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331.
随着航天器有效载荷朝着大功率、小型化方向发展,大功率滤波器的无源互调问题成为制约航天器有效载荷发展的重要问题。对应用于航天器的大功率同轴滤波器产生无源互调的因素进行了研究,发现了表面镀层处理和不同材料调节螺钉方式对无源互调的影响规律。用介质隔离同轴连接器内导体和馈电杆的接触方式,设计了一种S频段低无源互调同轴滤波器,比传统同轴滤波器的无源互调有效降低了20 dB。这表明该方法是一种有效降低大功率微波部件无源互调的方法,可应用于航天大功率和地面移动通信大功率微波部件。 相似文献
332.
三维规则形貌影响下的二次电子发射特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过人工加工出特定的表面形貌来调控材料的二次电子发射特性已在诸多领域得到应用。规则表面形貌易于揭示抑制规律和影响机制对二次电子发射特性的影响,同时采用光刻、等离子刻蚀等工艺可以较好地实现特定设计的规则形貌,因此,在抑制微放电的研究初期或原理性试验验证过程中多采用定制的规则表面形貌。基于提出的电子与表面形貌相互作用的多代模型,以三维圆柱孔为例,采用蒙特卡罗方法系统研究了三维规则表面形貌的深宽比、占空比等参量影响二次电子产额、二次电子能谱以及出射角分布的规律。研究发现:规则形貌的深宽比越大,能谱展宽越强烈,形貌对出射角的选择性越强,二次电子产额的抑制效果越好,但该抑制效果存在饱和效应。在形貌不发生交叠时,增加占空比,可有效降低二次电子产额,由于圆柱孔出射电子占比较少,二次电子能谱与出射角分布接近于平面。所获得的三维规则表面形貌的二次电子发射特性对于全面评估其对微放电效应的影响提供了参考。 相似文献
333.
采用ABAQUS建立了有限元分析模型,对比分析了平铆模和锥形铆模两种铆接方式下铆钉的成形质量。结果表明,采用针锥形铆模铆接后,钉杆的干涉量增大,提高了结构件的连接可靠性,同时减少了剪切带的产生。 相似文献
334.
量子传感器是基于量子操控技术的研究成果,一般具有高精度、小体积等优势。激光器是量子传感器的核心部件,有抽运和检测功能,激光器的稳定性对量子传感器具有重要的意义。提出了一种直接数字合成法(DDS)与锁相回路(PLL)相结合的方法,对激光器进行调制并抑制调制噪声,实现了激光器的稳定输出。基于现有小型量子传感器装置,在DDS生成4kHz参考信号的情况下实现了激光器电流8kHz调制,抑制了调制时调制电流信号噪声约8dB,并提高了激光器输出光功率的稳定性。 相似文献
335.
新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系,以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰,文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度,文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。 相似文献
336.
无源互调(passive intermodulation,PIM)是影响通信系统性能的关键因素之一。研究表明,PIM信号并非一个定值,而是随时间变化的非平稳信号。基于PIM功率信号的时间序列特性,文章提出基于小波神经网络的PIM功率时间序列预测方法。首先,详细介绍小波神经网络预测模型及其预测方法;其次,以同轴连接器为验证对象,通过PIM实验测试系统获得3阶PIM功率的时间序列;最后,依据获得的PIM功率时间序列,结合构建的小波神经网络预测模型对后续的时间序列进行预测分析,并将预测结果与实验结果进行比较,从而验证小波神经网络在预测PIM功率时间序列方面的有效性。该研究对于开展PIM抑制技术具有一定的参考价值。 相似文献
337.
高低温循环状态下的无源互调(passive intermodulation, PIM)检测是全面评估航天微波产品PIM性能的必要手段,传统的温箱穿仓波导连接方式在温循PIM检测中时常出现因应力、温变等因素导致检测系统残余PIM恶化的问题,严重影响检测灵敏度和检测效率。针对此,提出一种非接触式低PIM温箱穿仓接口技术。在温箱穿仓部位利用非接触电磁屏蔽原理构建非接触式端口,避免了不良电接触,以实现温箱内外快速稳定的低PIM电连接。理论分析了其中非接触结构的PIM抑制特性,针对Ku频段应用设计研制了温箱穿仓接口并开展了实验验证,实测在长时间温循状态下系统3阶残余PIM<-140dBm@2×100W,获得了稳定的低残余PIM特性,大幅提升了PIM检测性能和检测效率,可广泛推广于各类PIM检测系统应用中。 相似文献
338.
339.
340.
航天器微波部件低气压放电效应是威胁航天器电子设备安全运行的一种特殊效应,而部件材料表面吸附气体脱附后为低气压放电提供了必要的条件。首先对比了微放电与低气压放电的区别,阐述了低气压放电破坏效应的产生根源。通过理论分析与计算,对比了热效应和电子轰击效应对不同键能吸附气体的脱附效率。结果发现,热致脱附主要造成低键能物理吸附气体的解吸附,电子轰击效应可造成高键能的化学吸附气体的解吸附。阐明了由二次电子倍增引起的电子诱导解吸附过程是星载微波部件内低气压环境的主要形成原因。最后讨论了通过部件材料表面处理及提高二次电子倍增阈值的低气压放电效应抑制方法。 相似文献