟计算所得到的不同预拉力下拉弯零件的应力应变场和回弹角,得出预拉力对角型材拉弯零件回弹的影响规律.所得结果可作为设计拉弯成形模具和确定拉弯工艺参数的参考.     

永磁同步电机驱动系统的反步与无源协调控制

针对永磁同步电机(PMSM)驱动系统中,只利用信号控制器或能量控制器难以兼顾良好的动态特性与较低的能量损耗,提出了基于信号与能量的协调控制策略。首先,利用反步法设计信号控制器,以加快系统的动态响应。然后,从能量的角度出发,利用无源控制中的Euler-Lagrange(EL)模型设计能量控制器,以降低系统稳态运行时的能量损耗。进一步设计协调函数,将信号控制器与能量控制器进行协调,从而构成协调控制器。另外,当负载转矩未知时,设计了负载转矩观测器用来估计负载转矩。在MATLAB/Simulink平台上对所设计的协调控制系统进行了仿真,仿真结果表明,所提出的协调控制策略能够充分结合信号控制器和能量控制器的优点,获得良好的动态和稳态性能,减小PMSM损耗。     

中国科协举办“面向21世纪的科技进步与经济社会发展” 学术年会在杭州召开

近 40 0 0名全国科技工作者和科学家于 1 999年 1 0月 1 7～ 2 2日聚会杭州 ,参加由中国科协举办的大规模、综合性、全方位首届学术年会。本次题为“面向 2 1世纪的科技进步与经济社会发展”的年会 ,集中展示我国广大科技工作者的学术成果 ,展望 2 1世纪科学技术、社会经济发展 ,促进学科发展 ,促进人才成长 ,促进科技进步 ,促进科技与社会、经济的协调发展。是中国科协迄今为止举办的规模最大、层次最高的学术会议。全国人大常委会副委员长、中国科协主席周光召作了题为“历史的启示和重大科学发现的条件”的大会主题学术报告。会议邀请了 …     

磁路温度对霍尔推力器放电热稳定性的影响

为研究磁路高温性质变化对霍尔推力器放电热失稳的贡献及影响机理,对不同磁路温度下推力器的工作磁场强度开展了实验测量,对磁路温度变化与通道内等离子体放电行为变化的交互影响开展了Particle-in-Cell数值模拟研究。实验结果表明,当磁路温度由室温升高到600℃时,推力器的工作磁场强度发生了衰减,尽管衰减量不大(约5%)。模拟结果表明,磁路高温引起的场强衰减改变了推力器放电时的电导率及电势分布,进而对电子能量各向分布、粒子密度分布等造成了影响,促进了电子在壁面的通量及能量损失,主导了壁面等离子体沉积功率的增加,从而进一步加剧了磁路温度的增长。这是一个具有正反馈性质的过程;因此,若不能通过外部手段有效控制磁路温度,将诱发霍尔推力器的放电热失稳。